ISL84780
典型性能曲线
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
（续）
归一化增益（分贝）
-10
V+ = 3V
0
-20
串扰（ dB）的
收益
V+ = 3V
-20
-30
-40
-50
-60
隔离
-70
-80
-90
-100
-110
1k
10k
100k
1M
10M
频率（Hz）
相声
70
80
90
100
110
100M 500M
20
30
断隔离度（dB ）
40
50
60
10
20
40
60
80
R
L
= 50
V
IN
= 0.2V
P-P
至2V
P-P
1
10
100
频率（MHz）
100
600
图15.频率响应
1.5
1.4
1.3
1.2
V
INH
和V
INL
(V)
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
1
1.5
2
2.5
V+ (V)
3
3.5
4
4.5
V
INL
V
INH
相位（度）
相
0
图16.串扰和关断隔离
模具特点
衬底电位（电） ：
GND （ QFN桨连接：接地或浮动）
晶体管数量：
228
过程：
姒尜特CMOS
图17.数字交换点与电源电压
9
FN6099.1
2004年12月27日
