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HYS64T[3200/6402]0[H/K/L]M–[3.7/5]–A
双倍数据速率 - 双微SDRAM -DIMM
初步
4.1
I
DD
测试条件
I
DD
规格和条件
用于测试
I
DD
参数，所述定时参数如
表14
被使用。
表14
参数
IDD测量的测试条件
符号
-3.7
-5
单位
PC2-4200-4-4-4 PC2-3200-3-3-3
CAS延迟
时钟周期时间
ACTIVE读取或写入延迟
要积极主动/自动刷新命令
期
活跃银行A到活动组B命令
延迟
至预充电命令
预充电命令期
自动刷新主动/自动刷新
指令周期
平均周期刷新间隔
CL
民
4
3.75
15
60
10
45
15
105
7.8
3
5
15
60
10
45
15
105
7.8
t
CK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
t
CKMIN
t
RCDmin
t
RCmin
t
RRDmin
t
RASmin
t
RPMIN
t
RFCMIN
t
REFI
4.2
ODT （片上终端）电流
电流消耗对于任何终止的输入引脚，
取决于输入引脚处于三态或驾驶“0”或
“ 1”时，只要一个ODT是在一个给定的周期使
时间。
该ODT功能，增加了额外的电流消耗
向DDR2 SDRAM时由EMRS启用（ 1） 。
根据地址位A [ 6,2 ]中的EMRS （ 1）
“弱”或“强”终端可以选择。该
表15
参数
每个终止ODT引脚电流
符号最小值。
5
2.5
10
5
典型值。
6
3
12
6
MAX 。 UNIT
7.5
3.75
15
7.5
EMRS （ 1 ）国
每个DQ启用ODT电流
I
ODTO
ODT高;数据总线输入浮动
每个DQ主动ODT电流
ODT高;数据总线输入最坏的情况下
稳定或开关。
毫安/ DQ A6 = 0， A2 = 1
毫安/ DQ A6 = 1， A2 = 0
毫安/ DQ A6 = 0， A2 = 1
毫安/ DQ A6 = 1， A2 = 0
I
ODTT
注意：对于耗电量计算所述ODT占空比，必须考虑到
数据表
20
修订版0.6 ， 2004-06
03242004-2CBE-IJ2X
