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A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
页模式
性能等级
密度
3 VOLT
符号
TWC
TCW
TAS
TAW
TBW
TWP
参数
写周期时间
片选结束
写
地址设置
时间
地址有效到
写结束
UB ＃ ， LB ＃有效
写的结束
把脉冲宽度
写恢复
时间
写输出
高-Z
数据写
时间重叠
从数据保持
发表时间
到底写
输出低Z
写高脉冲
宽度
20
0
5
7.5
ns
民
70
60
0
60
60
50
0
5
20k
-70
64MB PSRAM
最大
20k
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写
tWR的
tWHZ
TDW
TDH
拖车
拖车
TPC
页读周期
页面地址
存取时间
页写周期
芯片选择高
脉冲宽度
20
20k
20
ns
ns
ns
ns
其他
TPA
twpc
TCP
20
10
20k
时序图
读周期
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据输出
以前的数据有效
数据有效
图87 。
2004年6月8日pSRAM_Type01_12_A0
CE的读周期（定时＃ = OE ＃ = V
IL
， WE＃ = ZZ ＃ = V
IH
)
PSRAM类型1
183
