ZXM64N02X
20V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 20V ;
DS （ ON）
=0.040; I
D
=5.4A
描述
这种新一代的Zetex的高密度的MOSFET采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，功率
管理应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
MSOP8
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
S
D
D
D
D
订购信息
设备
ZXM64N02XTA
ZXM64N02XTC
带尺寸
（英寸）
7
13
胶带宽度（mm）
12毫米浮雕
12毫米浮雕
QUANTITY
每卷
1000个单位
4000台
S
G
3
器件标识
ZXM4N02
第1期 - 2004年6月
1
4
顶视图
5
6 7
S
2
1
8
ZXM64N02X
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流（ V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=25°C)(b)
(V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=70°C)(b)
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
极限
20
±
12
5.4
4.3
30
2.4
30
1.1
8.8
1.8
14.4
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
70
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。参见瞬态热
阻抗曲线图。
第1期 - 2004年6月
2
ZXM64N02X
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通电阻
(1)
正向跨导（ 3 ）
动态（ 3 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关电源（2）（ 3）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V
SD
t
rr
Q
rr
23.7
13.3
0.95
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
=3.8A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
F
=3.8A,
的di / dt = 100A / μs的
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
5.7
9.6
28.3
11.6
16
3.5
5.4
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
=16V,V
GS
=4.5V,
I
D
=3.8A
（参考试验
电路）
V
DD
= 10V ，我
D
=3.8A
R
G
=6.2, R
D
=2.6
（参考试验
电路）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
1100
350
100
pF
pF
pF
V
DS
=15 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
6.1
0.7
0.040
0.050
20
1
100
V
A
nA
V
S
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
GS
=± 12V, V
DS
=0V
I
D
= 250μA ，V
DS
= V
GS
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3.8A
V
GS
= 2.7V ，我
D
=1.9A
V
DS
=10V,I
D
=1.9A
符号最小值。
典型值。
马克斯。
单位条件。
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
.
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2004年6月
4
ZXM64N02X
20V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 20V ;
DS （ ON）
=0.040; I
D
=5.4A
描述
这种新一代的Zetex的高密度的MOSFET采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，功率
管理应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
MSOP8
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
S
D
D
D
D
订购信息
设备
ZXM64N02XTA
ZXM64N02XTC
带尺寸
（英寸）
7
13
胶带宽度（mm）
12毫米浮雕
12毫米浮雕
QUANTITY
每卷
1000个单位
4000台
S
G
3
器件标识
ZXM4N02
暂定发行A - 1999年7月
121
4
顶视图
5
6 7
S
2
1
8
ZXM64N02X
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流（ V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=25°C)(b)
(V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=70°C)(b)
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
极限
20
±
12
5.4
4.3
30
2.4
30
1.1
8.8
1.8
14.4
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
70
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。参见瞬态热
阻抗曲线图。
暂定发行A - 1999年7月
122
ZXM64N02X
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通电阻
(1)
正向跨导（ 3 ）
动态（ 3 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关电源（2）（ 3）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V
SD
t
rr
Q
rr
23.7
13.3
0.95
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
=3.8A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
F
=3.8A,
的di / dt = 100A / μs的
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
5.7
9.6
28.3
11.6
16
3.5
5.4
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
=16V,V
GS
=4.5V,
I
D
=3.8A
（参考试验
电路）
V
DD
= 10V ，我
D
=3.8A
R
G
=6.2, R
D
=2.6
（参考试验
电路）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
1100
350
100
pF
pF
pF
V
DS
=15 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
6.1
0.7
0.040
0.050
20
1
100
V
A
nA
V
S
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
GS
=± 12V, V
DS
=0V
I
D
= 250μA ，V
DS
= V
GS
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3.8A
V
GS
= 2.7V ，我
D
=1.9A
V
DS
=10V,I
D
=1.9A
符号最小值。
典型值。
马克斯。
单位条件。
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
.
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
暂定发行A - 1999年7月
124
ZXRD1000系列
高效率SIMPLESYNC PWM DC- DC控制器
描述
该ZXRD1000系列提供完整的控制和
保护功能的高效率（大于95％）的DC-DC
转换器解决方案。外部MOSFET的选择让
根据应用的设计者尺寸的设备。该
ZXRD1000系列采用先进的DC -DC转换器
技术来提供同步的驱动能力，使用
创新的电路，允许容易和成本效益
通过保护实现拍摄。该
特点
＆ GT ; 95 ％的效率
固定频率（可调） PWM
电压模式，以确保卓越的稳定性和放大器;
瞬态响应
在关断模式下， 15μA的低静态电流
低电量标志
输出电压低至2.0V
过载保护
提供演示板
同步或非同步操作
成本效益的解决方案
N或P沟道MOSFET的
QSOP16包
ZXRD1000系列可以与所有N沟道使用
拓扑或组合N'放; P沟道的拓扑结构。
其它功能包括关断控制，
用户可调的低电池标志和简单的
调整固定PWM开关频率。
该控制器可提供5V或固定输出
3.3V和一个可调节的（ 2.0 12V）的输出。
固定的3.3 ， 5V和可调输出
可编程软启动
应用
高效率的5至3.3V转换器高达4A
亚笔记本电脑
嵌入式处理器供电
分布式电源
便携式仪器
本地卡转换
GPS系统
非常高的效率SimpleSync
TM
转换器。
V
CC
4.5-10V
D2
BAT54
R1
100k
关闭
9
IC1
13
V
IN
V
DRIVE
引导
2
1
ZXM64N02X
C10
1F
C11
1F
C6
1F
N1
L1
15H
R
SENSE
V
OUT
3.3V 4A
SHDN
LB
SET
C5
1F
低输入标志
0.01R
R6
10k
Cx2
0.01F
C
OUT
11磅
14
10
6
5
延迟
Decoup
V
INT
C
T
G
ND
R
SENSE +
7
R
SENSE -
8
V
FB
16
COMP
15
PWR
G
ND
3
C9
1F
RX
R2 CX1
2k7
680R 0.022μF
R4
10k
D3
BAT54
Fx
D1
C8
2.2F
ZHCS1000
R5
6k
x2
680F
120F
C
IN
68F
C1
1F
C2
330pF
1F
C4
4
1μF C3
C7
22F
N2
ZXM64N02X
R3
3k
第4期 - 2000年10月
1
ZXRD1000系列
绝对最大额定值
输入无自举（P后缀）
输入与引导（N后缀）
自举电压
20V
关断引脚
V
IN
LB
SET
针
V
IN
20V
10V
R
SENSE
+, R
SENSE -
功耗
工作温度
储存温度
V
IN
610mW （注4 ）
-40至+ 85°C
-55到+ 125°C
电气特性
测试条件（除非另有说明）T
AMB
=25°C
符号
V
IN（分钟）
V
FB
（注1 ）
参数
分钟。工作电压
反馈电压
条件
无输出设备
V
IN
=5V,I
FB
=1mA
4.5<V
IN
<18V
门输出驱动能力
C
G
= 2200pF （注2）
C
G
=1000pF
V
IN
= 4.5V至maximim
供应（注3）
V
IN
=5V
V
SHDN
= 0V;V
IN
=5V
50
50
200
±25
N沟道
P沟道
-40至+ 85°C
-40至+ 85°C
低电平有效
10
-40至+ 85°C
低（关）
高（上）
1.5
10
2
1.5
0.2
20
15
0
50
V
IN
V
IN
0.4
50
2
0.25
94
100
%
%
%
mV
V
V
V
mV
mA
V
V
A
民
4.5
1.215
1.213
1.24
1.24
1.24
60
35
1.265
1.267
1.265
典型值
最大
单位
V
V
V
V
ns
ns
50A<I
FB
<1mA,V
IN
=5V 1.215
T
DRIVE
I
CC
f
OSC
（注5 ）
f
OSC （ TOL ）
DC
最大
电源电流
关断电流
16
15
20
50
300
mA
A
千赫
工作频率范围
与定时电容频率C3 = 1300pF
C
3
=330pF
振荡器托尔。
最大占空比
R
SENSE
电压差动
电池电量不足标志设置电压
电池电量不足标志输出
电池电量不足标志迟滞
电池低电量标志灌电流
关断阈值电压
关断引脚源电流
V
RSENSE
LBF
SET
LBF
OUT
LBF
HYST
LBF
SINK
V
SHDN
I
SHDN
V
CMRSENSE
V共模范围
RSENSE
注1： V
FB
具有固定和可调控制器选项之间的不同功能。
注2： 2200pF是建议的最大栅极电容。
注3.最大供应P相控制器为18V ，最大电源N个相位控制器为10V 。
注4：见V
IN
降额曲线图中的典型特征。
注5：在这个应用程序中的最大频率为300kHz 。对于更高的工作频率接触捷特科
应用部门。
2
第4期 - 2000年10月
ZXRD1000系列
详细说明
该ZXRD1000系列可以被配置为使用任一
N或P沟道MOSFET ，以满足大多数应用。
最流行的格式，一个一个LL N沟道
同步解给出了最佳效率。一
该ZXRD1000系列解决方案的特点是独特的
产生的同步驱动的方法，称为
SimpleSync 。大多数解决方案使用一个额外的
从控制器输出端，反相和从延迟
主开关驱动器。该ZXRD1000系列解决方案
使用在主扼流简单过卷绕（卷绕
相同的核心，在没有真正的成本损失），加上一个小
铁氧体磁珠。这意味着，同步FET是
只有当主用FET关断增强。这
减少了所需的拍摄开启了“空白期”
通过保护，提高效率和使
要使用更小的钳位二极管，使得所述控制器
更简单，成本更低，避免复杂的定时
电路。器件内部包含许多功能
允许灵活性，以满足大多数应用。标称
开关频率（ 200kHz的）可通过调节
简单的定时电容， C3 。低电压检测电路
还提供。现成的组件可用
从各大厂商如墨田区提供
任一个单绕组电感器用于非同步
应用程序或一个线圈与一个过绕组
同步应用。这些组合
切换特性，创新电路设计和
优秀的用户灵活性，使ZXRD1000系列
DC-DC解决方案的一些最小，最具成本
有效和高效的电当前可用。
采用Zetex公司的HDMOS低R
DS （ ON）
设备， ZXM64N02X
对于主同步开关，效率
峰在高达95％，并且保持高的在宽范围内
的工作电流。可编程软启动，也可
经由电容C7的补偿回路调节。
该系统不仅能破坏的MOSFET ，同时也
电池本身。为了实现正确的“死区时间”
实施需要复杂的电路，因此
意味着额外的成本。
Zetex的方法
Zetex公司采取了不同的方法来解决这些
问题。通过看的基本结构
同步转换器，采用了一种新颖的方法
主电路电感器的开发。通过采取
在输入端发现主逆波形
INDUC到rofanon - SY CH ronous等等，鲁提
同步驱动波形可以产生即
总是相对于主驱动波形和
反转一个小的延迟。该波形可
用于驱动同步开关，这意味着没有
复杂的电路在IC需要被用于允许
击穿保护。
履行
实现很容易，成本低。它只是
意剥离主电感器的一个链
绕组和分离，以形成一个连接的第二
绕组。这些都可以作为标准件
在应用电路部分list.The使用简称
小，表面贴装，廉价的“方形环”
铁氧体磁珠提供了一个极好的方法
消除直通由于变化门
阈值。胎圈基本上充当高
我熔点ê达 CE FO r是少数呐N 2 O塞科次看得太
直通通常会发生的。它非常饱和
快速的MOSFET的实现稳态运行，
减少磁珠的阻抗几乎为零。
好处
最终结果是一个创新的解决方案，使
ADDI TI onalbene网络TS WH金正日ST罗，我们在戈夫RA LL
实施成本。它也是一种技术，它可以
被简单地省略，以使非同步
控制器，从而进一步节约成本，以少数人的牺牲
效率点。
什么是SimpleSync
TM
?
传统的方法
在传统的方法来同步
直流 - 直流溶液，多小心，要采取与
定时的主同步之间的约束
开关器件。不仅是这取决于
单个MOSFET栅极阈值（从变化
设备到设备的数据手册和限制范围内多
温度） ，但它也是某种程度上取决于
磁性元件，布局和其他寄生效应。这通常
也就是说显著“死区时间” ，必须分解
在向主同步之间的设计
器件被关断和上分别。
不正确的应用程序的死区时间约束可以
可能导致灾难性的短路条件
V之间
IN
和G
ND
。对于一些电池供电
第4期 - 2000年10月
5
QQ：2881677436 复制
