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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第658页 > SI7463DP-T1-E3
Si7463DP
Vishay Siliconix公司
P通道40 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
40
特点
I
D
(A)
18.6
15
r
DS （ ON）
(W)
0.0092 @ V
GS
=
10
V
0.014 @ V
GS
=
4.5
V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
新的低热阻PowerPAKr
低1.07毫米封装简介
应用
D
汽车
12 -V Boardnet
高边开关
电机驱动
S
采用PowerPAK SO- 8
6.15 mm
S
1
2
S
3
S
5.15 mm
G
4
D
8
7
D
6
D
5
D
G
D
P沟道MOSFET
底部视图
订购信息： Si7463DP -T1 -E3
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
稳定状态
40
"20
单位
V
18.6
15
60
4.5
5.4
3.4
55
150
11
8.9
A
1.6
1.9
1.2
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72440
S- 32411 -REV 。 B， 24 - NOV- 03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
18
52
1.0
最大
23
65
1.3
单位
° C / W
C / W
1
Si7463DP
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
=
40
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
40
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
v
5
V, V
GS
=
10
V
V
GS
=
10
V，I
D
=
18.6
A
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
15
A
V
DS
=
15
V，I
D
=
18.6
A
I
S
=
4.5
A，V
GS
= 0 V
40
0.0075
0.011
50
0.8
1.2
0.0092
0.014
1
3
"100
1
10
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
4.5
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
20
V ，R
L
= 20
W
I
D
^
1
A，V
根
=
10
V ，R
G
= 6
W
V
DS
=
20
V, V
GS
=
10
V，I
D
=
18.6
A
121
19.2
30.3
2.7
20
25
200
100
45
30
40
300
150
70
ns
W
140
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
60
50
40
30
20
10
0
0
1
输出特性
V
GS
= 10直通4 V
60
50
40
30
20
10
0
0.0
传输特性
I
D
漏电流（ A）
3V
I
D
漏电流（ A）
T
C
= 125_C
25_C
55_C
2
3
4
5
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72440
S- 32411 -REV 。 B， 24 - NOV- 03
2
Si7463DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.016
0.014
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
C
电容（pF）
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
0.000
0
10
20
30
40
50
60
V
GS
= 10 V
导通电阻与漏电流
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
电容
V
GS
= 4.5 V
C
国际空间站
C
OSS
1000
C
RSS
0
0
8
16
24
32
40
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 18.6 A
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 18.6 A
6
r
DS （ ON）
导通电阻（
W)
（归一化）
50
75
100
125
8
1.4
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
25
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
100
0.04
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
I
S
源电流（ A）
0.03
I
D
= 18.6 A
0.02
T
J
= 150_C
10
I
D
= 5 A
T
J
= 25_C
0.01
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72440
S- 32411 -REV 。 B， 24 - NOV- 03
www.vishay.com
3
Si7463DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.8
0.6
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
50
20
I
D
= 250
mA
80
100
单脉冲功率， Juncion到环境
功率（W）的
60
40
25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
T
J
温度（℃）
100
r
DS （ ON）
有限
10
I
D
漏电流（ A）
安全工作区
I
DM
有限
P（吨） = 0.001
P（吨）= 0.01
I
D（上）
有限
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
1
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
P（吨） = 10
dc
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 52 ° C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 72440
S- 32411 -REV 。 B， 24 - NOV- 03
Si7463DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
方波脉冲持续时间（秒）
10
1
1
文档编号： 72440
S- 32411 -REV 。 B， 24 - NOV- 03
www.vishay.com
5
Si7463DP
Vishay Siliconix公司
P通道40 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
40
特点
I
D
(A)
18.6
15
r
DS （ ON）
(W)
0.0092 @ V
GS
=
10
V
0.014 @ V
GS
=
4.5
V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
新的低热阻PowerPAKr
低1.07毫米封装简介
应用
D
汽车
12 -V Boardnet
高边开关
电机驱动
S
采用PowerPAK SO- 8
6.15 mm
S
1
2
S
3
S
5.15 mm
G
4
D
8
7
D
6
D
5
D
G
D
P沟道MOSFET
底部视图
订购信息： Si7463DP -T1 -E3
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
稳定状态
40
"20
单位
V
18.6
15
60
4.5
5.4
3.4
55
150
11
8.9
A
1.6
1.9
1.2
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结至外壳（漏）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 72440
S- 32411 -REV 。 B， 24 - NOV- 03
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
18
52
1.0
最大
23
65
1.3
单位
° C / W
C / W
1
Si7463DP
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
=
40
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
40
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
v
5
V, V
GS
=
10
V
V
GS
=
10
V，I
D
=
18.6
A
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
15
A
V
DS
=
15
V，I
D
=
18.6
A
I
S
=
4.5
A，V
GS
= 0 V
40
0.0075
0.011
50
0.8
1.2
0.0092
0.014
1
3
"100
1
10
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
4.5
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
20
V ，R
L
= 20
W
I
D
^
1
A，V
根
=
10
V ，R
G
= 6
W
V
DS
=
20
V, V
GS
=
10
V，I
D
=
18.6
A
121
19.2
30.3
2.7
20
25
200
100
45
30
40
300
150
70
ns
W
140
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
60
50
40
30
20
10
0
0
1
输出特性
V
GS
= 10直通4 V
60
50
40
30
20
10
0
0.0
传输特性
I
D
漏电流（ A）
3V
I
D
漏电流（ A）
T
C
= 125_C
25_C
55_C
2
3
4
5
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72440
S- 32411 -REV 。 B， 24 - NOV- 03
2
Si7463DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.016
0.014
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
C
电容（pF）
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
0.000
0
10
20
30
40
50
60
V
GS
= 10 V
导通电阻与漏电流
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
电容
V
GS
= 4.5 V
C
国际空间站
C
OSS
1000
C
RSS
0
0
8
16
24
32
40
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 18.6 A
栅极电荷
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 18.6 A
6
r
DS （ ON）
导通电阻（
W)
（归一化）
50
75
100
125
8
1.4
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
25
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
100
0.04
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
I
S
源电流（ A）
0.03
I
D
= 18.6 A
0.02
T
J
= 150_C
10
I
D
= 5 A
T
J
= 25_C
0.01
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 72440
S- 32411 -REV 。 B， 24 - NOV- 03
www.vishay.com
3
Si7463DP
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.8
0.6
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
50
20
I
D
= 250
mA
80
100
单脉冲功率， Juncion到环境
功率（W）的
60
40
25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
T
J
温度（℃）
100
r
DS （ ON）
有限
10
I
D
漏电流（ A）
安全工作区
I
DM
有限
P（吨） = 0.001
P（吨）= 0.01
I
D（上）
有限
P（吨） = 0.1
P（吨）= 1
1
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
P（吨） = 10
dc
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 52 ° C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
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4
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Si7463DP
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
方波脉冲持续时间（秒）
10
1
1
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S29CD032G0MQFA012
SI7994DP
SN74HCT374PWT
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型号
厂家
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封装
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