HiPerFET
TM
功率MOSFET
单个MOSFET模
初步数据
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
D（ RMS）
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）
安装力矩
TO-264
PLUS 247
TO-264
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25 ° C（ MOSFET芯片的能力）
外部导线（限流）
T
C
= 25 ° C，注1
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25°C
IXFK 180N10
IXFX 180N10
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
= 100 V
= 180 A
=
8 m
t
rr
≤
250纳秒
最大额定值
100
100
±20
±30
180
76
720
180
60
3
5
560
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
0.9/6
V
V
V
V
A
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
6
10
g
g
PLUS 247
TM
（ IXFX ）
G
D（ TAB ）
D
S
TO- 264 AA （ IXFK ）
G
D
S
（ TAB ）
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
特点
l
国际标准封装
l
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
l
坚固的多晶硅栅单元结构
l
非钳位感应开关（ UIS）
评级
l
低封装电感
- 易于驾驶和保护
l
快速内在整流器
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
100
2.0
V
4.0 V
±100
nA
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
100
A
2毫安
8 m
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
注1
应用
l
DC- DC转换器
l
电池充电器
l
开关模式和谐振模
电源
l
直流斩波器
l
交流电动机的控制
l
温度和照明控制
优势
l
PLUS 247
TM
包夹子或弹簧
MOUNTING
l
节省空间
l
高功率密度
版权所有1999 IXYS所有权利。
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