V826516B04S
128 MB 200 -PIN DDR SODIMM UNBUFFERED
2.5伏16M ×64
初步
CILETIV LESO M
特点
■
JEDEC 200针DDR无缓冲小外形，
双列直插式内存模块（ SODIMM ） ;
16777216 ×64位组织。
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采用高性能8M ×16 DDR
SDRAM在TSOPII -66封装
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单+ 2.5V （ ± 0.2V ）电源
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可编程CAS延迟，突发长度和
裹顺序（顺序&交错）
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自动刷新（ CBR）和自刷新
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所有输入，输出是SSTL- 2兼容
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4096刷新周期每64毫秒
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串行存在检测（ SPD ）
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DDR SDRAM性能
组件中使用
t
CK
t
AC
时钟频率
（ MAX 。 ）
时钟存取时间
CAS延时= 2.5
描述
该V826516B04S内存模块组织
16777216 ×64位200针内存模块。
在16M ×64的内存模块采用8茂矽，华智
8M ×16 DDR SDRAM 。在x64模块是理想
为高性能计算机系统中使用
其中，增加的内存密度和快速访问
时间是必需的。
-7
143
-75
133
-8
125
单位
兆赫
（ PC266A ） （ PC266B ） （ PC200 ）
7
7.5
8
ns
模块速度
A1
B0
B1
PC1600 （ 100MHz的@ CL2 ）
PC2100B （ 133MHz的@ CL2.5 ）
PC2100A （ 133MHz的@ CL2 ）
V826516B04S修订版1.3 2002年3月
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