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K4N26323AE-GC
下拉电流（mA ）
电压（V）的
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
128M GDDR2 SDRAM
上拉电流（mA ）
最大
0.0
6.3
11.8
16.4
20.4
23.5
25.9
27.5
28.4
29.0
29.3
29.5
29.7
29.9
30.0
30.1
30.2
30.3
30.3
30.4
典型
0.0
4.4
8.1
11.2
13.8
15.9
17.4
18.4
19.0
19.4
19.7
19.8
20.0
20.1
20.2
20.2
20.3
20.4
20.4
20.5
最低
0.0
3.0
5.5
7.6
9.3
10.6
11.5
12.1
12.4
12.6
12.8
12.9
13.0
13.1
13.1
13.2
13.2
13.3
13.3
13.5
典型
0.0
-3.6
-6.9
-9.7
-12.2
-14.3
-16.1
-17.4
-18.4
-19.1
-19.7
-20.3
-20.7
-21.1
-21.5
-21.8
-22.1
-22.4
-22.6
-22.9
最低
0.0
-2.5
-4.6
-6.6
-8.2
-9.6
-10.7
-11.6
-12.3
-12.8
-13.2
-13.6
-13.9
-14.2
-14.5
-14.7
-14.9
-15.1
-15.3
-15.5
最大
0.0
-4.9
-9.3
-13.3
-17.0
-20.1
-22.7
-24.6
-26.0
-27.1
-28.0
-28.7
-29.3
-29.8
-30.3
-30.7
-31.1
-31.4
-31.8
-32.1
温（Tj ）
50
°C
100
°C
0
°C
典型
最低
最大
VDD / VDDQ
典型
最低
最大
2.5V
2.4V
2.6V
上述特点在最佳，最差和正常的制程变异/条件规定
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修订版1.7 （ 2003年1月）
