位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第29页 > K4N26323AE-GC22 > K4N26323AE-GC22 PDF资料 > K4N26323AE-GC22 PDF资料2第41页
K4N26323AE-GC
30欧姆驱动ODT @ 60欧姆的修复。
128M GDDR2 SDRAM
1.对于DDR SDRAM器件的典型下拉VI曲线将图一的VI曲线的内部边界线内。
2.在驱动器的下拉电流的30欧姆@ ODT 60欧姆修复变异从最小到最大的过程中，温度和电压
会说谎的外边框线条图一的VI曲线的范围内。
60
50
40
最大
典型
最低
IOUT （MA ）
30
20
10
0
-10
-20
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9
图一：下拉特点酒色
Vout的（V）的
3.对于DDR SDRAM器件的典型的上拉VI曲线将是下图b中的VI曲线的内部边界线内。
4.从最小到最大的过程中，温度和电压的30欧姆@ ODT 60欧姆修复变异上拉电流会说谎
内Figrue b的VI曲线的外边界线。
20
10
0
IOUT （MA ）
-10
-20
-30
-40
-50
-60
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9
Minumum
典型
最大
Vout的（V）的
图B ：上拉特点酒色
5.在最大最小上拉和下拉电流的比率的30欧姆的ODT @ 60欧姆修复变异不会超过1.7 ，为
设备的漏源电压从0到VDDQ / 2
6.在标称上拉的比率的30欧姆的ODT @ 60欧姆修复变异到下拉电流应该为1 ±10％ ，对于设备漏
至源极电压从0到VDDQ / 2
- 41 -
修订版1.7 （ 2003年1月）
