乐山无线电公司， LTD 。
共阳极硅
双开关二极管
这些共阴极硅外延平面双二极管是
设计用于超高速开关应用中使用。这些
设备被容纳在所述SC- 59包被设计为低
功率表面贴装应用。
快速吨
rr
， < 3.0纳秒
低C
D
， < 2.0 pF的
可在8毫米磁带和卷轴
使用M1MA151 / 2WKT1责令7英寸/ 3000单元卷轴。
使用M1MA151 / 2WKT3订购13英寸/ 10,000件卷轴。
阴极
3
M1MA151WKT1
M1MA152WKT1
SC- 59封装
共阴极
双开关二极管
40/80 V- 100毫安
表面贴装
3
2
1
2
阳极
1
例
318D -03 ，节日礼物
SC–59
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
反向电压
峰值反向电压
正向电流
最大正向电流
峰值正向浪涌电流
符号
M1MA151WAT1
V
R
M1MA152WAT1
M1MA151WAT1
M1MA152WAT1
单身
双
单身
双
单身
双
V
RM
I
F
I
FM
I
FSM （ 1 ）
价值
40
80
40
80
100
150
225
340
500
750
Symbo
P
D
T
J
T
英镑
LMAX
200
150
-55到+150
单位
mW
°C
°C
条件
V
R
= 35 V
V
R
= 75 V
I
F
= 100毫安
I
R
= 100
A
V
R
= 0中，f = 1.0兆赫
I
F
= 10 mA时， V
R
= 6.0 V,
R
L
= 100, I
rr
= 0.1 I
R
民
—
—
—
40
80
—
—
最大
0.1
0.1
1.2
—
—
2.0
3.0
单位
μAdc
VDC
VDC
pF
ns
单位
VDC
VDC
MADC
MADC
MADC
热特性
等级
功耗
结温
储存温度
电气特性
(T
A
= 25°C)
特征
反向电压漏电流M1MA151WAT1
M1MA152WAT1
正向电压
反向击穿电压
二极管电容
反向恢复时间
1， T = 1秒
2. t
rr
测试电路
M1MA151WAT1
M1MA152WAT1
C
D
t
rr (2)
V
F
V
R
符号
I
R
H4–1/2
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过M1MA151WKT1 / D
共阴极硅
双开关二极管
这些共阴极硅外延平面双二极管是专为使用
在超高速开关应用。这些装置容纳在所述SC- 59
包是专为低功耗表面贴装应用。
快TRR ， < 3.0纳秒
低CD ， < 2.0 pF的
可在8毫米磁带和卷轴
使用M1MA151 / 2WKT1责令7英寸/ 3000单元卷轴。
使用M1MA151 / 2WKT3订购13英寸/ 10,000件卷轴。
阴极
3
M1MA151WKT1
M1MA152WKT1
摩托罗拉的首选设备
SC- 59封装
共阴极
双开关二极管
40/80 V-百毫安
表面贴装
3
2
2
1
阳极
1
最大额定值
（ TA = 25°C ）
等级
反向电压
M1MA151WKT1
M1MA152WKT1
峰值反向电压
M1MA151WKT1
M1MA152WKT1
正向电流
单身
双
最大正向电流
单身
双
峰值正向浪涌电流
单身
双
IFSM(1)
IFM
IF
VRM
符号
VR
价值
40
80
40
80
100
150
225
340
500
750
单位
VDC
CASE 318D -03 ，花柱3
SC–59
VDC
MADC
MADC
MADC
热特性
等级
功耗
结温
储存温度
符号
PD
TJ
TSTG
最大
200
150
- 55至+ 150
单位
mW
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
反向电压漏电流
M1MA151WKT1
M1MA152WKT1
正向电压
反向击穿电压
M1MA151WKT1
M1MA152WKT1
二极管电容
反向恢复时间
1， T = 1秒
2. TRR测试电路
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
符号
IR
VF
VR
CD
trr(2)
条件
VR = 35 V
VR = 75 V
IF = 100毫安
IR = 100
A
VR = 0中，f = 1.0兆赫
IF = 10 mA时， VR = 6.0 V，
RL = 100
,
IRR = 0.1 IR
民
—
—
—
40
80
—
—
最大
0.1
0.1
1.2
—
—
2.0
3.0
单位
μAdc
VDC
VDC
pF
ns
REV 3
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过M1MA151WKT1 / D
共阴极硅
双开关二极管
这些共阴极硅外延平面双二极管是专为使用
在超高速开关应用。这些装置容纳在所述SC- 59
包是专为低功耗表面贴装应用。
快TRR ， < 3.0纳秒
低CD ， < 2.0 pF的
可在8毫米磁带和卷轴
使用M1MA151 / 2WKT1责令7英寸/ 3000单元卷轴。
使用M1MA151 / 2WKT3订购13英寸/ 10,000件卷轴。
阴极
3
M1MA151WKT1
M1MA152WKT1
摩托罗拉的首选设备
SC- 59封装
共阴极
双开关二极管
40/80 V-百毫安
表面贴装
3
2
2
1
阳极
1
最大额定值
（ TA = 25°C ）
等级
反向电压
M1MA151WKT1
M1MA152WKT1
峰值反向电压
M1MA151WKT1
M1MA152WKT1
正向电流
单身
双
最大正向电流
单身
双
峰值正向浪涌电流
单身
双
IFSM(1)
IFM
IF
VRM
符号
VR
价值
40
80
40
80
100
150
225
340
500
750
单位
VDC
CASE 318D -03 ，花柱3
SC–59
VDC
MADC
MADC
MADC
热特性
等级
功耗
结温
储存温度
符号
PD
TJ
TSTG
最大
200
150
- 55至+ 150
单位
mW
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
反向电压漏电流
M1MA151WKT1
M1MA152WKT1
正向电压
反向击穿电压
M1MA151WKT1
M1MA152WKT1
二极管电容
反向恢复时间
1， T = 1秒
2. TRR测试电路
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
符号
IR
VF
VR
CD
trr(2)
条件
VR = 35 V
VR = 75 V
IF = 100毫安
IR = 100
A
VR = 0中，f = 1.0兆赫
IF = 10 mA时， VR = 6.0 V，
RL = 100
,
IRR = 0.1 IR
民
—
—
—
40
80
—
—
最大
0.1
0.1
1.2
—
—
2.0
3.0
单位
μAdc
VDC
VDC
pF
ns
REV 3
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
M1MA151WKT1 ， M1MA152WKT1
电气特性
(T
A
= 25°C)
特征
反向电压漏电流
M1MA151WKT1
M1MA152WKT1
正向电压
反向击穿电压
M1MA151WKT1
M1MA152WKT1
二极管电容
反向恢复时间（图1 ）
2. t
rr
测试电路
C
D
t
rr
（注2 ）
V
F
V
R
符号
I
R
V
R
= 35 V
V
R
= 75 V
I
F
= 100毫安
I
R
= 100
mA
V
R
= 0中，f = 1.0兆赫
I
F
= 10 mA时， V
R
= 6.0 V,
R
L
= 100
W,
I
rr
= 0.1 I
R
40
80
0.1
1.2
2.0
3.0
条件
民
最大
单位
MADC
VDC
VDC
pF
ns
恢复时间等效测试电路
输入脉冲
t
r
t
p
t
输出脉冲
I
F
t
rr
t
A
R
L
10%
I
rr
= 0.1 I
R
90%
V
R
t
p
= 2
ms
t
r
= 0.35纳秒
I
F
= 10毫安
V
R
= 6 V
R
L
= 100
W
图1.反向恢复时间等效测试电路
http://onsemi.com
2
M1MA151WKT1 ， M1MA152WKT1
包装尺寸
SC59
CASE 318D -04
ISSUE摹
D
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
MILLIMETERS
喃
最大
1.15
1.30
0.06
0.10
0.43
0.50
0.14
0.18
2.90
3.10
1.50
1.70
1.90
2.10
0.40
0.60
2.80
3.00
英寸
喃
0.045
0.002
0.017
0.005
0.114
0.059
0.075
0.016
0.110
3
H
E
2
1
E
b
e
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
H
E
民
1.00
0.01
0.35
0.09
2.70
1.30
1.70
0.20
2.50
民
0.039
0.001
0.014
0.003
0.106
0.051
0.067
0.008
0.099
最大
0.051
0.004
0.020
0.007
0.122
0.067
0.083
0.024
0.118
A
A1
L
C
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.4
0.094
1.0
0.039
0.8
0.031
mm
英寸
SCALE 10 ： 1
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA
电话：
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
电话：
81357733850
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息，请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
3
M1MA151WKT1/D
共阳极硅
双开关二极管
这些共阴极硅外延平面双二极管是
设计用于超高速开关应用中使用。这些
设备被容纳在所述SC- 59包被设计为低
功率表面贴装应用。
快速吨
rr
， < 3.0纳秒
低C
D
， < 2.0 pF的
可在8毫米磁带和卷轴
使用M1MA151 / 2WKT1责令7英寸/ 3000单元卷轴。
使用M1MA151 / 2WKT3订购13英寸/ 10,000件卷轴。
阴极
3
M1MA151WKT1
M1MA152WKT1
SC- 59封装
共阴极
双开关二极管
40/80 V- 100毫安
表面贴装
3
2
1
2
阳极
1
例
318D -03 ，节日礼物
SC–59
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
反向电压
峰值反向电压
正向电流
最大正向电流
峰值正向浪涌电流
符号
M1MA151WAT1
V
R
M1MA152WAT1
M1MA151WAT1
M1MA152WAT1
单身
双
单身
双
单身
双
V
RM
I
F
I
FM
I
FSM （ 1 ）
价值
40
80
40
80
100
150
225
340
500
750
Symbo
P
D
T
J
T
英镑
LMAX
200
150
-55到+150
单位
mW
°C
°C
条件
V
R
= 35 V
V
R
= 75 V
I
F
= 100毫安
I
R
= 100
A
V
R
= 0中，f = 1.0兆赫
I
F
= 10 mA时， V
R
= 6.0 V,
R
L
= 100, I
rr
= 0.1 I
R
民
—
—
—
40
80
—
—
最大
0.1
0.1
1.2
—
—
2.0
3.0
单位
μAdc
VDC
VDC
pF
ns
单位
VDC
VDC
MADC
MADC
MADC
热特性
等级
功耗
结温
储存温度
电气特性
(T
A
= 25°C)
特征
反向电压漏电流M1MA151WAT1
M1MA152WAT1
正向电压
反向击穿电压
二极管电容
反向恢复时间
1， T = 1秒
2. t
rr
测试电路
M1MA151WAT1
M1MA152WAT1
C
D
t
rr (2)
V
F
V
R
符号
I
R
H4–1/2
M1MA151WKT1,
M1MA152WKT1,
SM1MA151WKT1G
共阴极硅
双开关二极管
这些共阴极硅外延平面双二极管是
设计用于超高速开关应用中使用。这些
设备被容纳在所述SC- 59包被设计为低
功率表面贴装应用。
特点
http://onsemi.com
SC- 59封装单晶硅
开关二极管40 V / 80 V百毫安
表面贴装
快速吨
rr
， < 3.0纳秒
低C
D
， < 2.0 pF的
AEC - Q101标准，并有能力PPAP
S前缀为汽车和独特需要其他应用程序
站点和控制变化的要求
无铅包可用*
SC59
CASE 318D
方式3
3阴极
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
反向电压
M1MA151WKT1 ， SM1MA151WKT1G
M1MA152WKT1
峰值反向电压
M1MA151WKT1 ， SM1MA151WKT1G
M1MA152WKT1
正向电流
单身
双
最大正向电流
单身
双
峰值正向浪涌电流
单身
双
符号
V
R
价值
40
80
40
80
100
150
225
340
500
750
单位
1
VDC
阳极2
标记图
MX M
G
G
MX =器件代码
x
=为151牛逼
U代表152
M =日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
V
RM
VDC
I
F
MADC
I
FM
MADC
I
FSM
（注1 ）
MADC
热特性
等级
功耗
结温
储存温度
符号
P
D
T
J
T
英镑
最大
200
150
55
到+ 150
单位
mW
°C
°C
订购信息
设备
M1MA151WKT1
M1MA151WKT1G
SM1MA151WKT1G
M1MA152WKT1
M1MA152WKT1G
包
SC59
航运
3000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1， T = 1秒
SC - 59 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
SC - 59 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
SC59
3000 /磁带&卷轴
SC - 59 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
M1MA151WKT1/D
， 2012年7月
启示录11
1
M1MA151WKT1 ， M1MA152WKT1 ， SM1MA151WKT1G
电气特性
(T
A
= 25°C)
特征
反向电压漏电流
M1MA151WKT1 ， SM1MA151WKT1G
M1MA152WKT1
正向电压
反向击穿电压
M1MA151WKT1 ， SM1MA151WKT1G
M1MA152WKT1
二极管电容
反向恢复时间（图1 ）
2. t
rr
测试电路
符号
I
R
条件
V
R
= 35 V
V
R
= 75 V
I
F
= 100毫安
I
R
= 100
mA
V
R
= 0中，f = 1.0兆赫
I
F
= 10 mA时， V
R
= 6.0 V,
R
L
= 100
W,
I
rr
= 0.1 I
R
民
40
80
最大
0.1
0.1
1.2
2.0
3.0
单位
MADC
VDC
VDC
pF
ns
V
F
V
R
C
D
t
rr
（注2 ）
恢复时间等效测试电路
输入脉冲
t
r
t
p
输出脉冲
t
rr
I
F
t
t
A
R
L
10%
I
rr
= 0.1 I
R
90%
V
R
t
p
= 2
ms
t
r
= 0.35纳秒
I
F
= 10毫安
V
R
= 6 V
R
L
= 100
W
图1.反向恢复时间等效测试电路
http://onsemi.com
2
M1MA151WKT1 ， M1MA152WKT1 ， SM1MA151WKT1G
1000
I
F
，正向电流（mA ）
I
R
，反向电流（毫安）
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
10
20
30
T
A
=
55°C
T
A
= 25°C
T
A
= 150°C
100
10
1
155°C
0
0.2
25°C
0.4
0.6
T
A
=
55°C
0.8
1
1.2
0.1
1.4
0.00001
40
50
60
70
80
V
F
，正向电压（ V）
V
R
，反向电压（V）的
图2.正向电压
0.64
C
d
，二极管电容（PF ）
0.62
0.6
0.58
0.56
0.54
0.52
0.5
0
1
2
3
4
5
6
图3.反向泄漏
7
8
V
R
，反向电压（V）的
图4.二极管电容
http://onsemi.com
3
M1MA151WKT1 ， M1MA152WKT1 ， SM1MA151WKT1G
包装尺寸
SC *
59
04
CASE 318D *
ISSUE
D
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
H
E
民
1.00
0.01
0.35
0.09
2.70
1.30
1.70
0.20
2.50
MILLIMETERS
喃
最大
1.15
1.30
0.06
0.10
0.43
0.50
0.14
0.18
2.90
3.10
1.50
1.70
1.90
2.10
0.40
0.60
2.80
3.00
民
0.039
0.001
0.014
0.003
0.106
0.051
0.067
0.008
0.099
英寸
喃
0.045
0.002
0.017
0.005
0.114
0.059
0.075
0.016
0.110
最大
0.051
0.004
0.020
0.007
0.122
0.067
0.083
0.024
0.118
H
E
3
1
2
E
b
e
C
L
A
A1
方式3 ：
PIN 1.阳极
2.ANODE
3.CATHODE
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.4
0.094
1.0
0.039
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
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*
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