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HYS64T[3200/6402]0[H/K/L]M–[3.7/5]–A
双倍数据速率 - 双微SDRAM -DIMM
初步
表12
参数
I
DD
规格和条件
I
DD
测量条件
1)2)
（续）
符号
I
DD6
自刷新电流
CKE
≤
0.2 V ;外部时钟关闭， CK和CK为0 V ;其他的控制和地址输入浮动，
数据总线输入浮动。 RESET =低。
I
DD6
当前值可以保证最高
T
例
85
°C
马克斯。
所有银行交错读取电流
I
DD7
所有的银行都被交错最低
t
RC
在不违反
t
RRD
使用4.控制的突发长度
和地址总线输入是在取消选择稳定。
I
OUT
= 0毫安。
1)
V
DDQ
= 1.8 V
±
0.1 V;
V
DD
= 1.8 V
±
0.1 V
2 ）有关详细信息和注意事项请参阅相关INFINEON组件数据表
表13
I
DD
规范
HYS64T32000HM-3.7-A
HYS64T32000LM-3.7-A
HYS64T32000KM-3.7-A
HYS64T64020HM-3.7-A
HYS64T64020LM-3.7-A
HYS64T64020KM-3.7-A
单位
笔记
HYS64T32000HM-5-A
HYS64T32000LM-5-A
HYS64T32000KM-5-A
HYS64T64020HM-5-A
HYS64T64020LM-5-A
HYS64T64020KM-5-A
512 MB
2点
×64
马克斯。
296
316
32
256
200
104
40
280
356
376
496
40
32
856
产品类型
组织
256 MB
1级
×64
256 MB
1级
×64
马克斯。
320
360
16
160
120
64
20
160
400
440
520
24
16
880
512 MB
2点
×64
马克斯。
336
376
32
320
240
128
40
320
416
456
536
40
32
896
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
1)2)
1)2)
1)
3)
1)
3)
1)
3)
1)
3)
1)
3)
1)
3)
1)2)
1)2)
1)2)
1)
3)
1)
3)
1)2)
符号
马克斯。
280
300
16
128
100
52
20
140
340
360
480
24
16
840
I
DD0
I
DD1
I
DD2P
I
DD2N
I
DD2Q
I
DD3P(0)
I
DD3P(1)
I
DD3N
I
DD4R
I
DD4W
I
DD5B
I
DD5D
I
DD6
I
DD7
1）从组分的数据为计算值。 ODT禁用。
I
DD1
,
I
DD4R
和
I
DD7
定义与关闭输出。
2）只有2列模块：其他排名在
I
DD2P
预充电掉电待机电流模式
3） 2列模块只：这两个队伍都是在同一个
I
DD
模式
数据表
19
修订版0.6 ， 2004-06
03242004-2CBE-IJ2X
