MUN5111T1系列
首选设备
偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻
晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管
网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一
基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别
部件通过将它们集成到单个设备中。使用BRT的
能够显着降低系统成本和电路板空间。该设备被容纳在
采用SC-70 / SOT- 323封装，专为低功耗
表面贴装应用。
特点
http://onsemi.com
PNP硅
偏置电阻
晶体管
无铅包可用
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SC-70 / SOT- 323封装可以通过波或回流焊接。
在修改后的鸥翼引线吸收热应力
焊接消除了损坏模具的可能性。
可在8毫米压纹带和卷轴 - 使用的设备号
订购的7英寸/ 3000单元卷轴。替换“ T1”与“ T3 ”的
设备号订购13英寸/ 10,000件卷轴。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
销1
BASE
（输入）
R
1
R
2
3脚
集热器
（输出）
销2
辐射源
（接地）
3
1
2
SC70/SOT323
CASE 419
方式3
标记图
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
6X M
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
热阻，结到铅
结温和存储温度范围
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
最大
202 （注1）
310 （注2）
1.6 （注1 ）
2.5 （注2）
618 （注1 ）
403 （注2）
280 （注1 ）
332 （注2）
-55到+150
单位
mW
° C / W
° C / W
° C / W
°C
6x
M
=具体设备守则
（请参阅订购信息表）
=日期代码
订购信息
看到包的订货和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年10月 - 修订版7
出版订单号：
MUN5111T1/D
