X3100 / X3101 - 初步信息
表8 。
电池充电阈值电压的选择。
配置寄存器位
VCE1
0
0
1
1
图3.上电
配置寄存器
配置寄存器（ SRAM ）
高字节
召回
低字节
召回
影EEPROM
VCE0
0
1
0
1
手术
V
CE
= 0.5V
V
CE
= 0.80V
V
CE
= 1.10V
V
CE
= 1.40V
细胞数量的选择
X3100的设计为四（ 4 ）锂离子电池工作
电池单元。在X3101的设计与操作
三（3 ）锂离子电池。的的CELLN位
CON组fi guration寄存器（表9 ）将细胞的数量
认可。为X3101 ，为CELLN值应
永远是零。
表9.选择号电池单元的
CON组fi guration
寄存器位
CELLN
1
0
1
该CON组fi guration寄存器是专为无限制写
操作的SRAM ，和至少百万店
操作到EEPROM中。数据保留是特定网络版
大于100年。
但是应当指出的是，阴影EEPROM的位
对于专用使用CON组fi guration寄存器，
而不是通用的4k位的一部分
EEPROM阵列。
T
他WCFIG命令写入到CON组fi guration
寄存器，见表30和第“ X3100 / X3101 SPI
串行通讯“第22页。
使用WCFIG指令写入该寄存器后，
数据将只存储在CON组fi guration的SRAM的
注册。为了将数据存储在影子EEPROM中，一
WREN指令，后跟一个EEWRITE任
在4k位EEPROM存储器阵列的地址必须
发生，参见图4.该序列启动一个内部
要被存储的非易失性写周期，其允许数据
在影子EEPROM单元。但必须指出的是
即使一个EEWRITE制成的一般
目的4k位EEPROM阵列，价值和地址
它写的是并不重要。如果这个过程是不
其次，在CON组fi guration寄存器将启动对
最后下断电之前存储的值
序列。
手术
4节锂离子电池组（ X3100默认）
3锂离子电池组（ X3100和X3101 ）
该CON组fi guration寄存器由16位
NOVRAM存储器（表2，表3）。此内存
配有高速静态RAM （ SRAM ）覆盖比特
对位具有非易失性的“影子” EEPROM 。一
自动数组调用操作将重新加载的内容
影EEPROM到SRAM CON组fi guration
上电时登记（图3） 。
1.
在该X3100或X3101被配置为使用的情况下，
只有三个锂离子电池单元（即CELLN = 0 ） ，则VCELL4 （引脚
7 ）必须连接到Vss （引脚9） ，以确保正确的操作。
REV 1.1.8 02年12月10日
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特性如有变更，恕不另行通知。
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