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A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
节能模式（对于16M的页面模式， 32M和64M专用）
有多个功率节省模式。
部分阵列自刷新
温度补偿刷新（ 64M ）
深度休眠模式
降低内存大小（ 32M ， 16M ）
省电模式的操作由INS位的设置控制
包含在模式寄存器。模式寄存器这个定义显示在
图93和各个位用于启用和禁用各种低
功率模式以及使页面模式操作。该模式寄存器设置
通过使用图XXX定义的定时。
部分阵列自刷新（ PAR）的
在这种操作模式中，内部刷新操作可以被限制为一
数组的16MB， 32MB， 48MB或部分。该阵列分区被刷新为
通过模式寄存器的相应位的设置决定。寄存器设定
Tings的为PASR操作在表XXX中定义。在此PASR模式中，当
ZZ ＃是低电平有效的，即在寄存器中设置所述阵列的只有一部分是再
被刷新。在该阵列的剩余部分中的数据将会丢失。该PASR操作
模式仅在待机时间（ ZZ ＃低）可用，一旦ZZ ＃返回
高，设备恢复全阵列刷新。所有未来的PASR周期将使用
模式寄存器已被预先设定的内容。要改变这种吸附
该PASR模式的装扮空间，模式寄存器必须复位使用
先前定义的过程。为PASR被激活时，寄存器位， A4Must
被设置为一（1）的值， “ PASR启用” 。如果是这种情况， PASR将爱科特
氧基团10微秒后， ZZ ＃被拉低。如果A4的寄存器位被设置等于零
（0）， PASR将不会被激活。
温度补偿刷新（为64兆）
在这种操作模式下，所述内部刷新速率可以了选购进行优化
使用温度关合作，这可以再低待机电流。在DRAM
阵列中的PSRAM中，必须在内部刷新定期。在高
的温度下，将DRAM单元必须更频繁地刷新比在较低的温
peratures 。通过模式寄存器设置操作的温度，这
刷新速率可被优化，以产生最小的待机电流，在给定的OP-
展业务的温度。有四个不同的温度设定值，可以是
在向PSRAM编程。这些都在图93中定义。
深度休眠模式
在这种操作模式下，所述内部刷新是关闭的，所有的数据完整性
阵列的丢失。深度睡眠是使ZZ ＃低配A4稳压进入
存器位设置为零（0）， “深度睡眠启用” 。如果是这样的话，深度睡眠
将进入10微秒后， ZZ ＃被拉低。该装置将保持在该模式
只要ZZ ＃仍然很低。如果A4的寄存器位被设置为等于一（1） ，深
睡眠不会被激活。
降低内存大小（对于32M和16M ）
在这种操作模式下， 32Mb的PSRAM中可以作为8Mb的或16Mb的操作
装置。该模式和数组的大小是由VA寄存器的设置决定。
VA模式寄存器根据以下的定时与在该位设置中设置
表中的“地址模式的RMS ” 。在RMS模式在ZZ的时候启用
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PSRAM类型1
2004年pSRAM_Type01_12_A0 6月8日，
