IXFK 180N10
IXFX 180N10
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
注2
60
90
9400
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
3200
1660
50
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
（外部）
90
140
65
400
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
65
220
0.22
0.15
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
DIM 。
终端：
1 - GATE
2 - 漏极（集电极）
3 - 源（发射极）
4 - 漏极（集电极）
PLUS 247
TM
概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 60A
毫米
分钟。
马克斯。
4.83
2.29
1.91
1.14
1.91
2.92
0.61
20.80
15.75
5.45
19.81
3.81
5.59
4.32
5.21
2.54
2.16
1.40
2.13
3.12
0.80
21.34
16.13
BSC
20.32
4.32
6.20
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
I
F
= 100A ，V
GS
= 0 V ，注1
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
180
720
1.5
250
A
A
V
ns
C
A
TO- 264 AA大纲
I
F
= 50A ， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
1.1
13
DIM 。
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
5.13
2.54
2.89
2.00
2.10
1.12
1.42
2.39
2.69
2.90
3.09
0.53
0.83
25.91
26.16
19.81
19.96
5.46 BSC
0.00
0.25
0.00
0.25
20.32
20.83
2.29
2.59
3.17
3.66
6.07
6.27
8.38
8.69
3.81
4.32
1.78
2.29
6.04
6.30
1.57
1.83
分钟。
英寸
马克斯。
注：1，脉冲宽度限制T
JM
2.脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXFK 180N10
IXFX 180N10
图7.栅极电荷
15
12
V
DS
=50V
Vds=300V
II
D
=90A
D
=30A
II
G
=10mA
G
=10mA
图8.电容曲线
10000
西塞
9
6
3
0
0
50
100 150 200 250 300 350 400
电容 - pF的
F = 100KHz的
科斯
V
GS
- 伏特
CRSS
1000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
栅极电荷 - 数控
V
DS
- 伏特
本征二极管图9.正向电压降
200
175
V
GS
= 0V
图10.正向偏置安全工作区
200
100
1毫秒
150
I
D
- 安培
I
D
- 安培
125
100
T
J
=125
O
C
10毫秒
10
T
C
= 25
O
C
DC
75
T
J
=25
O
C
50
25
0
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1
10
100
V
SD
- 伏特
V
DS
- 伏特
图11.瞬态热阻
0.40
0.20
R（日）
JC
- K / W
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.01
10
-3
R
i
:
0.02
0.046
0.154
τ
ι
:
R（日）
JC
=
Σ
R
i
{1-exp(-t/τ
i
)}
i=1
3
0.007
0.01
0.25
10
-2
10
-1
10
0
10
1
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
脉冲宽度 - 秒
IXFK 180N10
IXFX 180N10
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
注2
60
90
9100
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
3200
1660
50
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
W
（外部）
90
140
65
360
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
65
190
0.22
0.15
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
A
4.83
5.21
A
1
2.29
2.54
A
2
1.91
2.16
b
1.14
1.40
1.91
2.13
b
1
b
2
2.92
3.12
C
0.61
0.80
D 20.80 21.34
E
15.75 16.13
e
5.45 BSC
L
19.81 20.32
L1
3.81
4.32
Q
5.59
6.20
R
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
PLUS247
TM
（ IXFX ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 60A
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
I
F
= 100A ，V
GS
= 0 V ，注1
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
180
720
1.5
250
A
A
V
ns
mC
A
TO- 264 AA （ IXFK ）大纲
I
F
= 50A ， -di / DT = 100 A / MS ，V
R
= 50 V
1.1
13
注：1，脉冲宽度限制T
JM
2.脉冲检验，t
300
女士，
占空比
2 %
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
BSC
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
IXFK 180N10
IXFX 180N10
图7.栅极电荷
15
12
V
DS
=50V
I
D
=90A
I
G
=10mA
图8.电容曲线
10000
西塞
9
6
3
0
0
50
100 150 200 250 300 350 400
电容 - pF的
F = 100KHz的
科斯
V
GS
- 伏特
CRSS
1000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
栅极电荷 - 数控
V
DS
- 伏特
本征二极管图9.正向电压降
200
175
V
GS
= 0V
图10.正向偏置安全工作区
200
100
1毫秒
150
I
D
- 安培
I
D
- 安培
125
100
T
J
=125
O
C
10毫秒
10
T
C
= 25
O
C
DC
75
T
J
=25
O
C
50
25
0
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1
10
100
V
SD
- 伏特
V
DS
- 伏特
图11.瞬态热阻
0.40
0.20
R（日）
JC
- K / W
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.01
10
-3
R
i
:
0.02
0.046
0.154
t
i
:
R（日）
JC
=
S
R
i
{1-exp(-t/t
i
)}
i=1
3
0.007
0.01
0.25
10
-2
10
-1
10
0
10
1
脉冲宽度 - 秒
版权所有2000 IXYS所有权利。
4-4
QQ：2880707522 复制
