5V / 12V / 15V或可调，高效率，
我低
Q
，升压型DC-DC控制器
促进了两个最显著损失
N型场效应晶体管的功耗是我
2
- [R损耗和开关
损失。选择具有低R晶体管
DS （ ON）
低
C
RSS
以尽量减少这些损失。
确定所需的最大栅极驱动电流
来自Q
g
规范在N -FET数据表。
该MAX773的最大允许开关频率
在正常操作期间为300kHz ;但是在起动时的
最大频率可以为500kHz ，因此，最大
目前需要充电的N型场效应晶体管的栅极
F（最大值） ×Q个
g
（典型值） 。使用典型的Q
g
从数
晶体管数据表。例如， Si9410DY具有
Q
g
（典型值） 17nC的（在V
GS
= 5V） ，因此，在当前
到栅极充电所需是：
I
门
（最大值）=（频率500kHz ）（ 17nC ） = 8.5毫安。
在V +旁路电容（ C2 ）必须在瞬间
没有提供过多的下垂的栅极电荷（例如，
小于200mV的） ：
Q
g
V+
= ——
C2
继续该实例，
V+
= 17nC / 0.1μF = 170mV的。
用我
门
计算适当的分流，当
电阻器。见
并联稳压器工作
部分。
图2a中的应用电路使用MTD3055EL
逻辑电平的N型场效应晶体管有保证的阈值电压
(V
TH
）为2V 。图2b中的应用电路使用
8引脚Si9410DY表面贴装N型场效应晶体管具有50mΩ以下
与4.5V V性
GS
和保证V
TH
of
低于3V 。
我租
C（峰值）
。我计算
B
如下：
I
B
= I
LIM
/
使用最坏情况下（最低）值在给定的
晶体管的电气规范，其中，所述集电
当前用于试验近似等于我
LIM
.
可能有必要用更高的基极电流
（例如，我
B
= I
LIM
/ 10），尽管过多的我
B
可能损害
操作通过延长晶体管的关断时间。
R
BASE
由下式确定：
MAX770–MAX773
(
V
EXTH
- V
BE
- V
CS
（分钟）
)
R
BASE
= ————————————–
I
B
其中，V
EXTH
是在V +上的电压（在自举
模式v
EXTH
为输出电压），V
BE
是0.7V
晶体管基极 - 发射极电压V
CS
（分）是电压
掉落在整个电流检测电阻，和我
B
为
它迫使晶体管进入最小基极电流
饱和。这个方程简化为（V + - 700mV的 -
170mV的） / I
B
.
为了获得最大的效率，使
BASE
大如POS-
sible ，但足够小以保证晶体管是
总是带动接近饱和。最高效率
用快速开关NPN晶体管得到
(f
T
≥
150MHz的），低集电极 - 发射极饱和
电压和高电流增益。一个很好的晶体管
使用的是Zetex的ZTX694B 。
二极管的选择
该MAX770 ， MAX773的高开关频率
需要一个高速整流器。肖特基二极管等
作为1N5817-1N5822建议。确保
该肖特基二极管的平均电流额定值
超过峰值电流限制由R设定
SENSE
，那
其击穿电压超过V
OUT
。对于高一温度
ATURE应用中，肖特基二极管可能不足
由于它们的高的漏电流;高速硅
可以使用的二极管代替。在重载荷，高
的温度下，一个肖特基二极管的低换的好处
病房电压可能超过的缺点的
高的漏电流。
NPN晶体管
该MAX773可以驱动NPN晶体管，但要
确定基极电流时非常小心，
要求。太少的基极电流会导致exces-
西伯功耗的晶体管;太多的基础
电流可引起基座到过饱和，因此转录
体管仍然在持续。这两种情况可能会损坏
年龄晶体管。
当使用MAX773与一个NPN晶体管，连续的
NECT EXTL晶体管的基极，并连接
BASE
EXTH和基部（图8c ）之间。
确定所需的电感峰值电流，
I
C（ PEAK
） ，观察
典型工作特性
效率曲线与理论输出电流
功能与输入电压曲线图来确定
感测电阻器，使所需的输出电流。
划分170mV的最坏情况（最小）两端的电压
电流检测放大器V
CS
（最大）的有义
电阻值。为了确定我
B
，设置峰值电感器
电流（I
LIM ）
等于峰值晶体管集电极电流
电容的选择
输出滤波电容
的首要标准，用于选择输出滤波
电容器（C2）是低的有效串联电阻（ESR） 。
峰值电感器电流和输出的乘积
滤波电容的ESR决定的振幅
波纹看到的输出电压。一个OS- CON 300μF ，
6.3V输出滤波电容具有大约50mΩ以下
ESR和通常提供180mV的纹波时
加紧从3V到5V 1A时（图2a） 。
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