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HGTD3N60A4S ， HGT1S3N60A4S ， HGTP3N60A4
典型性能曲线
112
t
D（ OFF ）I
，关断延迟时间（纳秒）
V
GE
= 15V ，T
J
= 125
o
C
104
t
fI
，下降时间（ NS ）
96
88
80
72
64
56
48
1
V
GE
= 15V ，T
J
= 25
o
C
V
GE
= 12V ，T
J
= 25
o
C
V
GE
= 12V ，T
J
= 125
o
C
88
80
72
64
56
48
R
G
= 50Ω ， L = 1MH ，V
CE
= 390V
40
2
3
4
5
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
6
1
2
3
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 12V或15V
4
5
6
T
J
= 125
o
C，V
GE
= 12V或15V
除非另有规定编
（续）
96
R
G
= 50Ω ， L = 1MH ，V
CE
= 390V
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11.关断延迟时间与收藏家
发射极电流
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图12. FALL时间与集电极到发射极
当前
20
V
GE
，门到发射极电压（ V）
占空比< 0.5 ％ ，V
CE
= 10V
脉冲宽度= 250μs的
16
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
I
G（ REF ）
= 1毫安，R
L
= 100, T
J
= 25
o
C
V
CE
= 600V
12
8
V
CE
= 200V
V
CE
= 400V
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
T
J
= -55
o
C
4
0
4
6
8
10
12
14
4
8
12
16
20
24
28
V
GE
，门到发射极电压（ V）
Q
G
，栅极电荷（ NC）
图13.传输特性
E
总
，总交换能量损失（ μJ ）
E
总
，总交换能量损失（ μJ ）
图14.门充电波形
250
R
G
= 50Ω ， L = 1MH ，V
CE
= 390V, V
GE
= 15V
E
总
= E
ON2
+ E
关闭
1000
T
J
= 125
o
C，L = 1MH ，V
CE
= 390V, V
GE
= 15V
E
总
= E
ON2
+ E
关闭
200
I
CE
= 4.5A
150
I
CE
= 3A
I
CE
= 4.5A
I
CE
= 3A
100
I
CE
= 1.5A
100
50
I
CE
= 1.5A
0
25
30
3
10
100
R
G
，栅极电阻（ Ω ）
1000
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（
o
C)
150
图15.总开关损耗VS案例
温度
图16.总开关损耗VS栅极电阻
5
