MWI 200-06 A8
IGBT模块
Sixpack
短路SOA能力
广场RBSOA
13, 21
I
C25
= 225 A
= 600 V
V
CES
V
CE （ sat）的典型值。
= 2.0 V
1
2
5
6
9
10
19
17
15
3
4
14, 20
7
8
11
12
IGBT的
符号
V
CES
V
GES
I
C25
I
C80
RBSOA
t
SC
（ SCSOA ）
P
合计
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
V
GE
=
±
15 V ;
G
= 1.5
;
T
VJ
= 125°C
钳位感性负载; L = 100 μH
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
最大额定值
600
±
20
225
155
I
CM
= 400
V
CEK
≤
V
CES
10
675
V
V
A
A
A
s
W
特点
NPT IGBT技术
低饱和电压
低开关损耗
开关频率高达30 kHz的
广场RBSOA ，无闩锁
高抗短路能力强
正温度系数为
易parallelling
MOS输入，压控
超高速续流二极管
焊引脚用于PCB安装
包以铜基板
优势
T
C
= 25°C
节省空间
降低保护电路
包专为波峰焊
典型应用
交流电动机的控制
交流伺服和机器人的驱动器
电源
V
CE
= V
CES
; V
GE
=
±
15 V ;
G
= 1.5
;
T
VJ
= 125°C
不重复
符号
条件
特征值
(T
VJ
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
2.0
2.3
4.5
1.5
400
180
50
300
40
4.6
6.3
9.0
670
2.5
6.5
1.8
V
V
V
mA
mA
nA
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
nF
nC
0.18 K / W
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
CES
I
GES
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
Q
坤
R
thJC
I
C
= 200 A; V
GE
= 15 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
C
= 4毫安; V
GE
= V
CE
V
CE
= V
CES
; V
GE
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 0 V; V
GE
=
±
20 V
感性负载，T
VJ
= 125°C
V
CE
= 300 V ;我
C
= 200 A
V
GE
= ±15 V ;
G
= 1.5
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V ; F = 1 MHz的
V
CE
= 300 V; V
GE
= 15 V ;我
C
= 200 A
（每个IGBT ）
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