ZXM64N02X
20V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 20V ;
DS （ ON）
=0.040; I
D
=5.4A
描述
这种新一代的Zetex的高密度的MOSFET采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，功率
管理应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
MSOP8
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
S
D
D
D
D
订购信息
设备
ZXM64N02XTA
ZXM64N02XTC
带尺寸
（英寸）
7
13
胶带宽度（mm）
12毫米浮雕
12毫米浮雕
QUANTITY
每卷
1000个单位
4000台
S
G
3
器件标识
ZXM4N02
暂定发行A - 1999年7月
121
4
顶视图
5
6 7
S
2
1
8
