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M39432
图13.写模式AC波形（W受控）
写周期
A0-A18
有效
tWLAX
tAVWL
E
(1)
tELWL
G
tGHWL
W
tWHWL
tDVWH
DQ0-DQ7
有效
tWHRH
RB
tWHRL
VCC
tVCHEL
AI01953
tWHEH
tWHGL
tWLWH
tWHDX
注：1， E则代表EF时EE = V
IH
，它标志着EE当EF = V
IH
.
2.地址被锁止在W的下降沿，数据被锁存， W的上升沿
切换位（ DQ6 ）停止切换时，
擦除周期暂停。切换位状态
必须用一个地址，它是不是在被监控
闪存部门被删除。 DQ6将停止
在15切换
s
擦除的暂停
指令已经发送。该M39432会
然后被自动设置为读取闪存
模式。
当擦除周期暂停，从阅读
那名被擦除闪存行业会
返回无效数据。阅读是从任何Flash有效
那些没有被擦除扇区。在擦除
暂停周期，闪存只响应
要删除恢复和复位指令。
RESET指令将最终中止擦除
周期，并可以离开无效数据在闪存
这是被擦除扇区。
删除恢复教学。
如果擦除挂起
指令已执行的最后，
该指令允许擦除周期是
恢复。擦除恢复指令涉及
写30h中的任何地址（见表4）。
闪存扇区保护和unprotection的
每一个Flash扇区可分别进行保护
对编程或擦除指令。此模式
当两个A9和G被设置为V被激活
ID
（在表11中指定）和闪存部门
地址被施加在A16， A17和A18 ，如
在图8和表9所示。
闪存扇区保护编程与
电平的特定序列的帮助下施加在
EF， EE ，G， A0，A1， A6， A9， A16， A17和A18
线，如表9所示。
任何企图编程或擦除受保护的
Flash扇区由设备忽略。
闪存部门可以不受保护，允许
随后更新其内容。该部门
解除保护操作取消保护所有部门
一起（从扇区0到扇区7）。
闪存部门unprotection的操作
通过应用特定的水平上的EF调用
EE ，G， A0，A1， A6， A9 ，A12， A16， A17和A18
线，如表10所示。
保护状态验证即可
后获得每个新部门一直
保护，或在各行业已
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