TPIC44H01
4通道串行和并行高端前置FET驱动器
SLIS088 - 1998年9月
操作原理
栅极驱动操作
该TPIC44H01使用2 - mA的源/汇的方法对外部FET的栅极驱动。该栅极驱动方法的限制
来自供给泵，这样，当一个信道被短接至地，该装置将保持电流消耗
足够的栅极驱动器的剩余的三个频道。这样做的好处可以添加外部米勒用户
与FET的漏极和栅极管脚电容，以减少压摆率最小化电磁辐射（见
图9）。
为了防止从V接通时，外部FET
CC
没有施加到所述TPIC44H01 ，内部
从V稳压电源
（压水堆）
提供电压到栅驱动器的输入控制电路。这使得器件
在切换V至使用
CC
而不输出之一的关注应用V接通时
CC
是低的。
内部齐纳钳位（ 15 V - 17 V） ，从SRCx到GATEx保护外部FET过度V
GS
电压。在关闭感性负载时，反激式事件，二极管从GATEx接地保护
在TPIC44H01和过度紧张外部FET 。在SRCx回扫期间的电压是V
（GND）的
– V
(F)
– V
GS
其中V
（GND）的
是接地电位，V
(F)
是内部二极管的正向电压降从GATEx到
地面和V
GS
是从栅极的电压降对外部FET的源极。
CP
0.01
F
保护地
CP1
CP2
CS
0.1
F
V（ CP ）
VREG
V（ PWR ）
收费
泵
HS门
2毫安
DRIVE
HV
电平转换
GATEx
5 -V诠释
门
控制
LS
逻辑
2毫安
通道x
产量
SRCx
C（米勒）
+
100
负载
图9.栅极驱动器框图
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