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256MB ， 512MB ， 1GB无缓冲的SODIMM
16.0命令真值表
命令
注册
注册
扩展MRS
模式寄存器设置
自动刷新
刷新
条目
自
刷新
出口
CKEn-1
H
H
H
L
H
H
H
H
所有银行
条目
出口
条目
预充电掉电模式
出口
DM
无操作（ NOP ） ：未定义
L
H
H
X
H
L
H
H
H
L
H
CKEN
X
X
H
L
H
X
X
X
X
X
L
H
L
CS
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
H
L
X
H
L
H
L
RAS
L
L
L
H
X
L
H
H
H
L
X
V
X
X
H
X
V
X
X
H
X
H
X
H
初步
DDR SDRAM
（V =有效，X =无关，H =逻辑高电平， L =逻辑低）
CAS
L
L
L
H
X
H
L
L
H
H
X
V
X
X
H
X
V
我们BA0,1 A10 / AP
L
L
H
H
X
H
H
L
L
L
X
V
X
X
H
X
V
X
X
8
9
9
X
X
V
X
L
H
V
V
V
A0 ~ A9
A11, A12
记
1, 2
1, 2
3
3
3
3
操作码
操作码
X
X
行地址
(A0~A9, A11,A12)
L
H
L
H
X
X
COLUMN
地址
COLUMN
地址
银行主动&行地址。
阅读&
列地址
写&
列地址
自动预充电禁用
自动预充电启动
自动预充电禁用
自动预充电启动
银行的选择
4
4
4
4, 6
7
5
突发停止
预充电
主动关机
注意：
1. OP代码：操作数代码。一
0
~ A
12
& BA
0
BA
1
：程序键。 （ @ EMRS / MRS）
2. EMRS / MRS只能在所有银行预充电状态下发出的。一个新的命令可以发出EMRS或MRS后2个时钟周期。
3.自动刷新功能是相同的DRAM的CBR刷新。
无行预充电命令预充电自然而然被"Auto"意思。
只能在所有银行预充电状态下发出的自动/自刷新。
4. BA
0
BA
1
：银行选择地址。
如果两个BA
0
和BA
1
是"Low"在读，写，行积极和预充电，银行A被选中。
如果BA
0
是"High"和BA
1
是"Low"在读，写，行积极和预充电，银行B的选择。
如果BA
0
是"Low"和BA
1
是"High"在读，写，行积极和预充电， C银行被选中。
如果两个BA
0
和BA
1
是"High"在读，写，行积极和预充电，银行D被选中。
5.如果
10
/ AP是"High"于行预充电， BA
0
和BA
1
被忽略，所有的银行都被选中。
6.在突发写入自动预充电，新的读/写命令不能发出。
另一家银行的读/写命令脉冲结束后发出。
新行活动的相关银行可以在t发行
RP
脉冲串的结束之后。
7.突发停止命令是在每一个突发长度有效。
8. DM采样的DQS和数据中的上升沿和下降沿的两个边缘都被屏蔽（写入DM延迟为0）。
9.这个组合没有被定义为任何功能，这意味着"No操作（ NOP ）的DDR SDRAM " 。
修订版0.1 2005年6月
