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MBM29PL64LM
90/10
（续）
标准MBM29PL64LM提供的90纳秒的存取时间，对高速微处理器允许操作
无需等待。为了消除总线争用的设备有独立的芯片使能（ CE ） ，写使能（ WE） ，
和输出使能（OE ）控制。
该MBM29PL64LM支持命令集与JEDEC单电源EEPROMS标准兼容。
命令被写入命令寄存器。该寄存器的内容作为输入到内部语句
机，它控制了擦除和编程电路。写周期内部也锁存地址和
所需的编程数据和擦除操作。读出数据的装置的类似于读
从5.0 V至12.0 V Flash或EPROM器件。
该MBM29PL64LM通过执行程序命令序列编程。这将调用的EM
层状的程序算法
TM
这是一个内部算法，可以自动次编程脉冲宽度
并验证正确的电池余量。擦除是通过执行擦除命令序列来实现。这将
调用嵌入式擦除算法
TM
这是一个内部算法，可以自动preprograms阵列
如果它尚未被执行擦除操作之前编程。在擦除，设备会自动
次擦除脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程，而不会影响其他部门。出厂时，所有部门都被删除。
该器件具有用于读取和写入功能单一的3.0 V电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测
7
,
通过对DQ的触发位功能
6
。一旦一个程序或擦除周期结束时已经完成，该装置
在内部返回到读模式。
富士通闪存技术结合多年的闪存制造经验，生产的最高
质量，可靠性和成本效益的水平。该设备一个行业内的电擦除所有位simulta-
通过热孔辅助擦除neously 。这句话被编程一个字时使用的EPROM编程
热电子注入铭机制。
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