D
6
D
7
BAT54 BAT54
D
1
D
2
充电FET
X3100 / X3101 - 初步信息
REV 1.1.8 02年12月10日
P+
Q
1
放电FET
1M
Q
2
R
PU
D
3
I
LMON
Q
10
I
LMT
.
R
LMT
C1
0.1F
26
（可选）
晶体管的建议
Q1 ， Q2 = Si4435
Q3 = 2N3906
Q4 - Q10 = 2N7002
图1.典型应用电路
3或4个
锂离子电池
R1
1M
C,
ASIC
V
CC
A / D
REF
GP
I / O
R
T
’
GP
I / O
RESET
28
V
CC
RGP
研资局
UVP / OVP /
OCP LMON
RGO
27
25
24
23
Q
3
V
RGO
1F
B+
R
POR
1
VCELL1
R
CB
CB1
VCELL2
100
www.xicor.com
Q6
0.01uF
2
3
选择R1和
C1这样
V
RGO
去
0.1V （或更少）的
170ms （或更少）
当进入
睡眠模式
（25
o
C).
C
POR
置高
上电后
为了让
SMBus和
LMON
100
R
CB
CB2
SO
SI
18
17
16
AS0
VCELL3
Q7
0.01uF
4
X3100/X3101
CS
SCK
5
22
21
20
19
GP
I / O
R
CB
CB3
VCELL4/V
SS
AS2
AS1
100
Q
4
Q5
Q8
0.01uF
6
SMBCLK
100
100
SMBDATA
7
R
CB
CB4
100
0.01uF
Q9
8
15
AO
A / D输入
UVT
12
C
UV
C
OV
R
SENSE
十月
13
14
C
OC
V
T
R
T
A / D输入
V
SS
9
10
11
特性如有变更，恕不另行通知。
B-
为X3101 ， X3100或
当使用3个细胞，
VCELL4/V
SS
必须是
接地（ VSS） 。 CB4
悬空。
VCS1 VCS2
OVT
场效应晶体管Q4和Q5 ，需要
只有当外部上拉电阻上
SMBus总线引起
电压出现在UC
在睡眠模式下VCC引脚。
P-
5 40
