X3100 / X3101 - 初步信息
过放电保护
如果V
CELL
＆ LT ; V
UV
，一时间超牛逼
UV
中，细胞是
说是在一个过放电状态（图6） 。在这
例如， X3100和X3101自动切换
放电FET关（ UVP / OCP = Vcc的） ，然后
进入睡眠模式。
过放电（低电压）的值，V
UV
可以是
从通过设置在表5所示的值中选择
位VUV1 ， VUV0在CON组fi guration寄存器。这些
位被使用WCFIG命令设置的。一旦进入
睡眠模式，下面的步骤必须在之前出现
X3100或X3101允许电池单元进行放电：
- 在X3100和X3101必须从睡眠模式唤醒
（参见“稳压器”第21页） 。
- 充电用FET ，必须由微接通
控制器（ OVP / LMON = V
SS
） ，经由控制寄存器
（参见“控制寄存器功能”页上的
10).
所有电池单元必须满足条件： V
CELL
＆ GT ;
V
紫外线辐射
一时间超牛逼
紫外线辐射
.
- 放电用FET ，必须由微接通
控制器（ UVP / OCP = V
SS
） ，经由控制寄存器
（参见“控制寄存器功能”页上的
10)
时刻t
UV
/T
紫外线辐射
利用电容变化是（C
UV
)
连接销的UVT和GND （表13）之间。该
延时T
UV
这导致来自特定电容C
UV
,
可以近似由下面的线性方程：
T
UV
(s)
≈
10乘C
UV
(F)
T
紫外线辐射
（女士）
≈
70乘C
UV
(F)
表21.典型的过放电延迟时间
符号
T
UV
T
紫外线辐射
睡眠模式可以由用户来诱导，通过设置
利用在控制寄存器中的SLP位（表13）
WCNTR指令。
在睡眠模式下，所有电源内部电路切换
关闭，最小化当前由设备到1μA的绘制
（最大值）。在该状态下，放电用FET和充电
FET将关闭（ OVP / LMON = V
CC
和UVP /
OCP = V
CC
），以及5VDC稳压输出（Ⅴ
RGO
）是
0V 。控制UVP / OCP ，并通过位OVP / LMON的UVPC
并且也禁止OVPC在控制寄存器中。
当从睡眠模式V器件返回
CC
≥
V
单反
.
（例如，当电池端子被连接到一个
电池充电器） 。在这种情况下， X3100或X3101
恢复5VDC稳压输出（参见“电压
稳压器“通过SPI第21页） ，和沟通
恢复端口。
如果电池充电使能功能被启用时， V
CC
上升超过V
单反
中， X3100和X3101内部
VERI音响上课，该各电池单元的电压（V
CELL
)
比大
电池充电使能电压（V
CE
)
允许之前在FET导通。
值
V的
CE
选择使用WCFIG命令设置
位VCE1 - VCE0在CON组fi guration寄存器。
仅当条件的“V
CELL
＆ GT ;
V
CE
“是SATIS网络版即可
状态
充电和放电FET改变
通过控制寄存器
.
否则，若V
CELL
＆ LT ;
V
CE
为
任何电池则无论是充电FET和
放电FET为OFF （ OVP / LMON = Vcc和UVP /
OCP = V
CC
） 。因而充电和放电
通过端子P + / P-电池单元被禁止
1
.
电池充电阈值函数可以切换
ON或OFF的用户，通过设置位SWCEN在
使用WCFIG CON组fi guration寄存器（表7 ）
命令。在该情况下，该电池充电使能
功能关闭，然后
V
CE
有效地设置为
0V.
无论是X3100还是X3101进入睡眠模式
（自动或手动，通过设置SLP位）若V
CC
≥
V
单反
。这是为了确保该装置不会去
进入睡眠模式，而电池单元是在一个较高的
电压（例如，电池充电过程中） 。
描述
过放电
检测延迟
过放电
发布时间
C
UV
0.1F
0.1F
延迟
1.0秒（典型值）
7毫秒（典型值）
睡眠模式
在X3100或X3101可以在两种进入睡眠模式
方式：
i）本设备进入过放电保护模式。
ⅱ）该用户使用发送设备进入睡眠模式
控制寄存器。
1.
在这种情况下，电池的充电可以仅当重新细胞
充电使能功能关闭通过置位SWCEN =
1在配置寄存器（见上文“配置
注册功能“第8页） 。
REV 1.1.8 02年12月10日
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特性如有变更，恕不另行通知。
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