位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1453页 > AM29BDS640GBD3WSI > AM29BDS640GBD3WSI PDF资料 > AM29BDS640GBD3WSI PDF资料1第14页
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
命令或数据。在异步写入
操作中，系统必须驱动CE＃ ， WE＃和CLK
到V
IL
和OE ＃到V
IH
提供地址时，COM的
命令和数据。异步和同步
编程操作是独立设置的设备
在突发模式配置稳压阅读模式位
存器。
该器件具有一个解锁绕道模式设施
射孔更快的编程。一旦设备进入
解锁旁路模式，只有两个写周期
编程而不是四个单词，必需的。
擦除操作可以擦除一个扇区，多节
器，或整个设备。
表8 ， “可编程等待
国家设置“，第23页
表示该地址
空间的每个扇区占据了。设备地址
空间被分成四组：银行B和C包含
只有32千字行业，而银行A和D包含
除了32千字节双方8千字引导扇区
器。 “银行地址”是必须的地址位
唯一选择一家银行。类似地，一个“扇区地址”是
所需的地址位来唯一地选择一个扇区。
I
CC2
在DC特性表代表
有功电流规格为写入模式。交流
特色部分包含时序规格
表和时序图，用于写操作。
加快程序运行
该器件提供加速方案业务
通过ACC功能。 ACC的主要目的是
允许更快的生产量在工厂。
如果系统断言V
ID
在这个输入时，设备自动
自动进入上述解锁绕道
模式，并使用较高的电压对输入到
减少所需的编程操作的时间。该
系统将使用两个循环的程序命令
所要求的解锁旁路模式序列。
删除V
ID
从ACC输入返回的设备
正常操作。注意，扇区必须解锁
之前， ACC提高到V
ID
.
需要注意的是ACC引脚必须
不能在V
ID
运营加速比亲等
编程，或设备损坏可能导致。此外，
在ACC引脚不得悬空，悬空;
可能会导致设备的不一致的行为。
当在V
IL
， ACC锁定所有部门。行政协调会应在
V
IH
对于所有其他情况。
自动选择功能
如果SY干写自选命令
序，器件进入自动选择模式。该
然后，系统可以读取自动选择从码
内部寄存器（它是分开的存储器
阵列）上DQ15 - DQ0 。自动选择模式可能只
输入，并在异步读取时使用
模式。参阅
“自选命令序列”
25页的第
部分获取更多信息。
阅读模式，有效时钟边沿， RDY配置，
同步模式激活。
减少等待状态握手选项
该设备可配备一个减小的等待状态
握手功能，允许主机系统
简单地监视来自设备中的RDY信号来确定
矿当脉冲串数据的初始字是准备要
读取。主机系统应该使用可编程
等待状态的配置设置等待状态的数目
最佳突发模式操作。的初始字
突发数据由RDY后的上升沿指示
OE＃变低。
减少等待状态握手的存在
功能可以通过编写自动选择进行验证
指令序列的装置。请参见“自选
命令序列“的详细信息。
有关设备的最佳突发模式性能
没有减少等待状态握手选项，
主机系统必须设置等待适当数量的
在闪存设备状态取决于时钟频率
和过境通道的存在。看
Set
突发模式配置寄存器命令
第22页上的顺序“一节
部分如需更多信息，
息。该设备将自动延时和RDY
由一个时钟周期时开始数据
地址为奇数。
自选功能允许主机系统
确定闪光装置是否被使能用于
减少等待状态握手。请参阅“自选
命令序列“一节以获取更多信息。
同时读/写操作与
零延迟
此装置能够读取数据从一个存储
内存同时进行编程或擦除在另一
记忆库。擦除操作还可以是可持
从挂起或程序到另一个位置来读取
同一银行内（除行业被擦除） 。
图33 ， “后退到返回的读/写周期时序”
第60页
显示了如何读取和写入周期可能
可同时运行开始与零延迟。
请参考直流特性表
读，而程序和读，而擦除电流
特定连接的阳离子。
写命令/命令序列
该装置具有进行一个异步的能力
异步的或同步的写入动作。在一
同步写操作，写命令或
命令序列（包括编程
数据的设备和存储器的擦除扇区），则
系统必须驱动AVD ＃和CE ＃到V
IL
和OE ＃为
V
IH
给设备提供一个地址时，与驱动
WE＃和CE ＃到V
IL
和OE ＃到V
IH
。写作时
2002年10月31日
Am29BDS640G
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