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ST72324J/K
4闪存程序存储器
4.1简介
在ST7双电压的高密度闪存
（ HDFlash ）是一种非易失性存储器，可以是
作为一个单一的块或individu-电擦除
人的部门和程序上逐字节钡
SIS使用外部V
PP
供应量。
该HDFlash设备可以被编程和
删除板外（插入编程工具）
或车载使用ICP （在电路编程）或
IAP （在应用中编程） 。
该阵列矩阵式组织使每个部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他行业。
4.2主要特点
s
根据在总的闪存存储器大小
微控制器的设备，有最多三个用户
部门（见
表3）。
每个部门都可以
可以独立地被擦除，以避免不必要的
只有当整个闪速存储器的擦除一
部分删除是必需的。
前两个行业有4字节的固定大小的
（见
图6）。
它们被映射到上部
因此，复位和ST7的寻址空间
中断矢量位于扇区0 （ F000h-
FFFFH） 。
表3.部门在闪存设备可用
闪存大小（字节）
4K
8K
> 8K
可用扇区
扇区0
行业0,1
扇区0,1,2
s
s
s
三种闪存编程模式：
- 插入一个编程工具。在这种模式下，
所有部门，包括选项字节可以亲
编程或擦除。
- ICP （在电路编程） 。在这种模式下，所有
部门，包括选项字节可以亲
编程或擦除的不除去DE-
副的应用电路板。
- IAP （在应用中编程）在本
模式，除了扇区0各界人士，可以亲
编程或擦除的不除去DE-
从应用板，虽然副
应用程序正在运行。
ICT （在线测试）下载和
执行用户应用测试模式的RAM
读出的保护，打击盗版
注册访问安全性系统（ RASS ）到
防止意外编程或擦除
4.3.1读出保护
读出保护功能，选择的时候，使得它im-
能够提取从所述存储器内容
微控制器，从而防止盗版。即使ST
无法访问该用户的代码。
在闪存设备，这种保护是通过重新删除
编程的选项。在这种情况下，整个
程序存储器自动擦除。
读出保护的选择取决于DE-
副类型：
- 在Flash的设备已启用和删除
通过选项字节的FMP_R位。
- 在ROM设备是通过掩膜选项启用
在选项列表中指定。
4.3结构
Flash存储器被组织部门和罐
同时用于代码和数据的存储。
图6.存储器映射和扇区地址
4K
1000h
3FFFh
7FFFh
9FFFh
BFFFH
D7FFh
DFFFH
EFFFH
FFFFH
8K
10K
16K
24K
32K
48K
60K
FL灰
内存大小
2区
2字节
8字节
16字节24字节40字节52字节
4字节
4字节
部门1
扇区0
16/156
