摩托罗拉
半导体技术资料
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通过M1MA151WKT1 / D
共阴极硅
双开关二极管
这些共阴极硅外延平面双二极管是专为使用
在超高速开关应用。这些装置容纳在所述SC- 59
包是专为低功耗表面贴装应用。
快TRR ， < 3.0纳秒
低CD ， < 2.0 pF的
可在8毫米磁带和卷轴
使用M1MA151 / 2WKT1责令7英寸/ 3000单元卷轴。
使用M1MA151 / 2WKT3订购13英寸/ 10,000件卷轴。
阴极
3
M1MA151WKT1
M1MA152WKT1
摩托罗拉的首选设备
SC- 59封装
共阴极
双开关二极管
40/80 V-百毫安
表面贴装
3
2
2
1
阳极
1
最大额定值
（ TA = 25°C ）
等级
反向电压
M1MA151WKT1
M1MA152WKT1
峰值反向电压
M1MA151WKT1
M1MA152WKT1
正向电流
单身
双
最大正向电流
单身
双
峰值正向浪涌电流
单身
双
IFSM(1)
IFM
IF
VRM
符号
VR
价值
40
80
40
80
100
150
225
340
500
750
单位
VDC
CASE 318D -03 ，花柱3
SC–59
VDC
MADC
MADC
MADC
热特性
等级
功耗
结温
储存温度
符号
PD
TJ
TSTG
最大
200
150
- 55至+ 150
单位
mW
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
反向电压漏电流
M1MA151WKT1
M1MA152WKT1
正向电压
反向击穿电压
M1MA151WKT1
M1MA152WKT1
二极管电容
反向恢复时间
1， T = 1秒
2. TRR测试电路
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
符号
IR
VF
VR
CD
trr(2)
条件
VR = 35 V
VR = 75 V
IF = 100毫安
IR = 100
A
VR = 0中，f = 1.0兆赫
IF = 10 mA时， VR = 6.0 V，
RL = 100
,
IRR = 0.1 IR
民
—
—
—
40
80
—
—
最大
0.1
0.1
1.2
—
—
2.0
3.0
单位
μAdc
VDC
VDC
pF
ns
REV 3
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
