MUN5111T1系列
电气特性 - MUN5111T1
VCE （SAT） ，集电极最大电压（伏）
1
IC / IB = 10
的hFE ， DC电流增益（标准化）
1000
VCE = 10 V
TA = -25°C
0.1
25°C
75°C
TA = 75℃
25°C
100
–25°C
0.01
0
20
IC ，集电极电流（毫安）
40
50
10
1
10
IC ，集电极电流（毫安）
100
图2的VCE （饱和）与集成电路
图3.直流电流增益
4
F = 1 MHz的
LE = 0 V
TA = 25°C
100
75°C
IC ，集电极电流（毫安）
10
25°C
TA = -25°C
COB，电容（pF ）
3
1
2
0.1
1
0.01
0.001
0
1
2
VO = 5 V
6
7
3
4
5
输入电压，输入电压（伏）
8
9
10
0
0
10
20
30
40
VR ，反向偏置电压（伏）
50
图4.输出电容
图5.输出电流与输入电压
100
VO = 0.2 V
V在，输入电压（伏）
10
TA = -25°C
25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
IC ，集电极电流（毫安）
40
50
图6.输入电压与输出电流
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
