添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1453页 > AM29BDS640GBD3WSI
Am29BDS640G
数据表
-XO \\ ????
7KH IROORZLQJ GRFXPHQW VSHFLILHV 6SDQVLRQ PHPRU \\ SURGXFWV WKDW DUH QRZ RIIHUHG ê \\ ERWK $ GYDQFHG
0LFUR设备SNMP DQG ) XMLWVX ? $ OWKRXJK WKH GRFXPHQW LV PDUNHG ZLWK WKH QDPH RI WKH FRPSDQ \\ WKDW RULJ ?
LQDOO \\ GHYHORSHG WKH VSHFLILFDWLRQ ? WKHVH SURGXFWV ZLOO EH RIIHUHG WR FXVWRPHUV RI ERWK 0美元“ DQG
) XMLWVX ?
规格连续性
7KHUH LV QR FKDQJH WR WKLV GDWDVKHHW DV UHVXOW RI RIIHULQJ WKH GHYLFH DV 6SDQVLRQ SURGXFW ? $ Q \\
FKDQJHV WKDW KDYH EHHQ PDGH DUH WKH UHVXOW RI QRUPDO GDWDVKHHW LPSURYHPHQW DQG DUH QRWHG LQ WKH
GRFXPHQW UHYLVLRQ VXPPDU \\ ? ZKHUH VXSSRUWHG ? ) XWXUH URXWLQH UHYLVLRQV ZLOO RFFXU ZKHQ DSSURSULDWH ?
DQG FKDQJHV ZLOO EH QRWHG LQ UHYLVLRQ VXPPDU \\ ?
订购零件编号的连续性
0美元“ DQG ) XMLWVX FRQWLQXH WR VXSSRUW H [ LVWLQJ SDUW QXPEHUV EHJLQQLQJ ZLWK $ P DQG 0 % 0 ? 7R RUGHU
WKHVH SURGXFWV ? SOHDVH XVH RQO \\ WKH 2UGHULQJ 3DUW 1XPEHUV OLVWHG LQ WKLV GRFXPHQW ?
欲了解更多信息
3OHDVH FRQWDFW \\ RXU ORFDO 0美元“ RU ) XMLWVX VDOHV RIILFH IRU DGGLWLRQDO LQIRUPDWLRQ DERXW 6SDQVLRQ
PHPRU \\ VROXWLRQV ?
Q ?? iyvph ?? V ????爱???? IR ?谩
! $ ( ? "
一张SR ?? V ?? V ????谩
7
6 ?? R 14 Q 20 ????谩

A D ?????? r9h ?? R A
PP ???? IR ?? " ?一个! ??!
超前信息
Am29BDS640G
64兆位(4M ×16位)
CMOS 1.8伏只同步读/写,突发模式闪存
特色鲜明
架构优势
单1.8伏读取,编程和擦除( 1.65 1.95
伏)
在0.17微米制程技术制造的
增强VersatileIO (V
IO
)功能
- 设备产生的数据的输出电压,并且能够忍耐
数据的输入电压由所述电压测定
在V
IO
- 1.8V和3V兼容的I / O信号
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的其他银行
读取和写入操作之间的零延迟
- 四个银行的体系结构: 16兆/ 16兆/ 16兆/ 16兆
可编程突发接口
- 2模式的突发读操作
- 线性突发: 8 , 16 ,和32个字与环绕
- 连续顺序突发
部门架构
- 8个8千字部门和126 32
千字行业
- 银行A和D分别含有4个8千字行业
和31 32 K字部门;银行B和C
每个含有32 32千字行业
- 八8K字引导扇区, 4处的顶部
地址范围,和4处的地址的底部
范围
每个部门最少百万擦除周期保证
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
80球FBGA封装
突发模式阅读: 10毫安
同时操作: 25毫安
编程/擦除: 15毫安
待机模式: 0.2 μA
硬件特性
扇区保护
- 软件命令锁业
减少等待状态握手功能可用
- 提供主机系统以最小的可能的延迟
通过监控RDY
硬件复位输入( RESET # )
- 硬件的方法来重置设备读取阵列
数据
WP #输入
- 写保护( WP # )功能保护扇区0和1
(底部引导) ,或扇区132及133(顶部引导) ,
无论部门保护状态
ACC输入:加速功能降低
编程时间;各界锁定时, ACC = V
IL
CMOS兼容输入, CMOS兼容输出
低V
CC
写禁止
软件特点
支持通用闪存接口( CFI )
软件指令集兼容JEDEC 42.4
标准
- 与Am29F和Am29LV向后兼容
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
和擦除操作完成
擦除挂起/恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,或
程序的数据,一个没有被擦除扇区,
然后恢复擦除操作
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
性能退化特征
读存取时间为54/40兆赫( 30 pF的)
- 13.5 / 20 ns的突发访问时间
- 70 ns的异步随机存取时间
- 初始同步存取时间快87.5 / 95纳秒
功耗(典型值,C
L
= 30 pF的)
本文件包含有关正在开发的产品,在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。
出版#
25903
启:
B
Amendment+0
发行日期:
2002年10月31日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
概述
该Am29BDS640G是64兆, 1.8伏只,请同时
neous读/写,突发模式闪存芯片,奥尔加
认列之为每个16位4,194,304字。本设备使用
一个V
CC
1.65 1.95 V至读取,编程和擦除
存储器阵列。该设备支持增强型V
IO
to
提供高达3V兼容的输入和输出。 12.0伏V
ID
可用于更快的程序的性能,如果需要的。该
装置还可以在标准EPROM编程亲
程序员。
在54兆赫,该装置提供的13.5毫微秒的脉冲串接入
30 pF的87.5 ns的30 pF的延迟。在40兆赫,单片机
副为20 ns的30 pF的突发访问一个延迟
95 ns的30 pF的。在装置内的工业操作
温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。该器件提供
在80球FBGA封装。
同时读/写架构提供
simul-
taneous操作
通过将存储空间分成四个
银行。该装置可提高整个系统的性能
通过允许主机系统编程或擦除在一个银行
然后立即和同时从另一个读
银行,零延迟。这将释放系统从状态等待
荷兰国际集团为完成编程或擦除操作。
该装置被划分为列于下表中:
银行
A
31
B
C
D
4
8 K字
32
32
31
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
QUANTITY
4
SIZE
8 K字
时钟极性功能提供系统设计师一个
选择的时钟边沿,无论是上升或下降。在AC-
略去时钟边沿启动突发访问,并确定
当数据将被输出。
该设备完全指令集的兼容
42.4 JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要写入到命令寄存器使用标准
微处理器写时序。寄存器的内容作为IN-
投入到内部状态机控制的擦除和
编程电路。写周期也在内部锁存器AD-
所需的编程和擦除礼服和数据
操作。读数据从装置的类似于阅读 -
荷兰国际集团与其他Flash或EPROM器件。
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户把擦除搁置任何一段时间内读取数据
从或程序没有被选择的数据相关,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止在任何操作
进步和内部状态机复位到读
阵列的数据。在RESET #引脚可以连接到系统复位
电路。系统复位将因此还重新设置设备,
使系统微处理器读取启动时固件内
洁具从闪存设备。
主机系统可以检测是否编程或擦除OP-
关合作完成使用设备状态位DQ7
(数据#投票)和DQ6 / DQ2 (触发位) 。一个程序后,
或擦除周期已经自动完成,设备
返回到读出阵列的数据。
扇区擦除架构
允许存储扇区是
擦除和重新编程,而不影响数据CON-
其他部门的帐篷。该装置被完全擦除时
从工厂运出。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
DE-
tector自动禁止写操作期间
电源转换。该器件还提供了两种类型的数据
在保护区一级。该
部门锁定/解锁的COM
命令序列
禁用或重新启用这两个方案,并
在任何扇区擦除操作。当在V
IL
,
WP #
锁节
器0和1(底部引导设备)或扇区132和133
(上引导设备) 。
该器件提供两种省电功能。当AD-
连衣裙一直稳定一段指定的时间,所述量
器件进入
自动休眠模式。
该系统可
同时将设备插入
待机模式。
功率变
消耗是在两种模式下大大降低。
AMD的闪存技术,结合多年的闪存
制造经验,生产的最高水平
质量,可靠性和成本效益。该器件electri-
通过美云擦除一个扇区内的所有位同时进行
福勒- Nordheim隧穿。该数据是使用编程
热电子注入。
增强VersatileIO (V
IO
)控制允许主机
系统设置的电压电平,该装置产生在
它的数据输出和电压耐受在其数据输入端
到被断言在V相同的电压电平
IO
引脚。
这使得器件在1.8 V和3 V系统操作
根据需要的环境。
该设备采用芯片使能( CE # ) ,写使能( WE# ) ,
地址有效( AVD #)和输出使能( OE # )控制
异步读,写操作。对于突发操作
系统蒸发散,该装置还需要准备好( RDY )和
时钟(CLK) 。这种实现可轻松实现与
最小的胶合逻辑以广泛的微处理器/微
控制器,用于高性能的读操作。
突发读取模式功能使系统设计人员使用灵活
两者均在接口设备。用户可以预设
脉冲串的长度和包裹通过相同的内存空间,或
读在连续模式中的闪存阵列。
2
Am29BDS640G
2002年10月31日
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
同时框图
运算电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
特殊处理的说明FBGA封装.................... 8
输入/输出说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
表1.设备总线操作............................................ ........ 11
部门锁定/解锁命令序列.............................. 24
复位命令................................................ ..................... 24
自选命令序列............................................ 25
表13.设备ID ............................................. ......................... 25
程序命令序列............................................... 25
解锁绕道命令序列..................................... 26
图2.擦除操作............................................. ................. 26
芯片擦除命令序列........................................... 26
扇区擦除命令序列........................................ 27
擦除暂停/删除恢复命令........................... 27
图3.程序操作............................................. ............ 28
增强VersatileIO (V
IO
)控制.................................... 11
异步读取要求
运营(非连拍) ............................................ ................ 11
为同步(突发)读操作........ 12的要求
8,16和32字的线性突发与周围环绕............ 12
表2.突发地址组............................................ ........... 12
命令定义................................................ ............. 29
表14.命令定义............................................. ....... 29
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 30
图4.数据#轮询算法........................................... ....... 30
突发模式配置寄存器........................................ 12
减少等待状态握手选项.............................. 13
同时读/写操作零延迟....... 13
写命令/命令序列............................ 13
加快程序运行............................................. 13
自选功能................................................ .............. 13
待机模式................................................ ........................ 14
自动休眠模式............................................... ............ 14
RESET # :硬件复位输入............................................ 14
输出禁止模式............................................... ............... 14
硬件数据保护............................................... ....... 14
写保护( WP # ) ............................................ .................... 14
低V
CC
写禁止................................................ .............. 15
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 15
逻辑禁止................................................ .......................... 15
上电写禁止............................................. ............... 15
V
CC
和V
IO
上电和断电排序........... 15
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 15
表3. CFI查询标识字符串.......................................... 15
表4.系统接口字符串............................................ ......... 16
表5.设备几何定义............................................ ..16
表6.主要供应商特定的扩展查询........................ 17
表7.扇区地址表............................................ ............ 18
RDY :准备............................................... ............................. 31
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 31
图5.切换位算法............................................ ............ 31
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 31
表15. DQ6和DQ2主治........................................... ... 32
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 32
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 32
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 33
表16.写操作状态............................................ ....... 33
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
图6.最大负过冲波形...................... 34
图7.最大正过冲波形........................ 34
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
图8.测试设置............................................. .......................... 36
表17.测试规范............................................. ............ 36
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
图9.输入波形和测量水平................... 36
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
VCC和VIO电............................................ .............. 37
图10. V
CC
和V
IO
电调图................................... 37
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
读阵列数据............................................... ................. 22
设置的突发模式配置寄存器命令序列22
图1.同步/异步状态图.................... 22
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
同步/突发读.............................................. .......... 38
图11. CLK同步突发模式读
(上升沿主动CLK ) ............................................. .............................
图12. CLK同步突发模式读
(下降沿有效时钟) ............................................. ........................
图13.同步突发模式读....................................
图14. 8字突发直线与周围环绕.........................
图15.突发与RDY设置一个周期数据之前.................
图16.减少等待状态握手突发模式读
偶数地址开始............................................. .............
图17.减少等待状态握手突发模式读
在奇数地址开始............................................. ...............
39
40
41
41
42
43
44
阅读模式设置............................................... .................. 22
可编程的等待状态配置................................ 22
表8.可编程的等待状态设置................................... 23
减少等待状态握手选项.............................. 23
表9.初始访问周期与频率的关系.................................. 23
标准的握手操作.......................................... 23
表10.等待状态为标准握手........................... 23
突发读取模式下配置............................................. 23
表11.突发读取模式设置........................................... ... 24
异步读取................................................ ............... 45
图18.异步模式读取带有锁存地址.... 45
图19.异步模式读取............................................ 46
图20.复位时序............................................. .................. 47
突发有效时钟边沿配置................................... 24
RDY配置................................................ .................. 24
配置寄存器................................................ ............ 24
表12.突发模式配置寄存器................................. 24
擦除/编程操作.............................................. ....... 48
图21.异步编程操作时序.................. 49
图22.备用异步程序操作时序... 50
2002年10月31日
Am29BDS640G
3
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
握手设备) .............................. ...................... 59
图33.返回到回读/写周期时序...................... 60
图23.同步程序操作时序..................... 51
图24.备用同步程序操作时序..... 52
图25.芯片/扇区擦除命令序列....................... 53
图26.加速解锁绕道编程时序......... 54
图27.数据#投票计时(在嵌入式算法) ... 55
图28.触发位计时(在嵌入式算法) ......... 55
图29.同步数据轮询时序/触发位时序。 56
图30.延时与口岸................................... 57
图31.延迟与口岸
进入编程/擦除银行............................................. ................... 58
图32.示例等待状态插入(标准
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 61
FBGA球电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 62
FBE080-80球细间距球栅阵列( FBGA )
11 ×12毫米包装............................................. ................. 62
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 63
4
Am29BDS640G
2002年10月31日
Am29BDS640G
数据表
-XO \\ ????
7KH IROORZLQJ GRFXPHQW VSHFLILHV 6SDQVLRQ PHPRU \\ SURGXFWV WKDW DUH QRZ RIIHUHG ê \\ ERWK $ GYDQFHG
0LFUR设备SNMP DQG ) XMLWVX ? $ OWKRXJK WKH GRFXPHQW LV PDUNHG ZLWK WKH QDPH RI WKH FRPSDQ \\ WKDW RULJ ?
LQDOO \\ GHYHORSHG WKH VSHFLILFDWLRQ ? WKHVH SURGXFWV ZLOO EH RIIHUHG WR FXVWRPHUV RI ERWK 0美元“ DQG
) XMLWVX ?
规格连续性
7KHUH LV QR FKDQJH WR WKLV GDWDVKHHW DV UHVXOW RI RIIHULQJ WKH GHYLFH DV 6SDQVLRQ SURGXFW ? $ Q \\
FKDQJHV WKDW KDYH EHHQ PDGH DUH WKH UHVXOW RI QRUPDO GDWDVKHHW LPSURYHPHQW DQG DUH QRWHG LQ WKH
GRFXPHQW UHYLVLRQ VXPPDU \\ ? ZKHUH VXSSRUWHG ? ) XWXUH URXWLQH UHYLVLRQV ZLOO RFFXU ZKHQ DSSURSULDWH ?
DQG FKDQJHV ZLOO EH QRWHG LQ UHYLVLRQ VXPPDU \\ ?
订购零件编号的连续性
0美元“ DQG ) XMLWVX FRQWLQXH WR VXSSRUW H [ LVWLQJ SDUW QXPEHUV EHJLQQLQJ ZLWK $ P DQG 0 % 0 ? 7R RUGHU
WKHVH SURGXFWV ? SOHDVH XVH RQO \\ WKH 2UGHULQJ 3DUW 1XPEHUV OLVWHG LQ WKLV GRFXPHQW ?
欲了解更多信息
3OHDVH FRQWDFW \\ RXU ORFDO 0美元“ RU ) XMLWVX VDOHV RIILFH IRU DGGLWLRQDO LQIRUPDWLRQ DERXW 6SDQVLRQ
PHPRU \\ VROXWLRQV ?
Q ?? iyvph ?? V ????爱???? IR ?谩
! $ ( ? "
一张SR ?? V ?? V ????谩
7
6 ?? R 14 Q 20 ????谩

A D ?????? r9h ?? R A
PP ???? IR ?? " ?一个! ??!
超前信息
Am29BDS640G
64兆位(4M ×16位)
CMOS 1.8伏只同步读/写,突发模式闪存
特色鲜明
架构优势
单1.8伏读取,编程和擦除( 1.65 1.95
伏)
在0.17微米制程技术制造的
增强VersatileIO (V
IO
)功能
- 设备产生的数据的输出电压,并且能够忍耐
数据的输入电压由所述电压测定
在V
IO
- 1.8V和3V兼容的I / O信号
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的其他银行
读取和写入操作之间的零延迟
- 四个银行的体系结构: 16兆/ 16兆/ 16兆/ 16兆
可编程突发接口
- 2模式的突发读操作
- 线性突发: 8 , 16 ,和32个字与环绕
- 连续顺序突发
部门架构
- 8个8千字部门和126 32
千字行业
- 银行A和D分别含有4个8千字行业
和31 32 K字部门;银行B和C
每个含有32 32千字行业
- 八8K字引导扇区, 4处的顶部
地址范围,和4处的地址的底部
范围
每个部门最少百万擦除周期保证
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
80球FBGA封装
突发模式阅读: 10毫安
同时操作: 25毫安
编程/擦除: 15毫安
待机模式: 0.2 μA
硬件特性
扇区保护
- 软件命令锁业
减少等待状态握手功能可用
- 提供主机系统以最小的可能的延迟
通过监控RDY
硬件复位输入( RESET # )
- 硬件的方法来重置设备读取阵列
数据
WP #输入
- 写保护( WP # )功能保护扇区0和1
(底部引导) ,或扇区132及133(顶部引导) ,
无论部门保护状态
ACC输入:加速功能降低
编程时间;各界锁定时, ACC = V
IL
CMOS兼容输入, CMOS兼容输出
低V
CC
写禁止
软件特点
支持通用闪存接口( CFI )
软件指令集兼容JEDEC 42.4
标准
- 与Am29F和Am29LV向后兼容
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
和擦除操作完成
擦除挂起/恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,或
程序的数据,一个没有被擦除扇区,
然后恢复擦除操作
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
性能退化特征
读存取时间为54/40兆赫( 30 pF的)
- 13.5 / 20 ns的突发访问时间
- 70 ns的异步随机存取时间
- 初始同步存取时间快87.5 / 95纳秒
功耗(典型值,C
L
= 30 pF的)
本文件包含有关正在开发的产品,在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。
出版#
25903
启:
B
Amendment+0
发行日期:
2002年10月31日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
概述
该Am29BDS640G是64兆, 1.8伏只,请同时
neous读/写,突发模式闪存芯片,奥尔加
认列之为每个16位4,194,304字。本设备使用
一个V
CC
1.65 1.95 V至读取,编程和擦除
存储器阵列。该设备支持增强型V
IO
to
提供高达3V兼容的输入和输出。 12.0伏V
ID
可用于更快的程序的性能,如果需要的。该
装置还可以在标准EPROM编程亲
程序员。
在54兆赫,该装置提供的13.5毫微秒的脉冲串接入
30 pF的87.5 ns的30 pF的延迟。在40兆赫,单片机
副为20 ns的30 pF的突发访问一个延迟
95 ns的30 pF的。在装置内的工业操作
温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。该器件提供
在80球FBGA封装。
同时读/写架构提供
simul-
taneous操作
通过将存储空间分成四个
银行。该装置可提高整个系统的性能
通过允许主机系统编程或擦除在一个银行
然后立即和同时从另一个读
银行,零延迟。这将释放系统从状态等待
荷兰国际集团为完成编程或擦除操作。
该装置被划分为列于下表中:
银行
A
31
B
C
D
4
8 K字
32
32
31
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
QUANTITY
4
SIZE
8 K字
时钟极性功能提供系统设计师一个
选择的时钟边沿,无论是上升或下降。在AC-
略去时钟边沿启动突发访问,并确定
当数据将被输出。
该设备完全指令集的兼容
42.4 JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要写入到命令寄存器使用标准
微处理器写时序。寄存器的内容作为IN-
投入到内部状态机控制的擦除和
编程电路。写周期也在内部锁存器AD-
所需的编程和擦除礼服和数据
操作。读数据从装置的类似于阅读 -
荷兰国际集团与其他Flash或EPROM器件。
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户把擦除搁置任何一段时间内读取数据
从或程序没有被选择的数据相关,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止在任何操作
进步和内部状态机复位到读
阵列的数据。在RESET #引脚可以连接到系统复位
电路。系统复位将因此还重新设置设备,
使系统微处理器读取启动时固件内
洁具从闪存设备。
主机系统可以检测是否编程或擦除OP-
关合作完成使用设备状态位DQ7
(数据#投票)和DQ6 / DQ2 (触发位) 。一个程序后,
或擦除周期已经自动完成,设备
返回到读出阵列的数据。
扇区擦除架构
允许存储扇区是
擦除和重新编程,而不影响数据CON-
其他部门的帐篷。该装置被完全擦除时
从工厂运出。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
DE-
tector自动禁止写操作期间
电源转换。该器件还提供了两种类型的数据
在保护区一级。该
部门锁定/解锁的COM
命令序列
禁用或重新启用这两个方案,并
在任何扇区擦除操作。当在V
IL
,
WP #
锁节
器0和1(底部引导设备)或扇区132和133
(上引导设备) 。
该器件提供两种省电功能。当AD-
连衣裙一直稳定一段指定的时间,所述量
器件进入
自动休眠模式。
该系统可
同时将设备插入
待机模式。
功率变
消耗是在两种模式下大大降低。
AMD的闪存技术,结合多年的闪存
制造经验,生产的最高水平
质量,可靠性和成本效益。该器件electri-
通过美云擦除一个扇区内的所有位同时进行
福勒- Nordheim隧穿。该数据是使用编程
热电子注入。
增强VersatileIO (V
IO
)控制允许主机
系统设置的电压电平,该装置产生在
它的数据输出和电压耐受在其数据输入端
到被断言在V相同的电压电平
IO
引脚。
这使得器件在1.8 V和3 V系统操作
根据需要的环境。
该设备采用芯片使能( CE # ) ,写使能( WE# ) ,
地址有效( AVD #)和输出使能( OE # )控制
异步读,写操作。对于突发操作
系统蒸发散,该装置还需要准备好( RDY )和
时钟(CLK) 。这种实现可轻松实现与
最小的胶合逻辑以广泛的微处理器/微
控制器,用于高性能的读操作。
突发读取模式功能使系统设计人员使用灵活
两者均在接口设备。用户可以预设
脉冲串的长度和包裹通过相同的内存空间,或
读在连续模式中的闪存阵列。
2
Am29BDS640G
2002年10月31日
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
同时框图
运算电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
特殊处理的说明FBGA封装.................... 8
输入/输出说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
表1.设备总线操作............................................ ........ 11
部门锁定/解锁命令序列.............................. 24
复位命令................................................ ..................... 24
自选命令序列............................................ 25
表13.设备ID ............................................. ......................... 25
程序命令序列............................................... 25
解锁绕道命令序列..................................... 26
图2.擦除操作............................................. ................. 26
芯片擦除命令序列........................................... 26
扇区擦除命令序列........................................ 27
擦除暂停/删除恢复命令........................... 27
图3.程序操作............................................. ............ 28
增强VersatileIO (V
IO
)控制.................................... 11
异步读取要求
运营(非连拍) ............................................ ................ 11
为同步(突发)读操作........ 12的要求
8,16和32字的线性突发与周围环绕............ 12
表2.突发地址组............................................ ........... 12
命令定义................................................ ............. 29
表14.命令定义............................................. ....... 29
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 30
图4.数据#轮询算法........................................... ....... 30
突发模式配置寄存器........................................ 12
减少等待状态握手选项.............................. 13
同时读/写操作零延迟....... 13
写命令/命令序列............................ 13
加快程序运行............................................. 13
自选功能................................................ .............. 13
待机模式................................................ ........................ 14
自动休眠模式............................................... ............ 14
RESET # :硬件复位输入............................................ 14
输出禁止模式............................................... ............... 14
硬件数据保护............................................... ....... 14
写保护( WP # ) ............................................ .................... 14
低V
CC
写禁止................................................ .............. 15
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 15
逻辑禁止................................................ .......................... 15
上电写禁止............................................. ............... 15
V
CC
和V
IO
上电和断电排序........... 15
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 15
表3. CFI查询标识字符串.......................................... 15
表4.系统接口字符串............................................ ......... 16
表5.设备几何定义............................................ ..16
表6.主要供应商特定的扩展查询........................ 17
表7.扇区地址表............................................ ............ 18
RDY :准备............................................... ............................. 31
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 31
图5.切换位算法............................................ ............ 31
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 31
表15. DQ6和DQ2主治........................................... ... 32
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 32
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 32
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 33
表16.写操作状态............................................ ....... 33
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
图6.最大负过冲波形...................... 34
图7.最大正过冲波形........................ 34
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
图8.测试设置............................................. .......................... 36
表17.测试规范............................................. ............ 36
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
图9.输入波形和测量水平................... 36
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
VCC和VIO电............................................ .............. 37
图10. V
CC
和V
IO
电调图................................... 37
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
读阵列数据............................................... ................. 22
设置的突发模式配置寄存器命令序列22
图1.同步/异步状态图.................... 22
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
同步/突发读.............................................. .......... 38
图11. CLK同步突发模式读
(上升沿主动CLK ) ............................................. .............................
图12. CLK同步突发模式读
(下降沿有效时钟) ............................................. ........................
图13.同步突发模式读....................................
图14. 8字突发直线与周围环绕.........................
图15.突发与RDY设置一个周期数据之前.................
图16.减少等待状态握手突发模式读
偶数地址开始............................................. .............
图17.减少等待状态握手突发模式读
在奇数地址开始............................................. ...............
39
40
41
41
42
43
44
阅读模式设置............................................... .................. 22
可编程的等待状态配置................................ 22
表8.可编程的等待状态设置................................... 23
减少等待状态握手选项.............................. 23
表9.初始访问周期与频率的关系.................................. 23
标准的握手操作.......................................... 23
表10.等待状态为标准握手........................... 23
突发读取模式下配置............................................. 23
表11.突发读取模式设置........................................... ... 24
异步读取................................................ ............... 45
图18.异步模式读取带有锁存地址.... 45
图19.异步模式读取............................................ 46
图20.复位时序............................................. .................. 47
突发有效时钟边沿配置................................... 24
RDY配置................................................ .................. 24
配置寄存器................................................ ............ 24
表12.突发模式配置寄存器................................. 24
擦除/编程操作.............................................. ....... 48
图21.异步编程操作时序.................. 49
图22.备用异步程序操作时序... 50
2002年10月31日
Am29BDS640G
3
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
握手设备) .............................. ...................... 59
图33.返回到回读/写周期时序...................... 60
图23.同步程序操作时序..................... 51
图24.备用同步程序操作时序..... 52
图25.芯片/扇区擦除命令序列....................... 53
图26.加速解锁绕道编程时序......... 54
图27.数据#投票计时(在嵌入式算法) ... 55
图28.触发位计时(在嵌入式算法) ......... 55
图29.同步数据轮询时序/触发位时序。 56
图30.延时与口岸................................... 57
图31.延迟与口岸
进入编程/擦除银行............................................. ................... 58
图32.示例等待状态插入(标准
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 61
FBGA球电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 62
FBE080-80球细间距球栅阵列( FBGA )
11 ×12毫米包装............................................. ................. 62
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 63
4
Am29BDS640G
2002年10月31日
Am29BDS640G
数据表
RETIRED
产品
此产品已退休,不建议设计。对于新的设计, S29WS064K
取代Am29BDS640G 。请参阅S29WS -K系列数据手册规范和
订购信息。可用性此文件被保留,以供参考和历史目的
只。
下面的文档包含Spansion存储产品的信息。
规格连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果,并且将记录在
文档修订摘要。
欲了解更多信息
请联系您当地的销售办事处有关Spansion闪存解决方案的更多信息。
公开号
25903
调整
C
修订
2
发行日期
2006年5月9日
这页有意留为空白。
Am29BDS640G
64兆位(4M ×16位) , 1.8伏,只
同步读/写,突发模式闪存
数据表
此产品已退休,不建议设计。对于新的设计, S29WS064K取代Am29BDS640G 。请参考S29WS -K家族
数据表中的规格和订购信息。可用性本文档的保留仅供参考,历史的目的。
特色鲜明
架构优势
单1.8伏读取,编程和擦除( 1.65
1.95伏)
在0.17微米制程技术制造的
增强VersatileIO (V
IO
)功能
- 设备产生的数据的输出电压,并且能够忍耐
数据的输入电压由所述电压测定
在V
IO
- 1.8V和3V兼容的I / O信号
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的其他银行
读取和写入操作之间的零延迟
- 四个银行的体系结构: 16兆/ 16兆/ 16兆/ 16兆
可编程突发接口
- 2模式的突发读操作
- 线性突发: 8 , 16 ,和32个字与环绕
- 连续顺序突发
部门架构
- 8个8千字部门和126
32千字行业
- 银行A和D分别含有4个8千字部门和
31 32 K字部门;银行B和C各
含有32 32千字行业
- 八8K字引导扇区, 4处的顶部
地址范围,和4处的地址的底部
范围
每次最少百万擦除周期保证
扇形
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
80球FBGA封装
功耗(典型值,C
L
= 30 pF的)
- 突发模式阅读: 10毫安
- 同步操作: 25毫安
- 编程/擦除: 15毫安
- 待机模式: 0.2 μA
硬件特性
扇区保护
- 软件命令锁业
握手功能可用
- 提供主机系统以最小的可能的延迟
通过监控RDY
硬件复位输入( RESET # )
- 硬件的方法来重置设备读取
数组数据
WP #输入
- 写保护( WP # )功能保护扇区0和1
(底部引导) ,或扇区132及133(顶部引导) ,
无论部门保护状态
ACC输入:加速功能降低
编程时间;各界锁定时, ACC =
V
IL
CMOS兼容输入, CMOS兼容输出
低V
CC
写禁止
软件特点
支持通用闪存接口( CFI )
软件指令集兼容JEDEC
42.4标准
- 与Am29F和Am29LV向后兼容
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
和擦除操作完成
擦除挂起/恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,或
程序的数据,一个没有被擦除扇区,
然后恢复擦除操作
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
性能退化特征
读存取时间为54/40兆赫( 30 pF的)
- 13.5 / 20 ns的突发访问时间
- 70 ns的异步随机存取时间
- 初始同步存取时间快87.5 / 95纳秒
公开号
25903
调整
C
修订
2
发行日期
2006年5月9日
D A T A
中文ê (E T)
概述
该Am29BDS640G是64兆, 1.8伏只,同时进行读/写,突发模式
快闪存储器装置中,组织为每16比特4,194,304字。该设备使用
单V
CC
1.65 1.95 V至读取,编程和擦除存储器阵列。该装置
支持增强的V
IO
提供高达3V兼容的输入和输出。 12.0伏V
ID
可用于更快的程序的性能,如果需要的。该装置还可以亲
编程标准EPROM编程器。
在54兆赫,该装置提供的13.5毫微秒,在30 pF的突发访问87.5的等待时间
NS为30 pF的。在40兆赫,该装置提供的20纳秒,在30 pF的突发访问与LA-
95 ns的tency 30 pF的。该器件可工作在工业温度范围内 -
40 ° C至+ 85°C 。该器件采用80球FBGA封装。
同时读/写架构提供
同时操作
通过divid-
荷兰国际集团的存储器空间分成四组。该装置可提高整个系统的perfor-
曼斯允许主机系统编程或擦除在一家银行,然后立即和
从另一家银行同时读取,零延迟。这种释放系统从
等待完成程序或擦除操作。
该装置被划分为列于下表中:
银行
A
B
C
D
QUANTITY
4
31
32
32
31
4
SIZE
8 K字
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
8 K字
增强VersatileIO (V
IO
)控制允许主机系统设置的电压电平
该装置产生在其数据输出端与所述电压在其数据输入端的耐受性
到被断言在V相同的电压电平
IO
引脚。这使得设备操作
在1.8 V和3 V系统环境的要求。
该设备采用芯片使能( CE # ) ,写使能( WE# ) ,地址有效( AVD # )和输出
把启用( OE # )控制异步读取和写入操作。对于突发操作
系统蒸发散, thedeviceadditionally需要重新奥迪(R DY )和C锁(CLK) 。第I S
实施可轻松实现以最小的胶合逻辑范围广泛的微处理器的
处理机/微控制器高性能读取操作。
突发读取模式功能使系统设计人员灵活地接口到设备
副。用户可以预先设置脉冲串长度和包裹通过相同的内存空间,或
读在连续模式中的闪存阵列。
时钟极性功能为系统设计师提供有效时钟的边沿选择,无论是
上升或下降。有效时钟沿开始突发访问,并决定数据时,
将被输出。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC 42.4单加电
供应闪光的标准。
命令被写入命令寄存器中使用标准
微处理器写时序。寄存器的内容作为输入到内部状态,马
折角控制的擦除和编程电路。写周期也在内部锁存
地址和所需的编程数据和擦除操作。读出数据
该装置类似于从其他闪存或EPROM器件读取。
擦除暂停/删除恢复
功能允许用户将擦除搁置
任何一段时间内读取数据,或程序数据,即不选择任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止正在进行的任何操作,并复位内部
状态机来读取阵列数据。在RESET #引脚可以连接到系统复位税务局局长
cuitry 。系统复位将因此还重置设备,使系统microproces-
感器读取闪存设备引导固件。
主机系统可以检测是否编程或擦除操作完成时通过使用
设备状态位DQ7 (数据#投票)和DQ6 / DQ2 (触发位) 。某个程序后或
擦除周期已经完成,该装置自动返回到读出阵列的数据。
2
Am29BDS640G
25903C2 2006年5月9日
D A T A
中文ê (E T)
扇区擦除架构
允许存储扇区进行擦除和重新编程
在不影响其他部门的数据内容。该装置被完全擦除时
从工厂运出。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
探测器自动IN-
hibits写在电源转换操作。该器件还提供了两种类型的数据
在保护区一级。该
部门锁定/解锁命令序列
禁用或
重新启用这两个程序,任何部门擦除操作。当在V
IL
,
WP #
扇区0和1(底部引导设备)或扇区132及133(顶部引导设备) 。
该器件提供两种省电功能。当地址已经稳定了
时间指定金额,该器件进入
自动休眠模式。
该系统可
同时将设备插入
待机模式。
功耗大大降低
这两种模式。
Spansion的闪存技术,结合多年的闪存制造经验
产生的质量,可靠性和成本效益最高的水平。该器件electri-
通过美云福勒- Nordheim隧穿擦除所有位行业内同时进行。该
数据是使用热电子注入编程。
2006年5月9日25903C2
Am29BDS640G
3
查看更多AM29BDS640GBD3WSIPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AM29BDS640GBD3WSI
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
AM29BDS640GBD3WSI
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8789
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多AM29BDS640GBD3WSI供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!