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Si7463DP
Vishay Siliconix公司
P通道40 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
40
特点
I
D
(A)
18.6
15
r
DS （ ON）
(W)
0.0092 @ V
GS
=
10
V
0.014 @ V
GS
=
4.5
V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
新的低热阻PowerPAKr
低1.07毫米封装简介
应用
D
汽车
12 -V Boardnet
高边开关
电机驱动
S
采用PowerPAK SO- 8
6.15 mm
S
1
2
S
3
S
5.15 mm
G
4
D
8
7
D
6
D
5
D
G
D
P沟道MOSFET
底部视图
订购信息： Si7463DP -T1 -E3
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
稳定状态
40
"20
单位
V
18.6
15
60
4.5
5.4
3.4
55
150
11
8.9
A
1.6
1.9
1.2
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72440
S- 32411 -REV 。 B， 24 - NOV- 03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
18
52
1.0
最大
23
65
1.3
单位
° C / W
C / W
1
