【MUN5111T1系列首选设备偏置电阻晶体管PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络此新系列数字晶体】,IC型号MUN5134T1,MUN5134T1 PDF资料,MUN5134T1经销商,ic,电子元器件-51电子网

MUN5111T1系列

首选设备

偏置电阻晶体管

PNP硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

此新系列数字晶体管被设计为替代单一

设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻

晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管

网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一

基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别

部件通过将它们集成到单个设备中。使用BRT的

能够显着降低系统成本和电路板空间。该设备被容纳在

采用SC-70 / SOT- 323封装，专为低功耗

表面贴装应用。

特点

http://onsemi.com

PNP硅

偏置电阻

晶体管

无铅包可用

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

采用SC-70 / SOT- 323封装可以通过波或回流焊接。

在修改后的鸥翼引线吸收热应力

焊接消除了损坏模具的可能性。

可在8毫米压纹带和卷轴 - 使用的设备号

订购的7英寸/ 3000单元卷轴。替换“ T1”与“ T3 ”的

设备号订购13英寸/ 10,000件卷轴。

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

销1

BASE

（输入）

R

1

R

2

3脚

集热器

（输出）

销2

辐射源

（接地）

3

1

2

SC70/SOT323

CASE 419

方式3

标记图

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

6X M

热特性

特征

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

热阻，结到铅

结温和存储温度范围

1. FR-4 @最低垫

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫

符号

P

D

最大

202 （注1）

310 （注2）

1.6 （注1 ）

2.5 （注2）

618 （注1 ）

403 （注2）

280 （注1 ）

332 （注2）

-55到+150

单位

mW

° C / W

°C

6x

M

=具体设备守则

（请参阅订购信息表）

=日期代码

订购信息

看到包的订货和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

R

qJA

R

qJL

T

J

, T

英镑

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年10月 - 修订版7

出版订单号：

MUN5111T1/D

MUN5111T1系列

订购信息和电阻值

设备

MUN5111T1

MUN5111T1G

MUN5112T1

MUN5112T1G

MUN5113T1

MUN5113T3

MUN5113T1G

MUN5114T1

MUN5114T1G

MUN5115T1 （注3）

MUN5115T1G （注3）

MUN5116T1 （注3）

MUN5130T1 （注3）

MUN5130T1G （注3）

MUN5131T1 （注3）

MUN5131T1G （注3）

MUN5132T1 （注3）

MUN5132T1G （注3）

MUN5133T1 （注3）

MUN5133T1G （注3）

MUN5134T1 （注3）

MUN5135T1 （注3）

MUN5136T1

MUN5137T1

包

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

记号

6A

6B

6C

6D

6E

6F

6G

6H

6J

6K

6L

6M

6N

6P

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

100

22

航运

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

3.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。

http://onsemi.com

2

MUN5111T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

MUN5111T1

MUN5112T1

MUN5113T1

MUN5114T1

MUN5115T1

MUN5116T1

MUN5130T1

MUN5131T1

MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

MUN5135T1

MUN5136T1

MUN5137T1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

50

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

0.05

0.13

NADC

MADC

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

毫安，

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）

(I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

基本特征

（注4 ）

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

MUN5111T1

MUN5112T1

MUN5113T1

MUN5114T1

MUN5115T1

MUN5116T1

MUN5130T1

MUN5131T1

MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

MUN5135T1

MUN5136T1

MUN5137T1

h

FE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

60

100

140

250

5.0

15

27

140

130

140

150

140

0.25

VDC

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 10 mA时，我

E

= 0.3 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5 mA）的MUN5130T1 / MUN5131T1

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1 mA）的MUN5115T1 / MUN5116T1 /

MUN5132T1/MUN5133T1/MUN5134T1

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

MUN5111T1

MUN5112T1

MUN5114T1

MUN5115T1

MUN5116T1

MUN5130T1

MUN5131T1

MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

MUN5135T1

MUN5113T1

MUN5136T1

MUN5137T1

V

CE （ SAT ）

V

OL

0.2

VDC

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 5.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 4.0 V ，R

L

= 1.0千瓦）

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％

http://onsemi.com

3

MUN5111T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）（续）

特征

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.050 V ，R

L

= 1.0千瓦）

MUN5130T1

MUN5115T1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0千瓦）

MUN5116T1

MUN5131T1

MUN5132T1

输入电阻

MUN5111T1

MUN5112T1

MUN5113T1

MUN5114T1

MUN5115T1

MUN5116T1

MUN5130T1

MUN5131T1

MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

MUN5135T1

MUN5136T1

MUN5137T1

MUN5111T1/MUN5112T1/MUN5113T1/

MUN5136T1

MUN5114T1

MUN5115T1/MUN5116T1

MUN5130T1/MUN5131T1/MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

MUN5135T1

MUN5137T1

符号

V

OH

民

4.9

典型值

最大

单位

VDC

R1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

1.54

70

32.9

0.8

0.17

0.8

0.055

0.38

0.038

1.7

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

1.0

0.21

1.0

0.1

0.47

0.047

2.1

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

2.86

130

61.1

1.2

0.25

1.2

0.185

0.56

0.056

2.6

kW

电阻率

R

1

/R

2

250

PD ，功耗（毫瓦）

200

150

100

50

0

50

R

qJA

= 833 ° C / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

http://onsemi.com

4

MUN5111T1系列

电气特性 - MUN5111T1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

的hFE ， DC电流增益（标准化）

I

C

/I

B

= 10

1000

V

CE

= 10 V

T

A

= 25°C

0.1

75°C

25°C

T

A

= 75°C

100

25°C

0.01

0

20

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

图3.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

l

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

75°C

25°C

T

A

= 25°C

COB，电容（pF ）

3

IC ，集电极电流（毫安）

10

1

2

0.1

1

0.01

0

1

2

V

O

= 5 V

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

100

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

10

T

A

= 25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

图6.输入电压与输出电流

http://onsemi.com

5

乐山无线电公司， LTD 。

偏置电阻晶体管

PNP硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

此新系列数字晶体管被设计为替代单一

设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻

晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管

由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极

电阻器。在BRT消除了整合这些单独的组件

他们在单一设备中。使用BRT可降低系统成本

和电路板空间。该设备被容纳在所述SC- 70 / SOT- 323包

这是专为低功耗表面贴装应用。

MUN5111T1

系列

PNP硅

偏置电阻

晶体管

3

1

2

CASE 419 ，花柱3

SOT- 323 （ SC- 70 ）

销2

销1

BASE

（输入）

R

1

集热器

（输出）

3脚

辐射源

（接地）

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

采用SC-70 / SOT- 323封装可以通过波或回流焊接。

焊接过程中修改后的鸥翼引线吸收热应力

消除损坏模具的可能性。

R

2

MARKINGDIAGRAM

可在8毫米压纹带和卷轴

设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。

替换“ T1”与“ T3 ”的设备号命令

13英寸/ 10,000件卷轴。

器件标识信息

具体见标识信息在设备上的该数据的第2页标记表

表。

6X

X

M

6X

M

=具体设备守则

= （参见标记表）

=日期代码

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

符号

价值

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

热特性

特征

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热电阻 -

结到环境

热电阻 -

结到铅

结存储

温度范围

1. FR-4 @最低垫

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫

R

θJA

R

θJL

T

J

, T

英镑

V

CBO

V

首席执行官

I

C

符号

P

D

50

100

单位

VDC

MADC

最大

202 （注1）

310 （注2）

1.6 （注1 ）

2.5 （注2）

618 （注1 ）

403 （注2）

280 （注1 ）

332 （注2）

-55到+150

单位

mW

° C / W

°C

MUN5111T1系列 - 1月11日

乐山无线电公司， LTD 。

MUN5111T1系列

器件标识和电阻值

设备

MUN5111T1

MUN5112T1

MUN5113T1

MUN5113T3

MUN5114T1

MUN5115T1 （注3）

MUN5116T1 （注3）

MUN5130T1 （注3）

MUN5131T1 （注3）

MUN5132T1 （注3）

MUN5133T1 （注3）

MUN5134T1 （注3）

MUN5135T1 （注3）

MUN5136T1

MUN5137T1

包

SC–70/SOT–323

记号

6A

6B

6C

6D

6E

6F

6G

6H

6J

6K

6L

6M

6N

6P

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

100

22

航运

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

3.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。

MUN5111T1系列- 2/11

乐山无线电公司， LTD 。

MUN5111T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

MUN5111T1

MUN5112T1

MUN5113T1

MUN5114T1

MUN5115T1

MUN5116T1

MUN5130T1

MUN5131T1

MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

MUN5135T1

MUN5136T1

MUN5137T1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

–

50

–

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

0.05

0.13

–

NADC

MADC

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

A,

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）

(I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

基本特征

（注4 ）

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

MUN5111T1

MUN5112T1

MUN5113T1

MUN5114T1

MUN5115T1

MUN5116T1

MUN5130T1

MUN5131T1

MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

MUN5135T1

MUN5136T1

MUN5137T1

h

FE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

–

60

100

140

250

5.0

15

27

140

130

140

150

140

–

0.25

VDC

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 10 mA时，我

E

= 0.3 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5 mA）的MUN5130T1 / MUN5131T1

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1 mA）的MUN5115T1 / MUN5116T1 /

MUN5132T1/MUN5133T1/MUN5134T1

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0 k)

MUN5111T1

MUN5112T1

MUN5114T1

MUN5115T1

MUN5116T1

MUN5130T1

MUN5131T1

MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

MUN5135T1

MUN5113T1

MUN5136T1

MUN5137T1

V

CE （ SAT ）

V

OL

–

0.2

VDC

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 5.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 4.0 V ，R

L

= 1.0 k)

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

MUN5111T1系列 - 3月11日

乐山无线电公司， LTD 。

MUN5111T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）（续）

特征

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0 k)

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.050 V ，R

L

= 1.0 k)

MUN5130T1

MUN5115T1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0 k)

MUN5116T1

MUN5131T1

MUN5132T1

输入电阻

MUN5111T1

MUN5112T1

MUN5113T1

MUN5114T1

MUN5115T1

MUN5116T1

MUN5130T1

MUN5131T1

MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

MUN5135T1

MUN5136T1

MUN5137T1

MUN5111T1/MUN5112T1/MUN5113T1/

MUN5136T1

MUN5114T1

MUN5115T1/MUN5116T1

MUN5130T1/MUN5131T1/MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

MUN5135T1

MUN5137T1

符号

V

OH

民

4.9

典型值

–

最大

–

单位

VDC

R1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

1.54

70

32.9

0.8

0.17

–

0.8

0.055

0.38

0.038

1.7

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

1.0

0.21

–

1.0

0.1

0.47

0.047

2.1

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

2.86

130

61.1

1.2

0.25

–

1.2

0.185

0.56

0.056

2.6

k

电阻率

R

1

/R

2

250

PD ，功耗（毫瓦）

200

150

100

50

0

-50

R

θJA

= 833 ° C / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

MUN5111T1系列- 4/11

乐山无线电公司， LTD 。

MUN5111T1系列

电气特性 - MUN5111T1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

的hFE ， DC电流增益（标准化）

I

C

/I

B

= 10

1000

V

CE

= 10 V

T

A

= -25°C

0.1

75°C

25°C

T

A

= 75°C

100

25°C

-25°C

0.01

0

20

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

图3.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

l

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

75°C

25°C

T

A

= -25°C

COB，电容（pF ）

3

IC ，集电极电流（毫安）

10

1

2

0.1

1

0.01

0

1

2

V

O

= 5 V

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

100

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

10

T

A

= -25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

图6.输入电压与输出电流

MUN5111T1系列- 5/11

MUN5111T1系列

首选设备

偏置电阻晶体管

PNP硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

此新系列数字晶体管被设计为替代单一

设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻

晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管

网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一

基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别

部件通过将它们集成到单个设备中。使用BRT的

能够显着降低系统成本和电路板空间。该设备被容纳在

采用SC-70 / SOT- 323封装，专为低功耗

表面贴装应用。

特点

http://onsemi.com

PNP硅

偏置电阻

晶体管

无铅包可用

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

采用SC-70 / SOT- 323封装可以通过波或回流焊接。

在修改后的鸥翼引线吸收热应力

焊接消除了损坏模具的可能性。

可在8毫米压纹带和卷轴 - 使用的设备号

订购的7英寸/ 3000单元卷轴。替换“ T1”与“ T3 ”的

设备号订购13英寸/ 10,000件卷轴。

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

销1

BASE

（输入）

R

1

R

2

3脚

集热器

（输出）

销2

辐射源

（接地）

3

1

2

SC70/SOT323

CASE 419

方式3

标记图

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

6X M

热特性

特征

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

热阻，结到铅

结温和存储温度范围

1. FR-4 @最低垫

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫

符号

P

D

最大

202 （注1）

310 （注2）

1.6 （注1 ）

2.5 （注2）

618 （注1 ）

403 （注2）

280 （注1 ）

332 （注2）

-55到+150

单位

mW

° C / W

°C

6x

M

=具体设备守则

（请参阅订购信息表）

=日期代码

订购信息

看到包的订货和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

R

qJA

R

qJL

T

J

, T

英镑

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年10月 - 修订版7

出版订单号：

MUN5111T1/D

MUN5111T1系列

订购信息和电阻值

设备

MUN5111T1

MUN5111T1G

MUN5112T1

MUN5112T1G

MUN5113T1

MUN5113T3

MUN5113T1G

MUN5114T1

MUN5114T1G

MUN5115T1 （注3）

MUN5115T1G （注3）

MUN5116T1 （注3）

MUN5130T1 （注3）

MUN5130T1G （注3）

MUN5131T1 （注3）

MUN5131T1G （注3）

MUN5132T1 （注3）

MUN5132T1G （注3）

MUN5133T1 （注3）

MUN5133T1G （注3）

MUN5134T1 （注3）

MUN5135T1 （注3）

MUN5136T1

MUN5137T1

包

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

记号

6A

6B

6C

6D

6E

6F

6G

6H

6J

6K

6L

6M

6N

6P

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

100

22

航运

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

3.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。

http://onsemi.com

2

MUN5111T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

MUN5111T1

MUN5112T1

MUN5113T1

MUN5114T1

MUN5115T1

MUN5116T1

MUN5130T1

MUN5131T1

MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

MUN5135T1

MUN5136T1

MUN5137T1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

50

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

0.05

0.13

NADC

MADC

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

毫安，

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）

(I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

基本特征

（注4 ）

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

MUN5111T1

MUN5112T1

MUN5113T1

MUN5114T1

MUN5115T1

MUN5116T1

MUN5130T1

MUN5131T1

MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

MUN5135T1

MUN5136T1

MUN5137T1

h

FE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

60

100

140

250

5.0

15

27

140

130

140

150

140

0.25

VDC

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 10 mA时，我

E

= 0.3 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5 mA）的MUN5130T1 / MUN5131T1

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1 mA）的MUN5115T1 / MUN5116T1 /

MUN5132T1/MUN5133T1/MUN5134T1

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

MUN5111T1

MUN5112T1

MUN5114T1

MUN5115T1

MUN5116T1

MUN5130T1

MUN5131T1

MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

MUN5135T1

MUN5113T1

MUN5136T1

MUN5137T1

V

CE （ SAT ）

V

OL

0.2

VDC

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 5.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 4.0 V ，R

L

= 1.0千瓦）

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％

http://onsemi.com

3

MUN5111T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）（续）

特征

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.050 V ，R

L

= 1.0千瓦）

MUN5130T1

MUN5115T1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0千瓦）

MUN5116T1

MUN5131T1

MUN5132T1

输入电阻

MUN5111T1

MUN5112T1

MUN5113T1

MUN5114T1

MUN5115T1

MUN5116T1

MUN5130T1

MUN5131T1

MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

MUN5135T1

MUN5136T1

MUN5137T1

MUN5111T1/MUN5112T1/MUN5113T1/

MUN5136T1

MUN5114T1

MUN5115T1/MUN5116T1

MUN5130T1/MUN5131T1/MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

MUN5135T1

MUN5137T1

符号

V

OH

民

4.9

典型值

最大

单位

VDC

R1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

1.54

70

32.9

0.8

0.17

0.8

0.055

0.38

0.038

1.7

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

1.0

0.21

1.0

0.1

0.47

0.047

2.1

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

2.86

130

61.1

1.2

0.25

1.2

0.185

0.56

0.056

2.6

kW

电阻率

R

1

/R

2

250

PD ，功耗（毫瓦）

200

150

100

50

0

50

R

qJA

= 833 ° C / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

http://onsemi.com

4

MUN5111T1系列

电气特性 - MUN5111T1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

的hFE ， DC电流增益（标准化）

I

C

/I

B

= 10

1000

V

CE

= 10 V

T

A

= 25°C

0.1

75°C

25°C

T

A

= 75°C

100

25°C

0.01

0

20

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

图3.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

l

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

75°C

25°C

T

A

= 25°C

COB，电容（pF ）

3

IC ，集电极电流（毫安）

10

1

2

0.1

1

0.01

0

1

2

V

O

= 5 V

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

100

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

10

T

A

= 25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

图6.输入电压与输出电流

http://onsemi.com

5

摩托罗拉

半导体技术资料

订购此文件

通过MUN5111T1 / D

偏置电阻晶体管

PNP硅表面贴装晶体管，

单片偏置电阻网络

此新系列数字晶体管被设计为替代单个装置及其

外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含一个

晶体管与单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础

电阻器和基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别组件

通过将它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少这两种系统

成本和电路板空间。该设备被容纳在所述SC- 70 / SOT- 323封装该

是专为低功耗表面贴装应用。

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

采用SC-70 / SOT- 323封装可以通过焊接

波或回流。修改后的鸥翼引线吸收

焊接过程中消除的可能性热应力

的损坏模具。

可在8毫米压纹带和卷轴

设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。

替换“ T1”与“ T3 ”的设备号命令

13英寸/ 10,000件卷轴。

最大额定值

（ TA = 25° C除非另有说明）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

总功率耗散@ TA = 25 ° C（ 1 ）

减免上述25℃

符号

VCBO

VCEO

IC

PD

R1

PIN1 R2

BASE

（输入）

PIN2

辐射源

（接地）

PIN3

集热器

（输出）

MUN5111T1

系列

摩托罗拉的首选设备

PNP硅

偏置电阻

晶体管

3

1

2

CASE 419-02 ，花柱3

SC–70/SOT–323

价值

50

100

*150

1.2

单位

VDC

MADC

mW

毫瓦/°C的

热特性

热电阻 - 结到环境（表面贴装）

工作和存储温度范围

最大焊接温度的目的，

在焊接洗澡时间

R

θJA

TJ ， TSTG

TL

833

- 65 + 150

260

10

° C / W

°C

美国证券交易委员会

器件标识和电阻值

设备

MUN5111T1

MUN5112T1

MUN5113T1

MUN5114T1

MUN5115T1(2)

MUN5116T1(2)

MUN5130T1(2)

MUN5131T1(2)

MUN5132T1(2)

MUN5133T1(2)

MUN5134T1(2)

记号

6A

6B

6C

6D

6E

6F

6G

6H

6J

6K

6L

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。

2.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。

热复合是贝格斯公司的商标。

首选

设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。

REV 2

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

摩托罗拉公司1996年

1

MUN5111T1系列

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 基极截止电流（ VCB = 50V， IE = 0 ）

集电极 - 发射极截止电流（ VCE = 50 V ， IB = 0 ）

发射基截止电流

（ VEB = 6.0 V， IC = 0 ）

MUN5111T1

MUN5112T1

MUN5113T1

MUN5114T1

MUN5115T1

MUN5116T1

MUN5130T1

MUN5131T1

MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

ICBO

ICEO

IEBO

—

50

—

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

—

NADC

MADC

集电极 - 基极击穿电压（ IC = 10

A,

IE = 0 ）

集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）（ IC = 2.0 mA时， IB = 0 ）

V（ BR ） CBO

V（ BR ） CEO

VDC

基本特征（ 3 ）

直流电流增益

（ VCE = 10 V ， IC = 5.0 mA）的

MUN5111T1

MUN5112T1

MUN5113T1

MUN5114T1

MUN5115T1

MUN5116T1

MUN5130T1

MUN5131T1

MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

的hFE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

—

60

100

140

250

5.0

15

27

140

130

—

0.25

VDC

集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 10 mA时， IE = 0.3 mA）的

（ IC = 10 mA时， IB = 5 mA）的MUN5130T1 / MUN5131T1

（ IC = 10 mA时， IB = 1 mA）的MUN5115T1 / MUN5116T1 /

MUN5132T1/MUN5133T1/MUN5134T1

输出电压（上）

（ VCC = 5.0 V ， VB = 2.5 V ， RL = 1.0千欧）

MUN5111T1

MUN5112T1

MUN5114T1

MUN5115T1

MUN5116T1

MUN5130T1

MUN5131T1

MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

MUN5113T1

VCE （ SAT ）

VOL

—

0.2

VDC

（ VCC = 5.0 V ， VB = 3.5 V ， RL = 1.0千欧）

3.脉冲测试：脉冲宽度< 300

s,

占空比< 2.0 ％

2

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

MUN5111T1系列

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）（续）

特征

输出电压（关）（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.5 V ， RL = 1.0千欧）

（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.050 V， RL = 1.0千欧） MUN5130T1

（ VCC = 5.0 V ， VB = 0.25 V， RL = 1.0千欧）

MUN5115T1

MUN5116T1

MUN5131T1

MUN5132T1

输入电阻

MUN5111T1

MUN5112T1

MUN5113T1

MUN5114T1

MUN5115T1

MUN5116T1

MUN5130T1

MUN5131T1

MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

MUN5111T1/MUN5112T1/MUN5113T1

MUN5114T1

MUN5115T1/MUN5116T1

MUN5130T1/MUN5131T1/MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

符号

VOH

民

4.9

典型值

—

最大

—

单位

VDC

R1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

0.8

0.17

—

0.8

0.055

0.38

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

1.0

0.21

—

1.0

0.1

0.47

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

1.2

0.25

—

1.2

0.185

0.56

k

电阻率

R1/R2

250

PD ，功耗（毫瓦）

200

150

100

R

θJA

= 833 ° C / W

50

0

– 50

0

50

100

TA ，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

3

MUN5111T1系列

电气特性 - MUN5111T1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

IC / IB = 10

的hFE ， DC电流增益（标准化）

1000

VCE = 10 V

TA = -25°C

0.1

25°C

75°C

TA = 75℃

25°C

100

–25°C

0.01

0

20

IC ，集电极电流（毫安）

40

50

10

1

10

IC ，集电极电流（毫安）

100

图2的VCE （饱和）与集成电路

图3.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

LE = 0 V

TA = 25°C

100

75°C

IC ，集电极电流（毫安）

10

25°C

TA = -25°C

COB，电容（pF ）

3

1

2

0.1

1

0.01

0.001

0

1

2

VO = 5 V

6

7

3

4

5

输入电压，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

VR ，反向偏置电压（伏）

50

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

100

VO = 0.2 V

V在，输入电压（伏）

10

TA = -25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

IC ，集电极电流（毫安）

40

50

图6.输入电压与输出电流

4

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

MUN5111T1系列

电气特性 - MUN5112T1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

10

IC / IB = 10

的hFE ， DC电流增益（标准化）

1000

VCE = 10 V

1

TA = -25°C

25°C

TA = 75℃

25°C

100

–25°C

75°C

0.1

0.01

10

0

20

IC ，集电极电流（毫安）

40

50

1

10

IC ，集电极电流（毫安）

100

图7的VCE （饱和）与集成电路

图8.直流电流增益

4

IC ，集电极电流（毫安）

F = 1 MHz的

LE = 0 V

TA = 25°C

100

75°C

10

25°C

TA = -25°C

COB，电容（pF ）

3

1

2

0.1

1

0.01

0.001

0

1

2

3

4

5

6

7

输入电压，输入电压（伏）

8

VO = 5 V

9

10

0

10

20

30

40

VR ，反向偏置电压（伏）

50

图9.输出电容

图10.输出电流与输入电压

100

VO = 0.2 V

V在，输入电压（伏）

TA = -25°C

10

75°C

25°C

1

0.1

0

10

20

30

IC ，集电极电流（毫安）

40

50

图11.输入电压与输出电流

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

5

MUN5111T1系列

首选设备

偏置电阻晶体管

PNP硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

此新系列数字晶体管被设计为替代单一

设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻

晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管

网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一

基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别

部件通过将它们集成到单个设备中。使用BRT的

能够显着降低系统成本和电路板空间。该设备被容纳在

采用SC-70 / SOT- 323封装，专为低功耗

表面贴装应用。

特点

http://onsemi.com

PNP硅

偏置电阻

晶体管

无铅包可用

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

采用SC-70 / SOT- 323封装可以通过波或回流焊接。

在修改后的鸥翼引线吸收热应力

焊接消除了损坏模具的可能性。

可在8毫米压纹带和卷轴 - 使用的设备号

订购的7英寸/ 3000单元卷轴。替换“ T1”与“ T3 ”的

设备号订购13英寸/ 10,000件卷轴。

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

销1

BASE

（输入）

R

1

R

2

3脚

集热器

（输出）

销2

辐射源

（接地）

3

1

2

SC70/SOT323

CASE 419

方式3

标记图

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

6X M

热特性

特征

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

热阻，结到铅

结温和存储温度范围

1. FR-4 @最低垫

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫

符号

P

D

最大

202 （注1）

310 （注2）

1.6 （注1 ）

2.5 （注2）

618 （注1 ）

403 （注2）

280 （注1 ）

332 （注2）

-55到+150

单位

mW

° C / W

°C

6x

M

=具体设备守则

（请参阅订购信息表）

=日期代码

订购信息

看到包的订货和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

R

qJA

R

qJL

T

J

, T

英镑

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年10月 - 修订版7

出版订单号：

MUN5111T1/D

MUN5111T1系列

订购信息和电阻值

设备

MUN5111T1

MUN5111T1G

MUN5112T1

MUN5112T1G

MUN5113T1

MUN5113T3

MUN5113T1G

MUN5114T1

MUN5114T1G

MUN5115T1 （注3）

MUN5115T1G （注3）

MUN5116T1 （注3）

MUN5130T1 （注3）

MUN5130T1G （注3）

MUN5131T1 （注3）

MUN5131T1G （注3）

MUN5132T1 （注3）

MUN5132T1G （注3）

MUN5133T1 （注3）

MUN5133T1G （注3）

MUN5134T1 （注3）

MUN5135T1 （注3）

MUN5136T1

MUN5137T1

包

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

记号

6A

6B

6C

6D

6E

6F

6G

6H

6J

6K

6L

6M

6N

6P

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

100

22

航运

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

3.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。

http://onsemi.com

2

MUN5111T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

MUN5111T1

MUN5112T1

MUN5113T1

MUN5114T1

MUN5115T1

MUN5116T1

MUN5130T1

MUN5131T1

MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

MUN5135T1

MUN5136T1

MUN5137T1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

50

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

0.05

0.13

NADC

MADC

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

毫安，

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）

(I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

基本特征

（注4 ）

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

MUN5111T1

MUN5112T1

MUN5113T1

MUN5114T1

MUN5115T1

MUN5116T1

MUN5130T1

MUN5131T1

MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

MUN5135T1

MUN5136T1

MUN5137T1

h

FE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

60

100

140

250

5.0

15

27

140

130

140

150

140

0.25

VDC

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 10 mA时，我

E

= 0.3 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5 mA）的MUN5130T1 / MUN5131T1

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1 mA）的MUN5115T1 / MUN5116T1 /

MUN5132T1/MUN5133T1/MUN5134T1

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

MUN5111T1

MUN5112T1

MUN5114T1

MUN5115T1

MUN5116T1

MUN5130T1

MUN5131T1

MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

MUN5135T1

MUN5113T1

MUN5136T1

MUN5137T1

V

CE （ SAT ）

V

OL

0.2

VDC

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 5.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 4.0 V ，R

L

= 1.0千瓦）

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％

http://onsemi.com

3

MUN5111T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）（续）

特征

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.050 V ，R

L

= 1.0千瓦）

MUN5130T1

MUN5115T1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0千瓦）

MUN5116T1

MUN5131T1

MUN5132T1

输入电阻

MUN5111T1

MUN5112T1

MUN5113T1

MUN5114T1

MUN5115T1

MUN5116T1

MUN5130T1

MUN5131T1

MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

MUN5135T1

MUN5136T1

MUN5137T1

MUN5111T1/MUN5112T1/MUN5113T1/

MUN5136T1

MUN5114T1

MUN5115T1/MUN5116T1

MUN5130T1/MUN5131T1/MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

MUN5135T1

MUN5137T1

符号

V

OH

民

4.9

典型值

最大

单位

VDC

R1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

1.54

70

32.9

0.8

0.17

0.8

0.055

0.38

0.038

1.7

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

1.0

0.21

1.0

0.1

0.47

0.047

2.1

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

2.86

130

61.1

1.2

0.25

1.2

0.185

0.56

0.056

2.6

kW

电阻率

R

1

/R

2

250

PD ，功耗（毫瓦）

200

150

100

50

0

50

R

qJA

= 833 ° C / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

http://onsemi.com

4

MUN5111T1系列

电气特性 - MUN5111T1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

的hFE ， DC电流增益（标准化）

I

C

/I

B

= 10

1000

V

CE

= 10 V

T

A

= 25°C

0.1

75°C

25°C

T

A

= 75°C

100

25°C

0.01

0

20

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

图3.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

l

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

75°C

25°C

T

A

= 25°C

COB，电容（pF ）

3

IC ，集电极电流（毫安）

10

1

2

0.1

1

0.01

0

1

2

V

O

= 5 V

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

100

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

10

T

A

= 25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

图6.输入电压与输出电流

http://onsemi.com

5

MUN5111T1系列

首选设备

偏置电阻晶体管

PNP硅表面贴装晶体管

与单片偏置电阻网络

此新系列数字晶体管被设计为替代单一

设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻

晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管

网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一

基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别

部件通过将它们集成到单个设备中。使用BRT的

能够显着降低系统成本和电路板空间。该设备被容纳在

采用SC-70 / SOT- 323封装，专为低功耗

表面贴装应用。

特点

http://onsemi.com

PNP硅

偏置电阻

晶体管

3脚

集热器

（输出）

销2

辐射源

（接地）

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

采用SC-70 / SOT- 323封装可以通过波或回流焊接。

在修改后的鸥翼引线吸收热应力

焊接消除了损坏模具的可能性。

可在8毫米压纹带和卷轴 - 使用的设备号

订购的7英寸/ 3000单元卷轴。替换“ T1”与“ T3 ”的

设备号订购13英寸/ 10,000件卷轴。

无铅包可用

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

销1

BASE

（输入）

R

1

R

2

3

1

2

SC70/SOT323

CASE 419

方式3

标记图

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

6X M

G

热特性

特征

器件总功耗

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

热阻，结到铅

结温和存储温度范围

1. FR-4 @最低垫

2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫

符号

P

D

最大

202 （注1）

310 （注2）

1.6 （注1 ）

2.5 （注2）

618 （注1 ）

403 （注2）

280 （注1 ）

332 （注2）

-55到+150

单位

mW

° C / W

°C

6X =器件代码

M =日期代码*

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向可能有所不同

在制造地点。

R

qJA

R

qJL

T

J

, T

英镑

订购信息

看到包的订货和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

1

2006年2月 - 修订版8

出版订单号：

MUN5111T1/D

MUN5111T1系列

订购信息和电阻值

设备

MUN5111T1

MUN5111T1G

MUN5112T1

MUN5112T1G

MUN5113T1

MUN5113T1G

MUN5113T3

MUN5113T3G

MUN5113T1G

MUN5114T1

MUN5114T1G

MUN5115T1 （注3）

MUN5115T1G （注3）

MUN5116T1 （注3）

MUN5116T1G （注3）

MUN5130T1 （注3）

MUN5130T1G （注3）

MUN5131T1 （注3）

MUN5131T1G （注3）

MUN5132T1 （注3）

MUN5132T1G （注3）

MUN5133T1 （注3）

MUN5133T1G （注3）

MUN5134T1 （注3）

MUN5134T1G （注3）

MUN5135T1 （注3）

MUN5135T1G （注3）

MUN5136T1

MUN5136T1G

MUN5137T1

MUN5137T1G

包

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

SC70/SOT323

（无铅）

记号

6A

6B

6C

6D

6E

6F

6G

6H

6J

6K

6L

6M

6N

6P

R1 （ K）

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

R2 （ K）

10

22

47

∞

1.0

2.2

4.7

47

100

22

航运

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

3.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。

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2

MUN5111T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极 - 基极截止电流

(V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流

(V

CE

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0 V，I

C

= 0)

MUN5111T1

MUN5112T1

MUN5113T1

MUN5114T1

MUN5115T1

MUN5116T1

MUN5130T1

MUN5131T1

MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

MUN5135T1

MUN5136T1

MUN5137T1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

50

100

500

0.5

0.2

0.1

0.2

0.9

1.9

4.3

2.3

1.5

0.18

0.13

0.2

0.05

0.13

NADC

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

集电极 - 基极击穿电压

(I

C

= 10

毫安，

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（注4 ）

(I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

基本特征

（注4 ）

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

MUN5111T1

MUN5112T1

MUN5113T1

MUN5114T1

MUN5115T1

MUN5116T1

MUN5130T1

MUN5131T1

MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

MUN5135T1

MUN5136T1

MUN5137T1

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

VDC

h

FE

35

60

80

160

3.0

8.0

15

80

60

100

140

250

5.0

15

27

140

130

140

150

140

0.25

VDC

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 10 mA时，我

E

= 0.3 mA）的

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 5 mA）的

MUN5130T1/MUN5131T1

(I

C

= 10 mA时，我

B

= 1 mA）的

MUN5115T1/MUN5116T1/

MUN5132T1/MUN5133T1/MUN5134T1

输出电压（上）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

MUN5111T1

MUN5112T1

MUN5114T1

MUN5115T1

MUN5116T1

MUN5130T1

MUN5131T1

MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

MUN5135T1

MUN5113T1

MUN5136T1

MUN5137T1

V

CE （ SAT ）

V

OL

0.2

VDC

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 3.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 5.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 4.0 V ，R

L

= 1.0千瓦）

4.脉冲测试：脉冲宽度< 300

女士，

占空比< 2.0 ％

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3

MUN5111T1系列

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）（续）

特征

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.050 V ，R

L

= 1.0千瓦）

MUN5130T1

(V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.25 V ，R

L

= 1.0千瓦）

MUN5115T1

MUN5116T1

MUN5131T1

MUN5132T1

输入电阻

MUN5111T1

MUN5112T1

MUN5113T1

MUN5114T1

MUN5115T1

MUN5116T1

MUN5130T1

MUN5131T1

MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

MUN5135T1

MUN5136T1

MUN5137T1

电阻率

MUN5111T1/MUN5112T1/MUN5113T1/MUN5136T1

MUN5114T1

MUN5115T1/MUN5116T1

MUN5130T1/MUN5131T1/MUN5132T1

MUN5133T1

MUN5134T1

MUN5135T1

MUN5137T1

R

1

/R

2

0.8

0.17

0.8

0.055

0.38

0.038

1.7

1.0

0.21

1.0

0.1

0.47

0.047

2.1

1.2

0.25

1.2

0.185

0.56

0.056

2.6

符号

V

OH

民

4.9

典型值

最大

单位

VDC

R1

7.0

15.4

32.9

7.0

3.3

0.7

1.5

3.3

15.4

1.54

70

32.9

10

22

47

10

4.7

1.0

2.2

4.7

22

2.2

100

47

13

28.6

61.1

13

6.1

1.3

2.9

6.1

28.6

2.86

130

61.1

kW

250

PD ，功耗（毫瓦）

200

150

100

50

0

50

R

qJA

= 833 ° C / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

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4

MUN5111T1系列

电气特性 - MUN5111T1

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

的hFE ， DC电流增益（标准化）

I

C

/I

B

= 10

1000

V

CE

= 10 V

T

A

= 25°C

0.1

75°C

25°C

T

A

= 75°C

100

25°C

0.01

0

20

40

I

C

，集电极电流（毫安）

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

图3.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

l

E

= 0 V

T

A

= 25°C

100

75°C

25°C

T

A

= 25°C

OB ，电容（pF ）

3

IC ，集电极电流（毫安）

10

1

2

0.1

1

0.01

0

1

2

V

O

= 5 V

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

100

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

10

T

A

= 25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

图6.输入电压与输出电流

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