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K4H560438D
16M X 4Bit的×4银行双倍数据速率SDRAM
DDR SDRAM
该K4H560438D是268435456位4位组织成4× 16777216字双数据速率同步DRAM ，制
与三星的高性能CMOS技术。有数据选通同步功能，让极高的性能可达
333MB / s的引脚。 I / O交易可能在DQS的两边。工作频率，可编程突发长度范围
可编程延迟允许该设备可用于各种高性能存储系统的应用是有用的。
概述
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VDD & VDDQ电源相电压VSS
储存温度
功耗
短路电流
符号
VIN，VOUT
VDD ， VDDQ
TSTG
PD
IOS
价值
-0.5 ~ 3.6
-1.0 ~ 3.6
-55 ~ +150
1.5
50
单位
V
V
°C
W
mA
注意：
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐的操作条件。
暴露于超过推荐的电压高的时间会影响器件的可靠性长时间
直流工作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压（为设备标称V
DD
2.5V的）
I / O电源电压
I / O参考电压
I / O端子电压（系统）
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输入的电压电平， CK和CK输入
输入差分电压， CK和CK输入
输入交叉点电压， CK和CK输入
输入漏电流
输出漏电流
输出高电流（普通strengh驱动程序）
;V
OUT
= V
TT
+ 0.84V
输出高电流（普通strengh驱动程序）
;V
OUT
= V
TT
- 0.84V
输出高电流（半strengh驱动程序）
;V
OUT
= V
TT
+ 0.45V
输出高电流（半strengh驱动程序）
;V
OUT
= V
TT
- 0.45V
符号
V
DD
V
DDQ
V
REF
V
TT
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
V
IN
（DC）的
V
ID
（DC）的
V
IX
（DC）的
I
I
I
OZ
I
OH
I
OL
I
OH
I
OL
民
2.3
2.3
VDDQ/2-50mV
V
REF
-0.04
V
REF
+0.15
-0.3
-0.3
0.3
1.15
-2
-5
-16.8
16.8
-9
9
最大
2.7
2.7
VDDQ/2+50mV
V
REF
+0.04
V
DDQ
+0.3
V
REF
-0.15
V
DDQ
+0.3
V
DDQ
+0.6
1.35
2
5
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
uA
uA
mA
mA
mA
mA
记
1
2
4
4
3
5
- 9 -
2.2版三月'03
