S29CD032G

32兆位（ 1一M× 32位）

CMOS 2.5伏只突发模式，双启动，

同时读/写闪存

数据表

ADVANCE

信息

特色鲜明

架构优势

同时读/写操作

- 数据可以从一个银行在执行读取

擦除/在其他银行的程序功能

（ -40 ° C至85°C只）

读取和写入操作之间的零延迟

- 两个银行的体系结构： 75 ％ / 25 ％

用户定义的X32数据总线

双引导块

- 在同一装置顶部和底部引导扇区

灵活的部门架构

- 8个8字节， 62字节64和8个8

千字节扇区

在170纳米制程技术制造

SecSi （担保硅）扇区（256字节）

—

工厂锁定和识别：

16字节的安全，

随机出厂的电子序列号;其余

可客户数据编程，通过AMD

—

客户可锁定：

可以读取，编程或

就像其他行业的擦除。一旦锁定，数据

不能改变

可编程突发接口

- 接口的任何高性能的处理器

- 对突发读操作模式：

—

线性脉冲串：

4双字和8个双字

与周围包裹

程序运行

- 能够进行同步和异步

写突发配置寄存器的操作

独立设置

单电源工作

- 优化的2.5至2.75伏读，擦除和

方案业务

与JEDEC标准兼容（ JC42.4 ）

- 软件与单电源闪存兼容

- 与AMD Am29LV和Am29F向后兼容

闪存

超低功耗

- 突发模式读90毫安， 66 MHz的最高，能

75兆赫（加固BGA只）

- 编程/擦除： 50mA以下

- 待机模式： CMOS ： 60 μA（最大值）

每个扇区的典型百万的写入周期

20年数据保留典型

VersatileI / O 控制

- 设备产生的数据的输出电压，并且能够忍耐

数据的输入电压由所述电压测定

在V

IO

针

- 1.65 V至2.75 V兼容的I / O信号

软件特点

持久扇区保护

- 一个命令扇区保护方法来锁定

个别部门和行业团体的组合

防止程序或内擦除操作

部门（只需要V

CC

级别）

密码扇区保护

- 一个成熟的行业保护方法来锁定

个别部门和行业团体的组合

防止程序或内擦除操作

使用用户定义的64位密码界

支持通用闪存接口（ CFI ）

解锁绕道程序命令

- 发行时降低了总体规划的时间

多个程序的命令序列

数据＃查询和翻转位

- 提供了检测程序的软件或方法

擦除操作完成

硬件特性

程序挂起/恢复&擦除挂起/

简历

- 挂起编程或擦除操作，使

读取，编程或擦除在同一家银行

硬件复位（ RESET ＃ ） ，就绪/忙＃ （ RY /

BY ＃ ） ，和写保护（ WP ＃ ）输入

ACC输入

- 加速编程时间为更高的吞吐量

系统在生产过程中

封装选项

- 80引脚PQFP

- 80 - ball加固BGA

性能特点

高性能的读取访问权限

- 初始/随机存取时间快48纳秒

- 突发存取时间快7.5纳秒的球栅阵列

包

公开号

30606

调整

B

修订

0

发行日期

2004年3月22日

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μAs

是“

无担保或任何形式的担保其准确性，完整性，可操作性，适合特定目的的适销性，非侵权

A D V A N权证

我N· R M一T I O 4 N

概述

该S29CD032G是32兆， 2.5伏，只有单电源供电突发模式

快闪存储器装置。该装置可被配置为1,048,576双字。

该设备还可以在标准EPROM编程器编程。

为了消除总线争用，每个设备都有独立的芯片使能（ CE ＃ ），写

使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。额外的控制输入为重

需要准备同步突发操作：加载突发地址有效（ ADV ＃ ） ，和

时钟（CLK） 。

只有每个设备都需要

采用2.5或2.6伏电源

（ 2.5 V至2.75

V）的读写功能。 12.0伏V

PP

不需要程序

或擦除操作，虽然加速引脚可用，如果编程速度更快

铭性能是必需的。

该设备完全指令集的兼容

JEDEC单加电

供应闪光的标准。

设置软件命令与的COM兼容

命令集的5 V Am29F和3 V Am29LV闪光的家庭。命令

写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。

寄存器的内容作为输入到一个内部状态机，用于控制

擦除和编程电路。写周期内部也锁存地址和

所需的编程数据和擦除操作。读出数据的

装置是相似的，从其他闪存或EPROM器件读取。

该

解锁绕道

模式只要求有利于更快的编程时间

两个写周期编程数据，而不是四个。

该

同时读/写架构

同时提供操作

通过将存储器空间划分为两个组。该设备可以开始编程

或擦除在一家银行，然后同时从其他银行的阅读，有

零延迟。此从等待完成程序的释放系统

或擦除操作。见同时读/写操作概述和再

strictions第13页。

该装置提供了一个256字节的

SecSi （安全硅）行业

与单

一次性可编程（ OTP）的机制。

此外，该器件具有几个级别部门的保护，它可以显示

既能编程和擦除某些部门或行业团体操作：

持久扇区保护

是重新命令扇区保护方法

宿老12 V控制的保护方法;

密码扇区保护

是需要密码之前一个高度复杂的保护方法

改变某些部门或行业团体被允许;

WP ＃硬件亲

tection

防止编程或擦除在最外边的两个8字节的扇区

大型银行。

该设备默认的持久扇区保护模式。客户必须

那么如果选择标准或密码保护方法是最可取的。该

WP ＃硬件保护功能总是可用的，独立于其他

保护方法选择。

该

VersatileI / O （V

CCQ

)

功能允许对所产生的输出电压

基于所述V器件来确定

IO

的水平。此功能允许这台设备

工作在1.8 VI / O环境中，驱动信号和接收信号，并从

其它1.8 V设备在同一总线上。

主机系统可以检测是否编程或擦除操作完成了

观察RY / BY ＃引脚，通过读DQ7 （数据＃查询） ，或DQ6 （切换）

2

S29CD032G

2004年30606B0 3月22日，

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状态位。

后一个程序或擦除周期已经完成，该装置是

准备读阵列数据或接受另一个命令。

该

扇区擦除架构

允许存储扇区被擦除和重现

编程，而不会影响其他部门的数据内容。该装置是完全

从工厂发货时被擦除。

硬件数据保护

措施包括低V

CC

探测器automat-

ically在电源转换禁止写操作。该

密码

软件行业保护

功能禁用这两个编程和擦除操作

系统蒸发散在的存储器扇区的任意组合。这可以在系统内可以实现

在V

CC

的水平。

该

编程/擦除暂停/删除恢复

特征使用户能够把

擦除搁置任何一段时间内读取数据，或程序数据，任何

部门未选择删除。因此，真正的背景擦除可

实现的。

该

硬件RESET ＃引脚

终止正在进行的任何操作，并复位

内部状态机来读取阵列数据。

该器件提供两种省电功能。当地址已经稳定

对于一个指定的时间量，该设备进入

自动休眠模式。

该系统还可以将设备插入

待机模式。

功率消耗

灰是在这两种模式下大大降低。

AMD的闪存技术，结合多年的闪存制造实验

ENCE产生的质量，可靠性和成本效益最高的水平。

该装置通过电同时删除一个扇区内的所有位

福勒- Nordheim隧穿。的数据是使用热电子编程

注入。

2004年3月22日30606B0

S29CD032G

3

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目录

产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.6

框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

框图

同时读/写电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8

连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.9

特殊包装处理说明............................................. 10

引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11

逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12

X32模式................................................ .................................................. 12

订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13

设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14

表1.设备总线操作............................................ 14

持久扇区保护............................................... ........................................ 27

密码扇区保护............................................... ......................................... 27

WP ＃硬件保护.............................................. ........................................... 27

持久扇区保护............................................... ............. 28

持久保护位（ PPB ） ............................................ ...................................... 28

持久保护位锁定（ PPB锁） .......................................... ................... 28

动态保护位（ DYB ） ............................................ ....................................... 28

表11.扇区保护计划.................................. 30

持久扇区保护模式锁定位......................... 30

密码保护模式............................................... ................ 30

密码和密码模式锁定位.................................... 31

64位密码................................................................................................................ 31

VersatileI / O （V

IO

）控制................................................ .............. 15

对于读阵列数据要求........................................... 15

同时读/写

操作概述和限制.......................................... 15

概观............................................................................................................................ 15

限制........................................................................................................................ 15

表2.银行分配为引导银行

行业设备................................................ ................. 16

写保护（ WP ＃ ） ............................................ .............................. 32

SecSi （安全硅）扇区保护.................................. 32

SecSi扇区保护位.............................................. .................. 33

持久保护位锁定.............................................. ............ 33

硬件数据保护............................................... ................. 33

低V

CC

写禁止................................................ .................................................. 33

写脉冲“毛刺”保护............................................ .................................... 33

逻辑禁止................................................................................................................... 34

上电写禁止............................................. .................................................. 34

V

CC

和V

IO

上电和断电排序...................................... 34

对于订购选项00 ............... 35表12扇区地址

对于订购选项01 ............... 38表13扇区地址

同时读/写操作零延迟..... 16

表3.订购选项00 ............................................ ... 16

表4.订购选项01 ............................................ ... 16

写命令/命令序列................................... 16

加快编程和擦除操作............................................. ............. 17

自动选择功能...................................................................................................... 17

通用闪存接口（ CFI ） 。 。 。 。 。 。 。 0.41

表14 。

表15 。

表16 。

表17 。

CFI查询标识字符串............................. 41

CFI系统接口字符串................................. 42

设备几何定义................................. 43

CFI主要供应商特定的扩展查询......... 44

自动休眠模式（ ASM ） ............................................ ............... 17

待机模式................................................................................................................... 17

RESET ＃ ：硬件复位引脚............................................ ................ 18

输出禁止模式............................................... ............................ 18

自选模式................................................ ................................... 18

表5. S29CD032G自选代码（高压法） 19

异步读取操作（非连拍） ................................ 19

图1.异步读取操作............................... 20

同步（突发）读操作............................................ 20

线性突发读操作.............................................. ............ 20

表6. 32位线性和突发数据令........................ 21

CE＃控制在平板模式............................................ .......................................... 22

ADV ＃控制在平板模式............................................ ...................................... 22

在平板模式RESET ＃控制............................................ ................................... 22

OE ＃控制在平板模式............................................ ......................................... 22

IND / WAIT ＃运行在平板模式.......................................... ....................... 22

表7.有效配置寄存器位定义为IND / WAIT ＃

22

图2.最终连拍指示（ IND / WAIT ＃ ）时间为8位线性

字突发操作............................................... ......... 23

突发访问时序控制.............................................. ........................................ 23

最初的突发存取延迟控制............................................. ............................... 23

表8.突发初始接入时延....................................... 24

图3.初始脉冲串延时控制..................................... 24

突发CLK EDGE数据传送............................................. ...................................... 24

突发数据保持控制.............................................. ............................................... 24

断言RESET＃在突发访问........................................... ................... 24

命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 46

在读的非突发模式阵列数据...................................... 46

阅读连拍模式阵列数据............................................ .... 46

读/复位命令.............................................. ........................... 47

自选命令................................................ .......................... 47

程序命令序列............................................... ............ 47

加快程序命令............................................... ...... 48

解锁绕道命令序列.............................................. 48

图4.程序运行............................................. 49

解锁绕道进入命令.............................................. ................................... 49

解锁绕道程序命令.............................................. ............................ 50

解锁绕道芯片擦除命令............................................. ......................... 50

解锁绕道CFI命令.............................................. ...................................... 50

解锁绕道复位命令.............................................. .................................. 50

芯片擦除命令............................................... .......................... 50

扇区擦除命令............................................... ........................ 51

图5.擦除操作............................................. ..... 52

扇区擦除和编程挂起命令........................... 52

扇区擦除和编程暂停运行机制...... 53

表18.允许执行的操作在擦除/编程挂起53

配置寄存器................................................ ........................ 25

表9.配置寄存器定义........................... 25

表10.配置寄存器后器件复位............... 27

初始接入时延配置.............................................. .... 27

扇区保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27

部门与部门团体.............................................. ............................................. 27

扇区擦除和编程恢复命令............................ 54

配置寄存器读命令........................................ 54

配置寄存器写入命令...................................... 54

通用闪存接口（ CFI ）命令.................................... 54

SecSi行业进入命令.............................................. .............. 55

密码程序命令............................................... ........... 56

密码验证命令............................................... ................. 56

密码保护模式锁定位程序命令0.56

持久扇区保护模式锁定位程序的COM

2004年30606B0 3月22日，

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普通话......................................................................................................... 57

SecSi扇区保护位程序命令........................ 57

PPB锁定位设置命令............................................. ................. 57

DYB写命令............................................... ......................... 57

密码解锁指令............................................... .............. 58

PPB程序命令............................................... ...................... 58

所有PPB擦除命令.............................................. ...................... 59

DYB写................................................ .............................................. 59

PPB锁定位设置.............................................. ...................................... 59

DYB状态................................................ .............................................. 59

PPB状态................................................ ............................................... 59

PPB锁定位状态.............................................. ................................ 59

非易失性保护位编程和擦除流程............. 59

表19.内存阵列命令定义（ X32模式） ..... 61

表20.扇区保护命令定义（ X32模式） 0.62

直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70

图10.我

CC1

电流与时间（显示主动和自动

休眠电流） .............................. ................. 71

图11.典型I

CC1

与频率的关系.................................. 71

图12.测试设置............................................. .......... 72

表22.测试规范............................................. 。 72

测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 72

关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 72

图13.输入波形和测量水平........... 72

交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73

图14. V

CC

和V

IO

电调图........................... 73

图15.传统的读操作时序................. 74

图16.突发模式读取（ X32模式） .............................. 76

图17.异步命令写时序................. 77

图18.同步命令读/写时序........... 77

图19. RESET ＃时序............................................ ... 78

图20. WP ＃时序............................................ ......... 79

图21.编程操作时序................................ 81

图22.芯片/扇区擦除操作时序................... 82

图23.返回到后周期时序................................ 82

图24.数据＃投票计时

（在嵌入式算法） .......................................... 83

图25.触发位计时

（在嵌入式算法） .......................................... 83

图26. DQ2与DQ6擦除/擦除挂起操作。 84

图27.同步数据轮询定时/触发位计时84

图28.部门保护/撤消时序图............. 85

图29.备用CE ＃控制的写操作时序。 87

DQ7 ：数据＃投票............................................. ................................. 63

图6.数据＃投票算法....................................... 64

RY / BY ＃ ：就绪/忙＃ ......................................... ................................ 65

DQ6 ：切换位I ............................................. ..................................... 65

DQ2 ：触发位II ............................................. ................................... 66

阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ............ 66

图7.切换位算法............................................ 67

DQ5 ：超过时序限制............................................. ............. 68

DQ3 ：扇区擦除定时器............................................. ..................... 68

表21.写操作状态........................................ 68

绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.69

图8.最大负过冲波形................ 69

图9.最大正过冲波形................. 69

工业级（I ）设备......................................................................................................69

扩展（ E）设备....................................................................................................69

V

CC

电源电压......................................................................................................69

V

IO

电源电压.......................................................................................................69

擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 。 88

闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 88

PQFP和加固BGA引脚电容。 。 。 。 。 88

物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 89

修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.91

2004年3月22日30606B0

S29CD032G

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