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三菱的LSI
M5M4V4265CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S
EDO （ HYPER PAGE ） MODE 4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16 - BIT）动态RAM
电容
（大= 0 70 ° C，V
CC
=3.3±0.3V, V
SS
= 0V时，除非另有说明）
符号
C
I（A ）
C
我（CLK）
C
I / O
参数
输入电容，输入地址
输入电容，时钟输入
输入/输出电容，数据端口
测试条件
V
I
=V
SS
f=1MHz
V
I
=25mVrms
民
范围
典型值
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
开关特性
（大= 0 70 ° C，V
CC
= 3.3 ±0.3V ， VSS = 0V时，除非另有说明，注释6,14,15 ）
范围
符号
t
CAC
t
RAC
t
AA
t
注册会计师
t
OEA
t
OHC
t
高级代表办事处
t
CLZ
t
OEZ
t
WEZ
t
关闭
t
苏亚雷斯
参数
从CAS访问时间
从RAS访问时间
Columu地址访问时间
从CAS预充电时间访问
从OE访问时间
从CAS输出保持时间
从RAS输出保持时间
中国科学院低输出低阻抗时间
OE高后输出禁止时间
输出禁止时间后，我们高
经过CAS高输出禁止时间
经过RAS高输出禁止时间
（注7,8）
（注7,9 ）
（注7,10 ）
（注7,11 ）
（注7 ）
（注13 ）
（注13 ）
（注7 ）
（注12 ）
（注12 ）
（注12,13 ）
（注12,13 ）
M5M4V4265C-5,-5S
M5M4V4265C-6,-6S
M5M4V4265C-7,-7S
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
最大
13
50
25
28
13
民
最大
15
60
30
33
15
民
最大
20
70
35
38
20
5
5
5
13
13
13
13
5
5
5
15
15
15
15
5
5
5
20
20
20
20
注6 ： 500微秒的初始暂停后电后至少8初始化周期（ RAS只刷新或CAS RAS刷新之前，需要
周期）。
需要注意的RAS可能在初始暂停期间进行循环。和图8的初始化周期是必需的RAS的长时间（大于8.2ms ）后
器件正常工作之前不活动的实现。
7 ：测得等效于50pF的，V负载电路
OH
(I
OH
= -2mA ）和V
OL
(I
OL
= 2毫安） 。参考电平，用于测量输出信号是
2.0V(V
OH
）和0.8V （V
OL
).
8 ：假设
t
RCD
≥t
RCD （最大）
和
t
ASC
≥t
ASC （最大）
和
t
CP
≥t
CP （最大值）。
9 ：假设
t
RCD
≤t
RCD （最大）
和
t
拉德
≤t
RAD （最大值）
。如果
t
RCD
or
t
拉德
大于该表中所示的最大推荐值
t
RAC
将金额增加了
t
RCD
超出显示的值。
10 ：假设
t
拉德
≥t
RAD （最大值）
和
t
ASC
≤t
ASC （最大）
.
11 ：假设
t
CP
≤t
CP（ MAX）的
和
t
ASC
≥t
ASC （最大）
.
12 :
t
OEZ （最大）
,
t
WEZ （最大）
,
t
关（ MAX）的
和
t
REZ （最大）
限定在其中的输出达到高阻抗状态的时间（我
OUT
≤
± 5μA ） ，不
参考V
OH （分钟）
或V
OL （最大）
.
13 ：输出被禁用后，双方RAS和CAS去高。
4
M5M4V4265CJ ， TP - 5 ， -5S ：正在开发中
