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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第744页 > PDTC143ZK
分立半导体
数据表
书， halfpage
M3D114
PDTC143ZK
NPN电阻配备晶体管
产品speci fi cation
取代1998年的5月19日的数据
1999年5月21日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
特点
内置偏置电阻R1和R2 （典型值4.7和47千欧
分别）
电路设计的简化
减少了元件和电路板空间的数量。
1
3
PDTC143ZK
3
R1
应用
特别适用于在界面的空间减少和
驱动电路
无需使用外部逆变电路配置
电阻器。
描述
在SC- 59 NPN电阻配备晶体管（ SOT346 ）
塑料封装。 PNP补充： PDTA143ZK 。
钉扎
针
1
2
3
记号
类型编号
PDTC143ZK
标识代码
18
底座/输入
发射器/接地
集电极/输出
MGA893 - 1
1
顶视图
2
MAM284
R2
2
Fig.1
简化外形（ SC- 59 ; SOT346 ）和
符号。
描述
1
2
3
图2等效逆变器符号。
1999年5月21日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V;
F = 1 MHz的
条件
I
E
= 0; V
CB
= 50 V
I
B
= 0; V
CE
= 30 V
I
B
= 0; V
CE
= 30 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 5毫安;我
B
= 0.25毫安
I
C
= 100
A;
V
CE
= 5 V
I
C
= 5毫安; V
CE
= 0.3 V
分钟。
100
1.3
3.3
8
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
65
65
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
PDTC143ZK
马克斯。
50
50
10
+30
5
100
100
250
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mW
°C
°C
°C
价值
500
单位
K / W
典型值。
0.6
0.9
4.7
10
马克斯。
100
1
50
170
100
0.5
6.1
12
2.5
单位
nA
A
A
A
mV
V
V
k
pF
1999年5月21日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
PDTC143ZK
手册， halfpage
10
3
MGM924
手册， halfpage
(1)
(2)
10
3
MGM923
的hFE
VCEsat晶体管
（毫伏）
10
2
(3)
10
2
(1)
(2)
(3)
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
10
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
Fig.3
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
手册， halfpage
10
MGM926
10
2
手册， halfpage
第六章（上）
MGM925
六（关闭）
(V)
(V)
10
1
(1)
(2)
(3)
1
(1)
(2)
(3)
10
1
10
2
10
1
1
IC （MA ）
10
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
V
CE
= 0.3 V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
Fig.5
输入截止电压作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.6
输入导通电压作为集电体的功能
电流;典型值。
1999年5月21日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
PDTC143ZK
SOT346
E
D
B
A
X
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
1
e1
e
bp
2
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.3
1.0
A
1
0.1
0.013
b
p
0.50
0.35
c
0.26
0.10
D
3.1
2.7
E
1.7
1.3
e
1.9
e
1
0.95
H
E
3.0
2.5
L
p
0.6
0.2
Q
0.33
0.23
v
0.2
w
0.2
概要
VERSION
SOT346
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-236
EIAJ
SC-59
欧洲
投影
发行日期
98-07-17
1999年5月21日
5
分立半导体
数据表
书， halfpage
M3D114
PDTC143ZK
NPN电阻配备晶体管
产品speci fi cation
取代1998年的5月19日的数据
1999年5月21日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
特点
内置偏置电阻R1和R2 （典型值4.7和47千欧
分别）
电路设计的简化
减少了元件和电路板空间的数量。
1
3
PDTC143ZK
3
R1
应用
特别适用于在界面的空间减少和
驱动电路
无需使用外部逆变电路配置
电阻器。
描述
在SC- 59 NPN电阻配备晶体管（ SOT346 ）
塑料封装。 PNP补充： PDTA143ZK 。
钉扎
针
1
2
3
记号
类型编号
PDTC143ZK
标识代码
18
底座/输入
发射器/接地
集电极/输出
MGA893 - 1
1
顶视图
2
MAM284
R2
2
Fig.1
简化外形（ SC- 59 ; SOT346 ）和
符号。
描述
1
2
3
图2等效逆变器符号。
1999年5月21日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V;
F = 1 MHz的
条件
I
E
= 0; V
CB
= 50 V
I
B
= 0; V
CE
= 30 V
I
B
= 0; V
CE
= 30 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V
I
C
= 5毫安;我
B
= 0.25毫安
I
C
= 100
A;
V
CE
= 5 V
I
C
= 5毫安; V
CE
= 0.3 V
分钟。
100
1.3
3.3
8
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
65
65
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
PDTC143ZK
马克斯。
50
50
10
+30
5
100
100
250
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mW
°C
°C
°C
价值
500
单位
K / W
典型值。
0.6
0.9
4.7
10
马克斯。
100
1
50
170
100
0.5
6.1
12
2.5
单位
nA
A
A
A
mV
V
V
k
pF
1999年5月21日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
PDTC143ZK
手册， halfpage
10
3
MGM924
手册， halfpage
(1)
(2)
10
3
MGM923
的hFE
VCEsat晶体管
（毫伏）
10
2
(3)
10
2
(1)
(2)
(3)
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
10
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
Fig.3
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
手册， halfpage
10
MGM926
10
2
手册， halfpage
第六章（上）
MGM925
六（关闭）
(V)
(V)
10
1
(1)
(2)
(3)
1
(1)
(2)
(3)
10
1
10
2
10
1
1
IC （MA ）
10
10
1
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
V
CE
= 0.3 V.
(1) T
AMB
=
40 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 100
°C.
Fig.5
输入截止电压作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.6
输入导通电压作为集电体的功能
电流;典型值。
1999年5月21日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
PDTC143ZK
SOT346
E
D
B
A
X
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
1
e1
e
bp
2
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.3
1.0
A
1
0.1
0.013
b
p
0.50
0.35
c
0.26
0.10
D
3.1
2.7
E
1.7
1.3
e
1.9
e
1
0.95
H
E
3.0
2.5
L
p
0.6
0.2
Q
0.33
0.23
v
0.2
w
0.2
概要
VERSION
SOT346
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-236
EIAJ
SC-59
欧洲
投影
发行日期
98-07-17
1999年5月21日
5
分立半导体
数据表
PDTC143Z系列
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 = 47 kΩ的
产品speci fi cation
取代2004年的数据4月6日
2004年8月16日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 = 47 kΩ的
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTC143Z系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
4.7
47
马克斯。
50
100
单位
V
mA
k
k
NPN电阻配备晶体管（参见“简体外形，
符号和牵制“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PDTC143ZE
PDTC143ZEF
PDTC143ZK
PDTC143ZM
PDTC143ZS
PDTC143ZT
PDTC143ZU
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
38
53
18
E3
TC143Z
*18
(1)
*54
(1)
PDTA143ZE
PDTA143ZEF
PDTA143ZK
PDTA143ZM
PDTA143ZS
PDTA143ZT
PDTA143ZU
标识代码
PNP补充
2004年8月16日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 = 47 kΩ的
简化外形，象征与钉扎
PDTC143Z系列
钉扎
类型编号
PDTC143ZS
手册， halfpage
简化的外形和符号
针
1
2
2
R1
1
R2
3
MAM364
描述
BASE
集热器
辐射源
1
2
3
3
PDTC143ZE
PDTC143ZEF
PDTC143ZK
PDTC143ZT
PDTC143ZU
1
顶视图
2
MDB269
1
2
手册， halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
R2
3
3
2
PDTC143ZM
手册， halfpage
1
2
3
R1
1
3
1
底部视图
MHC506
BASE
辐射源
集热器
3
2
R2
2
2004年8月16日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 = 47 kΩ的
订购信息
包
类型编号
名字
PDTC143ZE
PDTC143ZEF
PDTC143ZK
PDTC143ZM
PDTC143ZS
PDTC143ZT
PDTC143ZU
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
PDTC143Z系列
VERSION
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
无铅超小型塑料封装; 3焊区;体
1.0
×
0.6
×
0.5 mm
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT883
SOT416
SOT490
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
储存温度
结温
工作环境
温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注意到图2和3
注1
注1和2
65
65
500
250
250
200
250
150
250
+150
150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
+30
5
100
100
V
V
mA
mA
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
50
50
10
马克斯。
V
V
V
单位
2004年8月16日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 = 47 kΩ的
热特性
符号
R
号（j -a）的
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT883
SOT416
SOT490
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0 ; V
CB
= 10 V;
F = 1 MHz的
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 ;吨
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10毫安
I
C
= 5毫安;我
B
= 0.25毫安
I
C
= 100
A;
V
CE
= 5 V
I
C
= 5毫安; V
CE
= 0.3 V
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注意到图2和3
注1
注1和2
PDTC143Z系列
价值
250
500
500
625
500
833
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
分钟。
100
1.3
3.3
8
典型值。
0.6
0.9
4.7
10
马克斯。
100
1
50
170
100
0.5
6.1
12
2.5
单位
nA
A
A
A
mV
V
V
k
pF
2004年8月16日
5
分立半导体
数据表
PDTC143Z系列
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 = 47 kΩ的
产品数据表
取代2004年的数据4月6日
2004年8月16日
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 = 47 kΩ的
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTC143Z系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
4.7
47
马克斯。
50
100
单位
V
mA
kΩ
kΩ
NPN电阻配备晶体管（参见“简体外形，
符号和牵制“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PDTC143ZE
PDTC143ZEF
PDTC143ZK
PDTC143ZM
PDTC143ZS
PDTC143ZT
PDTC143ZU
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
38
53
18
E3
TC143Z
*18
(1)
*54
(1)
PDTA143ZE
PDTA143ZEF
PDTA143ZK
PDTA143ZM
PDTA143ZS
PDTA143ZT
PDTA143ZU
标识代码
PNP补充
2004年8月16日
2
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 = 47 kΩ的
简化外形，象征与钉扎
PDTC143Z系列
钉扎
类型编号
PDTC143ZS
手册， halfpage
简化的外形和符号
针
1
2
2
R1
1
R2
3
MAM364
描述
BASE
集热器
辐射源
1
2
3
3
PDTC143ZE
PDTC143ZEF
PDTC143ZK
PDTC143ZT
PDTC143ZU
1
顶视图
2
MDB269
1
2
手册， halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
R2
3
3
2
PDTC143ZM
手册， halfpage
1
2
3
R1
1
3
1
底部视图
MHC506
BASE
辐射源
集热器
3
2
R2
2
2004年8月16日
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 = 47 kΩ的
订购信息
包
类型编号
名字
PDTC143ZE
PDTC143ZEF
PDTC143ZK
PDTC143ZM
PDTC143ZS
PDTC143ZT
PDTC143ZU
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
PDTC143Z系列
VERSION
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
无铅超小型塑料封装; 3焊区;体
1.0
×
0.6
×
0.5 mm
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT883
SOT416
SOT490
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
储存温度
结温
工作环境
温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注意到图2和3
注1
注1和2
65
65
500
250
250
200
250
150
250
+150
150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
+30
5
100
100
V
V
mA
mA
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
50
50
10
马克斯。
V
V
V
单位
2004年8月16日
4
恩智浦半导体
产品数据表
NPN电阻配备晶体管;
R1 = 4.7千欧， R2 = 47 kΩ的
热特性
符号
R
号（j -a）的
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT883
SOT416
SOT490
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0 ; V
CB
= 10 V;
F = 1 MHz的
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 ;吨
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10毫安
I
C
= 100
μA;
V
CE
= 5 V
I
C
= 5毫安; V
CE
= 0.3 V
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注意到图2和3
注1
注1和2
PDTC143Z系列
价值
250
500
500
625
500
833
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
分钟。
100
1.3
3.3
8
典型值。
0.6
0.9
4.7
10
马克斯。
100
1
50
170
100
0.5
6.1
12
2.5
单位
nA
μA
μA
μA
mV
V
V
kΩ
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 5毫安;我
B
= 0.25毫安
pF
2004年8月16日
5
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PG1469
PJ-A3679-150.0
PSD301R-A-25J
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