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HGTD3N60A4S ， HGT1S3N60A4S ， HGTP3N60A4
电气连接特定的阳离子
参数
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注3 ）
开启能量（注3 ）
关断能量（注2 ）
热阻结到外壳
注意事项：
2.打开，关闭能源损耗（E
关闭
）是德音响定义为瞬时功率损耗的开始在输入脉冲的后沿和结束的积分
的点处的集电极电流等于零（我
CE
= 0A ） 。所有设备都根据JEDEC标准24-1号方法进行了测试测量
功率器件的关断开关损耗。这种测试方法产生真正的总导通关的能量损失。
3.值两导通损耗条件显示为电路设计人员提供方便。 ê
ON1
只是IGBT的导通损耗。 ê
ON2
是当一个典型的二极管被用在测试电路中的导通损耗和二极管是在同一
J
作为IGBT 。二极管类型在指定
图20 。
T
J
= 25
o
C，除非另有规定编
（续）
符号
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
R
θJC
测试条件
IGBT和二极管在T
J
= 125
o
C
I
CE
= 3A
V
CE
= 390V
V
GE
= 15V
R
G
= 50
L = 1MH
测试电路 - 图20
民
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
5.5
12
110
70
37
90
50
-
最大
8
15
165
100
-
100
80
1.8
单位
ns
ns
ns
ns
J
J
J
o
C / W
典型性能曲线
20
I
CE
， DC集电极电流（ A）
除非另有规定编
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
20
V
GE
= 15V
16
T
J
= 150
o
C，R
G
= 50, V
GE
= 15V ，L = 200μH
16
12
12
8
8
4
4
0
25
50
75
100
125
150
0
0
100
200
300
400
500
600
700
T
C
，外壳温度（
o
C)
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图1. DC集电极电流与案例
温度
600
f
最大
，工作频率（千赫）
图2.最小开关安全工作区
t
SC
，短路耐受时间（μs ）
T
C
75
o
C
V
GE
15V
V
CE
= 390V ，R
G
= 50, T
J
= 125
o
C
t
SC
18
16
14
12
10
8
6
4
10
12
13
14
V
GE
，门到发射极电压（ V）
11
I
SC
56
48
40
32
24
16
8
0
15
300
200
f
MAX1
= 0.05 / (t
D（ OFF ）I
+ t
D（ ON ）I
)
f
MAX2
= (P
D
- P
C
) / (E
ON2
+ E
关闭
)
P
C
=传导耗散
（占空比= 50％）
R
θJC
= 1.8
o
C / W ，见注解
T
J
= 125
o
C，R
G
= 50Ω ， L = 1MH ，V
CE
= 390V
1
2
3
4
5
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
6
100
50
图3.工作频率与集电极
发射极电流
图4.短路耐受时间
3
I
SC
峰值短路电流（ A）
20
64
