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256MB ， 512MB ， 1GB无缓冲的SODIMM
10.0 AC工作条件
参数/条件
输入高电平（逻辑1 ）电压， DQ ， DQS和DM信号
输入低电平（逻辑0 ）电压，DQ ， DQS和DM信号。
输入差分电压， CK和CK输入
输入交叉点电压， CK和CK输入
符号
VIH （AC）的
VIL （AC）的
VID （AC）的
VIX （AC）的
0.7
0.5*VDDQ-0.2
民
VREF + 0.31
VREF - 0.31
VDDQ+0.6
最大
初步
DDR SDRAM
单位
V
V
V
V
记
3
3
1
2
0.5*VDDQ+0.2
注意：
1. VID是CK的输入电平与所述输入上的CK之间的差的量值。
2. V的值
IX
预计相当于0.5 * V
DDQ
发送设备的，并且必须跟踪变化的相同的DC电平。
3.这些参数必须在实际的组件执行pim进行测试，并且可以在任一销或垫被检查
模拟。交流和直流输入specificatims是refation到Vref的信封已经有限的带宽为20MHz 。
V
tt
=0.5*V
DDQ
R
T
=50
产量
Z0=50
C
负载
=30pF
V
REF
=0.5*V
DDQ
输出负载电路（ SSTL_2 ）
11.0输入/输出电容
参数
输入电容（ A0 A12 ， BA0 BA1 ， RAS ， CAS ， WE）
输入电容（ CKE0 ， CKE1 ）
输入电容（ CS0 ， CS1 ）
输入电容（ CLK0 ， CLK1 ， CLK2 ）
输入电容（ DM0 DM7 ）
数据& DQS输入/输出电容（ DQ0 DQ63 ）
符号
CIN1
CIN2
CIN3
CIN4
CIN5
Cout1
M470L3324DU0
民
41
34
34
25
6
6
最大
45
38
38
30
7
7
M470L6524DU0
民
49
42
42
25
6
6
最大
57
50
50
30
7
7
（ TA = 25 ° C，F = 100MHz时）
M470L2923DV0
民
65
42
42
28
10
10
最大
81
50
50
34
12
12
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
修订版0.1 2005年6月
