位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2352页 > MF832M-GMCAVXX > MF832M-GMCAVXX PDF资料 > MF832M-GMCAVXX PDF资料1第3页
三菱MEMORY CARD
闪存卡
功能说明
该卡的工作模式由以下因素决定
5低电平有效控制信号（ REG ＃ ， CE1 ＃ ，
位于CE2 ＃ ， OE ＃ ， WE＃ ） ，和控制寄存器
每个内存芯片。
共同记忆功能
当REG ＃信号被设置为高电平
常见的内存选择。
- 读取模式
当在该卡每一个存储器的IC被切换，
每个存储器芯片的控制寄存器被设定为
只读模式。
卡的操作然后取决于四个
的CE1 ＃和CE2 ＃可能的组合（注意WE＃
应该被设置为高电平时，该设备是在读
除了在组合（ 4 ）它的模式
条件是不重要的） ：
（1）如CE1 ＃设定为低电平和CE2 ＃被设置为一个
高电平时，该卡将作为一个8位的数据
总线宽度卡。数据可以通过被访问
数据总线的下半部分（D0至D7） 。
（2）如果两个CE1 ＃和CE2 ＃被设置为低电平时，数据
将通过全16位的数据总线可访问
宽的卡。在这种模式下地址总线的最低位
（ A0 ）将被忽略。
（3）如CE1 ＃被设定为高电平和CE2 ＃被设置
到低电平的奇数字节（仅）可以是
通过数据总线的上半部分（D8访问
到D15 ） 。处理时，这种模式十分有用
奇（上）在16位接口字节
系统。需要注意的是A0的也忽略在此
的操作条件。
（4）如CE1 ＃和CE2 ＃被设置为高电平时，该
卡将在待机模式下消耗
低功耗。数据总线保持在高阻抗。
当OE ＃被设置为低电平的数据可以读出
卡上，根据地址施加和
的CE1 ＃和CE2 ＃设定，如上所述，除
下组合（4）当OE ＃被设置为高电平
和WE＃被设置为高电平，卡处于输出
禁止模式
-W
R I T E M O对D E
通过使用CE1 ＃和CE2 ＃ 4的组合作为
只有上述相应的下读描述
数据输出和命令/数据总线选择可以
进行。
如果OE＃被设定为高电平和WE＃设定为低电平，
控制寄存器锁存器用于数据的命令
在WE＃信号的上升沿。需要注意的是更多
多于一个总线周期，可能需要锁存
命令和/或相关数据请参考
命令定义表。
如果OE＃设定为低电平和WE＃被设定为高
水平的卡数据可以从卡中读取
根据控制寄存器的状态。
锁存命令数据后，该卡将进入
编程，擦除或其他操作模式。为
详细信息，请参阅命令定义表，
每个单独的命令的定义，而
编程和擦除算法。
属性记忆功能
当REG ＃信号被设置为低电平的属性
存储器被选中。
GM系列
该卡包括一个字节宽属性内存
包括8K字节的E
2
P ，R 0 M L ℃的T E D A吨吨 E E V简
当卡中的8位地址
操作模式。它位于顺序
上的数据总线时的下半部地址
该卡是在16位工作模式即是A0
忽略不计。
要访问该属性的内存，第一套CE1 ＃和
CE2 ＃ 。设置CE1 ＃为低电平和CE2 ＃为高电平
8位模式或＃ CE1和CE2 ＃为低电平16
位模式。然后选择所需的地址。记
请小心，在8位模式A0必须设置低
对于属性的内存访问即偶数地址
应用。在16位模式下，它不在于是否A0重要
是高还是
低。数据然后可以通过设置OE＃为低读
与WE级别设置为高电平。
写入属性存储器可以实现
仅在字节模式。写入属性内存集
OE ＃为高电平和WE ＃为低电平。该数据
写在WE＃上升沿被锁存。
那么，除非我们＃变回
从高电平到低电平超过100 μ秒的
自动擦除/编程操作开始这将
完成10ms以内。
也请记住，对于属性的内存是A0
不适用，它应该被设置为低，甚至
只有处理，在8位模式或忽略16位
模式。
GN系列
该卡然后的下半部输出FFH
数据总线（D0到D7 ）在以下条件时
应用;
（ 1 ） CE1 ＃ =低的水平， CE2 ＃ =高电平， OE ＃ =低
水平， WE＃ =高层次， A0 =低的水平。
（ 2 ） CE1 ＃ =低的水平， CE2 ＃ =低电平， OE ＃ =低
水平， WE＃ =高的水平。
三菱
电
3/22
1999年2月修订版2.0
