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三菱MEMORY CARD
闪存卡
擦除暂停/删除恢复
擦除暂停命令B0H ( B0B0h 16
位操作)是一个命令生成擦除
中断并读取从另一个块的数据
选定的存储区。通过写
控制寄存器擦除恢复命令D0H
( D0D0h 16位运算) ,内存块将
继续执行擦除操作。
这些命令必须在擦除执行
算法。
(有关详细信息,请参阅算法)
读状态寄存器
读状态寄存器是一个命令来读取
statusregister “ sdataandtomakesure程序
或擦除操作成功完成。数据
状态寄存器写入70H后读
( 7070H为16位操作)在控制寄存器中。
该寄存器读出的数据被锁存,在下降沿
的OE #边缘。在programmeorerase , thestatus
寄存器的数据必须被读出以验证结果。
清除状态寄存器
清除状态寄存器命令会清除数据
状态寄存器。这是16加时50H ( 5050h
位操作)被写入到控制
例如I S T E河我fanerroroccurreddurin克程序或
擦除,状态寄存器之前必须清除
重试编程或擦除。
阅读设备标识符代码
读出装置识别码的命令是
通过写入90H ( 9090h实现16位
操作)的指令寄存器。书写后
的命令,制造商代码,可以读出在
区域和设备代码000000的地址可以
在该区域的地址定义为000002h读取。每
卡使用相同类型的存储器和整个
每个存储区将响应相同的代码。
(不要为了试图施加高电压, A10引脚
和读取设备识别码,因为这将
导致该卡被破坏)。
状态寄存器
当运行程序或擦除,有必要
读状态寄存器的数据,并进行交易,这些位。
各IC存储器用在本
7 ( 15 )位
6 (14 )位
方案/
抹去
清除状态位挂起位
注4 : ( ) ; 16位操作
位;字段名称
7 ( 15 )位; P R 0克R A M M的E / E R A发E S T的T美国B I T
0 =忙(编程/擦除) 1 =就绪
5 ( 13 )位;擦除错误位
1 =擦除错误
3(11 )位; VCC错误
1 = E R R 华氏度V L T A G E A吨的Vcc
1,0 ( 9,8 )位;保留为将来
5 ( 13 )位
擦除错误
卡有内部状态寄存器,以确保
编程或擦除操作完成
成功。
4(12 )位
节目
错误位
3(11 )位
VCC错误
2(10 )位
节目
挂起位
1,0 ( 9,8 )位
版权所有
位;字段名称
6 (14 )位;擦除挂起位
1 =擦除暂停
4(12 )位; P R 0克R A M M E E R R R B I T
1 =计划错误
2(10 )位; P R 0克R A M M (E S)美国P·E N D B I T
1 =计划暂停
三菱
6/22
1999年2月修订版2.0

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