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K4H560438D
DDR SDRAM
注意事项1.包括
±
25mV的保证金DC上的V偏置
REF
的，和组合的总
±
50mV的保证金为所有AC噪声和直流偏移的
V
REF
带宽限制到20MHz 。在DRAM必须适应于V DRAM的电流尖峰
REF
和内部DRAM噪音
连接到V
REF
这两者都可能导致V
REF
噪声。 V
REF
应去耦用的电感
≤
3nH.
2. V
TT
不直接向设备施加。 V
TT
是预期的系统供给的信号终止电阻器，被设置为等于
V
REF
的，必须跟踪变化为V的DC电平
REF
3. V
ID
是在CK上的输入电平，并在CK上的输入电平之间的差的量值。
4.这些参数应在实际组件的引脚进行测试，并且可以在任一销或垫被检查
模拟。交流和直流输入规格相对于VREF信封已带宽限制到200MHz 。
5 V的值
IX
预计相当于0.5 * V
DDQ
发送设备的，并且必须跟踪变化的相同的DC电平。
DDR SDRAM IDD规格表
64Mx4
符号
IDD0
IDD1
IDD2P
IDD2F
IDD2Q
IDD3P
IDD3N
IDD4R
IDD4W
IDD5
IDD6
正常
低功耗
IDD7A
K4H560438D-GC(L)B3
(DDR333)
90
110
3
25
20
35
55
150
160
180
3
1.5
290
K4H560438D-GC(L)A2,B0
(DDR266A/B)
80
100
3
20
18
30
45
120
135
165
3
1.5
250
(V
DD
= 2.7V ， T = 10
°C
)
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
笔记
可选
交流工作条件
参数/条件
输入高电平（逻辑1 ）电压， DQ ， DQS和DM信号
输入低电平（逻辑0 ）电压，DQ ， DQS和DM信号。
输入差分电压， CK和CK输入
输入交叉点电压， CK和CK输入
符号
VIH （AC）的
VIL （AC）的
VID （AC）的
VIX （AC）的
0.7
0.5*VDDQ-0.2
民
VREF + 0.31
VREF - 0.31
VDDQ+0.6
0.5*VDDQ+0.2
最大
单位
V
V
V
V
记
3
3
1
2
注1的VID是CK的输入电平与所述输入上的CK之间的差的量值。
2. V的值
IX
预计相当于0.5 * V
DDQ
发送设备的，并且必须跟踪变化的相同的DC电平。
3.这些参数应在实际成分的PIM测试，并可以在任一引脚或仿真入门垫进行检查
分页。交流和直流输入specificatims是refation到Vref的信封已经有限的带宽为20MHz 。
冲/下冲规格
规范
参数
允许的最大过冲峰值
允许的最大冲峰值
过冲信号和VDD之间的区域必须小于或等于
下冲信号和GND之间的区域必须小于或等于
地址&
控制引脚
1.6 V
1.6 V
4.5 V -NS
4.5 V -NS
数据引脚
1.2V
1.2V
2.5 V -NS
2.5 V -NS
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2.2版三月'03
