飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
PDTC143ZK
手册， halfpage
10
3
MGM924
手册， halfpage
(1)
(2)
10
3
MGM923
的hFE
VCEsat晶体管
（毫伏）
10
2
(3)
10
2
(1)
(2)
(3)
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
10
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
Fig.3
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
手册， halfpage
10
MGM926
10
2
手册， halfpage
第六章（上）
MGM925
六（关闭）
(V)
(V)
10
1
(1)
(2)
(3)
1
(1)
(2)
(3)
10
1
10
2
10
1
1
IC （MA ）
10
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
V
CE
= 0.3 V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
Fig.5
输入截止电压作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.6
输入导通电压作为集电体的功能
电流;典型值。
1999年5月21日
4
