富士通半导体
数据表
DS05-20902-1E
FL灰内存
CMOS
64 M (8M
×
8/4M
×
16 ）位
MirrorFlash
TM
*
MBM29PL64LM
90/10
s
描述
该MBM29PL64LM是64M比特，组织为8M 3.0 V-只有闪存字节由8位或4M字×16
位。该MBM29PL64LM在48针， 58针TSOP （ 1 ）和80球FBGA封装提供。该装置被设计成
在系统编程与标准3.0 V V
CC
供应量。 12.0 V V
PP
和5.0 V V
CC
不需要为写
或擦除操作。该设备还可以重新编程，在标准EPROM编程器。
（续）
s
产品阵容
产品型号
V
CC
最大地址访问时间
最大CE访问时间
最大页面读取时间
MBM29PL64LM
90
3.0 V至3.6 V
90纳秒
90纳秒
25纳秒
10
3.0 V至3.6 V
100纳秒
100纳秒
30纳秒
s
套餐
48引脚塑料TSOP （ 1 ）
56引脚塑料TSOP （ 1 ）
80球FBGA封装胶
(FPT-48P-M19)
* :
MirrorFlash
TM
是富士通株式会社的商标。
(FPT-56P-M01)
(BGA-80P-M01)
记
s
:
在编程模式下字节
(
×
8
）是禁止的。
禁止编程地址已经包含数据
.
（它是强制性的，以清除至overprogram上相同的地址之前的数据）。
