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MWI 200-06 A8
IGBT模块
Sixpack
短路SOA能力
广场RBSOA
13, 21
I
C25
= 225 A
= 600 V
V
CES
V
CE ( sat)的典型值。
= 2.0 V
1
2
5
6
9
10
19
17
15
3
4
14, 20
7
8
11
12
IGBT的
符号
V
CES
V
GES
I
C25
I
C80
RBSOA
t
SC
( SCSOA )
P
合计
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
V
GE
=
±
15 V ;
G
= 1.5
;
T
VJ
= 125°C
钳位感性负载; L = 100 μH
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
最大额定值
600
±
20
225
155
I
CM
= 400
V
CEK
V
CES
10
675
V
V
A
A
A
s
W
特点
NPT IGBT技术
低饱和电压
低开关损耗
开关频率高达30 kHz的
广场RBSOA ,无闩锁
高抗短路能力强
正温度系数为
易parallelling
MOS输入,压控
超高速续流二极管
焊引脚用于PCB安装
包以铜基板
优势
T
C
= 25°C
节省空间
降低保护电路
包专为波峰焊
典型应用
交流电动机的控制
交流伺服和机器人的驱动器
电源
V
CE
= V
CES
; V
GE
=
±
15 V ;
G
= 1.5
;
T
VJ
= 125°C
不重复
符号
条件
特征值
(T
VJ
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。马克斯。
2.0
2.3
4.5
1.5
400
180
50
300
40
4.6
6.3
9.0
670
2.5
6.5
1.8
V
V
V
mA
mA
nA
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
nF
nC
0.18 K / W
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
I
CES
I
GES
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
Q
R
thJC
I
C
= 200 A; V
GE
= 15 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
C
= 4毫安; V
GE
= V
CE
V
CE
= V
CES
; V
GE
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 0 V; V
GE
=
±
20 V
感性负载,T
VJ
= 125°C
V
CE
= 300 V ;我
C
= 200 A
V
GE
= ±15 V ;
G
= 1.5
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V ; F = 1 MHz的
V
CE
= 300 V; V
GE
= 15 V ;我
C
= 200 A
(每个IGBT )
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
版权所有2004 IXYS所有权利。
1-4
448
MWI 200-06 A8
二极管
符号
I
F25
I
F80
条件
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
最大额定值
260
165
A
A
等效电路的仿真
传导
符号
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
模块
符号
T
VJ
T
JM
T
英镑
V
ISOL
M
d
符号
R
引脚芯片
d
S
d
A
R
thCH
重量
条件
I
F
= 200 A; V
GE
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
F
= 120 A;迪
F
/ DT = -1000 A / μs的;牛逼
VJ
= 125°C
V
R
= 300 V; V
GE
= 0 V
(每二极管)
特征值
分钟。
典型值。马克斯。
1.9
1.5
56
100
2.1
V
V
A
ns
0.3 K / W
热响应
IGBT (典型值在V
GE
= 15 V ;牛逼
J
= 125°C)
V
0
= 1.1 V ;
0
= 6 m
续流二极管(典型值在T
J
= 125°C)
V
0
= 1.1 V ;
0
= 2 m
条件
操作
最大额定值
-40...+125
+150
-40...+125
2500
3-6
°C
°C
°C
V~
Nm
IGBT (典型值)。
C
th1
= 0.397 J / K ;
th1
= 0.131 K / W
C
th2
= 2.243 J / K ;
th2
= 0.049 K / W
续流二极管( TYP。)
C
th1
= 0.281 J / K ;
th1
= 0.236 K / W
C
th2
= 1.945 J / K ;
th2
= 0.064 K / W
I
ISOL
1毫安; 50/60赫兹
安装扭矩( M5 )
条件
特征值
分钟。
典型值。马克斯。
1.8
m
mm
mm
0.01
300
K / W
g
表面爬电距离
在空袭的距离
与复合散热器
10
10
尺寸(mm) (1毫米= 0.0394" )
版权所有2004 IXYS所有权利。
2-4
448
MWI 200-06 A8
300
A
V
GE
= 17 V
T
VJ
= 25°C
13 V
11 V
250
I
C
15 V
300
A
250
I
C
200
150
T
VJ
= 125°C
V
GE
= 17 V
13 V
11 V
15 V
200
150
100
50
0
0
1
2
V
CE
9V
9V
100
50
0
3
V
4
0
1
2
V
CE
3
V
4
图。 1
典型值。输出特性
图。 2
典型值。输出特性
400
A
V
CE
= 20 V
600
A
500
I
F
400
I
C
300
200
T
VJ
= 125°C
300
T
VJ
= 125°C
200
100
100
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 25°C
0
6
7
8
9
10
V
GE
0
11
V
12
0
1
V
F
2
V
图。 3
典型值。传输特性
图。 4
典型值。正向特性
续流二极管
60
15
V
180
V
CE
= 300 V
I
C
= 200 A
12
V
GE
A
t
rr
120
t
rr
T
VJ
= 125°C
V
R
= 300 V
I
F
= 120 A
I
RM
ns
40
I
RM
9
6
60
3
0
0
100
200
300
400
500
Q
G
20
0
600
nC
700
0
200
400
600
-di / dt的
MWI200-06A8
0
800
A / μs的
1000
图。五
典型值。打开栅极电荷
图。 6
典型值。关闭的特点
续流二极管
版权所有2004 IXYS所有权利。
3-4
448
MWI 200-06 A8
16
mJ
E
on
V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
G
= 1.5
T
VJ
= 125°C
16
mJ
E
关闭
12
V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
G
= 1.5
T
VJ
= 125°C
12
8
8
4
4
0
0
100
200
I
C
0
300
A
400
0
100
200
300
I
C
A
400
图。 7典型。开启能量
与集电极电流
图。 8典型。关闭能源
与集电极电流
20
mJ
E
on
8
V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
I
C
= 200
Α
T
VJ
= 125°C
16
12
8
mJ
E
关闭
6
V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
I
C
= 200
Α
T
VJ
= 125°C
4
4
0
0
4
8
12
R
G
16
20
2
0
4
8
12
R
G
16
20
图。 9典型。开启能量
与栅极电阻
图10典型。关闭能源
与栅极电阻
500
A
1
K / W
0.1
Z
thJC
0.01
二极管
IGBT
400
I
CM
300
200
100
0
0
100
200
300
400
500
600
V
CE
R
G
= 1.5
T
VJ
= 125°C
0.001
单脉冲
700
V
0.0001
0.0001
MWI200-06A8
0.001
0.01
0.1
t
1
s 10
图。 11反向偏置安全工作区RBSOA
图。 12典型。瞬态热阻抗
448
版权所有2004 IXYS所有权利。
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MWI 200-06 A8
IGBT模块
Sixpack
短路SOA能力
广场RBSOA
13, 21
I
C25
= 225 A
= 600 V
V
CES
V
CE ( sat)的典型值。
= 2.0 V
1
2
5
6
9
10
19
17
15
3
4
14, 20
7
8
11
12
IGBT的
符号
V
CES
V
GES
I
C25
I
C80
RBSOA
t
SC
( SCSOA )
P
合计
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
V
GE
=
±
15 V ;
G
= 1.5
;
T
VJ
= 125°C
钳位感性负载; L = 100 μH
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
最大额定值
600
±
20
225
155
I
CM
= 400
V
CEK
V
CES
10
675
V
V
A
A
A
s
W
特点
NPT IGBT技术
低饱和电压
低开关损耗
开关频率高达30 kHz的
广场RBSOA ,无闩锁
高抗短路能力强
正温度系数为
易parallelling
MOS输入,压控
超高速续流二极管
焊引脚用于PCB安装
包以铜基板
优势
T
C
= 25°C
节省空间
降低保护电路
包专为波峰焊
典型应用
交流电动机的控制
交流伺服和机器人的驱动器
电源
V
CE
= V
CES
; V
GE
=
±
15 V ;
G
= 1.5
;
T
VJ
= 125°C
不重复
符号
条件
特征值
(T
VJ
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。马克斯。
2.0
2.3
4.5
1.5
400
180
50
300
40
4.6
6.3
9.0
670
2.5
6.5
1.8
V
V
V
mA
mA
nA
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
nF
nC
0.18 K / W
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
I
CES
I
GES
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
Q
R
thJC
I
C
= 200 A; V
GE
= 15 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
C
= 4毫安; V
GE
= V
CE
V
CE
= V
CES
; V
GE
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 0 V; V
GE
=
±
20 V
感性负载,T
VJ
= 125°C
V
CE
= 300 V ;我
C
= 200 A
V
GE
= ±15 V ;
G
= 1.5
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V ; F = 1 MHz的
V
CE
= 300 V; V
GE
= 15 V ;我
C
= 200 A
(每个IGBT )
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
版权所有2004 IXYS所有权利。
1-4
448
MWI 200-06 A8
二极管
符号
I
F25
I
F80
条件
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
最大额定值
260
165
A
A
等效电路的仿真
传导
符号
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
模块
符号
T
VJ
T
JM
T
英镑
V
ISOL
M
d
符号
R
引脚芯片
d
S
d
A
R
thCH
重量
条件
I
F
= 200 A; V
GE
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
F
= 120 A;迪
F
/ DT = -1000 A / μs的;牛逼
VJ
= 125°C
V
R
= 300 V; V
GE
= 0 V
(每二极管)
特征值
分钟。
典型值。马克斯。
1.9
1.5
56
100
2.1
V
V
A
ns
0.3 K / W
热响应
IGBT (典型值在V
GE
= 15 V ;牛逼
J
= 125°C)
V
0
= 1.1 V ;
0
= 6 m
续流二极管(典型值在T
J
= 125°C)
V
0
= 1.1 V ;
0
= 2 m
条件
操作
最大额定值
-40...+125
+150
-40...+125
2500
3-6
°C
°C
°C
V~
Nm
IGBT (典型值)。
C
th1
= 0.397 J / K ;
th1
= 0.131 K / W
C
th2
= 2.243 J / K ;
th2
= 0.049 K / W
续流二极管( TYP。)
C
th1
= 0.281 J / K ;
th1
= 0.236 K / W
C
th2
= 1.945 J / K ;
th2
= 0.064 K / W
I
ISOL
1毫安; 50/60赫兹
安装扭矩( M5 )
条件
特征值
分钟。
典型值。马克斯。
1.8
m
mm
mm
0.01
300
K / W
g
表面爬电距离
在空袭的距离
与复合散热器
10
10
尺寸(mm) (1毫米= 0.0394" )
版权所有2004 IXYS所有权利。
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448
MWI 200-06 A8
300
A
V
GE
= 17 V
T
VJ
= 25°C
13 V
11 V
250
I
C
15 V
300
A
250
I
C
200
150
T
VJ
= 125°C
V
GE
= 17 V
13 V
11 V
15 V
200
150
100
50
0
0
1
2
V
CE
9V
9V
100
50
0
3
V
4
0
1
2
V
CE
3
V
4
图。 1
典型值。输出特性
图。 2
典型值。输出特性
400
A
V
CE
= 20 V
600
A
500
I
F
400
I
C
300
200
T
VJ
= 125°C
300
T
VJ
= 125°C
200
100
100
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 25°C
0
6
7
8
9
10
V
GE
0
11
V
12
0
1
V
F
2
V
图。 3
典型值。传输特性
图。 4
典型值。正向特性
续流二极管
60
15
V
180
V
CE
= 300 V
I
C
= 200 A
12
V
GE
A
t
rr
120
t
rr
T
VJ
= 125°C
V
R
= 300 V
I
F
= 120 A
I
RM
ns
40
I
RM
9
6
60
3
0
0
100
200
300
400
500
Q
G
20
0
600
nC
700
0
200
400
600
-di / dt的
MWI200-06A8
0
800
A / μs的
1000
图。五
典型值。打开栅极电荷
图。 6
典型值。关闭的特点
续流二极管
版权所有2004 IXYS所有权利。
3-4
448
MWI 200-06 A8
16
mJ
E
on
V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
G
= 1.5
T
VJ
= 125°C
16
mJ
E
关闭
12
V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
G
= 1.5
T
VJ
= 125°C
12
8
8
4
4
0
0
100
200
I
C
0
300
A
400
0
100
200
300
I
C
A
400
图。 7典型。开启能量
与集电极电流
图。 8典型。关闭能源
与集电极电流
20
mJ
E
on
8
V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
I
C
= 200
Α
T
VJ
= 125°C
16
12
8
mJ
E
关闭
6
V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
I
C
= 200
Α
T
VJ
= 125°C
4
4
0
0
4
8
12
R
G
16
20
2
0
4
8
12
R
G
16
20
图。 9典型。开启能量
与栅极电阻
图10典型。关闭能源
与栅极电阻
500
A
1
K / W
0.1
Z
thJC
0.01
二极管
IGBT
400
I
CM
300
200
100
0
0
100
200
300
400
500
600
V
CE
R
G
= 1.5
T
VJ
= 125°C
0.001
单脉冲
700
V
0.0001
0.0001
MWI200-06A8
0.001
0.01
0.1
t
1
s 10
图。 11反向偏置安全工作区RBSOA
图。 12典型。瞬态热阻抗
448
版权所有2004 IXYS所有权利。
4-4
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