X3100 / X3101 - 初步信息
图4.写入配置寄存器
上电
数据回顾
从影
EEPROM来SRAM
CON组fi guration注册
（ SRAM =旧值）
WCFIG （新价值）
CON组fi guration注册
（SRAM =新价值）
由于控制寄存器是易失性，数据将会丢失
下面的断电和上电顺序。该
控制寄存器的初始上电时的默认值
或退出睡眠模式时为00h （为
分别为上下字节） 。该功能
可通过控制寄存器进行操作示
在表12中。
表12.控制寄存器的功能
位（S ）
0-4
5,6
7
名字
–
0, 0
SLP
CSG1,
CSG0
OVPC
UVPC
CBC1
CBC2
CBC3
CBC4
（无关）
功能
版权所有写0到这些位置。
选择睡眠模式。
选择电流检测电压增益
OVP控制：开关引脚OVP = V
CC
/V
SS
UVP控制：开关引脚UVP = V
CC
/V
SS
CB1控制：开关引脚CB1 = V
CC
/V
SS
CB2控制：开关引脚CB2 = V
CC
/V
SS
CB3控制：开关引脚CB3 = V
CC
/V
SS
CB4控制：开关引脚CB4 = V
CC
/V
SS
NO
商店
（新价值）
在阴影
EEPROM
是的
8,9
10
雷恩
掉电
上电
数据回顾
从影
EEPROM来SRAM
CON组fi guration注册
（ SRAM =旧值）
掉电
上电
数据回顾
从影
EEPROM来SRAM
CON组fi guration注册
（SRAM =新价值）
写
启用
EEWRITE
写
4k位EEPROM
11
12
13
14
15
睡眠控制（ SLP ）
设置SLP位为“1”强制X3100或X3101到
在睡眠模式下，如果V
CC
＆ LT ; V
SLP
。请参见“睡眠
模式“第15页。
表13.休眠模式选择
控制寄存器位
SLP
手术
正常工作模式
器件进入休眠模式
0
1
控制寄存器
控制寄存器实现为两个字节的挥发
RAM中（表10，表11）。该寄存器被使用写入
在WCNTR说明，请参阅表30和第“ X3100 /
X3101 SPI串行通信“第22页。
表10.控制寄存器，高字节
15
CBC4
14
CBC3
13
CBC2
12
CBC1
11
UVPC
10
OVPC
9
CSG1
8
CSG0
表11.控制寄存器，低字节
7
SLP
6
0
5
0
4
x
3
x
2
x
1
x
0
x
REV 1.1.8 02年12月10日
www.xicor.com
特性如有变更，恕不另行通知。
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