5V / 12V / 15V或可调，高效率，

我低

Q

，升压型DC-DC控制器

MAX770–MAX773

I

C（峰值）

L

MAX770

MAX771

MAX772

EXT

N

MAX773

I

B

EXTH

EXTL

CS

R

SENSE

CS

R

SENSE

R

BASE

NPN

图8a 。用一个N沟道MOSFET的

MAX770/MAX771/MAX772

图8c 。利用一个NPN晶体管的MAX773

最好在20MΩ 。为了最大限度地减少辐射噪声，

用一个环形，一个壶形磁芯，或屏蔽线圈。

L

MAX773

表2列出了电感器的供应商和特定recom-

谁料电感。

功率晶体管的选择

EXTH

EXTL

CS

R

SENSE

N

使用与N沟道MOSFET功率晶体管

MAX770 / MAX771 / MAX772 （图8a） 。

使用一个N型场效应晶体管尽可能与MAX773 。一

NPN晶体管都可以使用，但需特别小心

确定基极电流时（见

NPN

晶体管

部分） 。一个NPN晶体管时不推荐

使用并联稳压器时修补。

图8b 。采用N沟道MOSFET与MAX773

标准工作电路使用一个22μH的电感。

如果使用不同的电感值需要，选择L

使得：

V

IN

（最大值）×吨

ON

（分钟）

L

≥

——————————

I

LIM

/ 2

较大的电感值往往会增加启动

时间略有下降，而较小的电感值允许

线圈电流斜坡上升到之前的更高水平的

开关关断，从而增加纹波在轻负载。

电感器使用铁氧体磁芯或同等学历的recom-

修补;粉铁芯不推荐

高开关频率使用。确保

电感器的饱和电流额定值（目前在该

芯开始饱和而电感开始

秋季）超过额定峰值电流由R设定

SENSE

.

但是，它通常是可以接受的偏差的电感

入饱和约20％ （的点

电感为20 ％，低于标称值） 。为

效率最高，使用一个线圈，低直流电阻，

16

N沟道MOSFET

以确保外部的N沟道MOSFET （ N型场效应晶体管）是

打开硬盘，使用逻辑电平或低门槛

N-二场效应晶体管，当输入驱动电压低于8V 。这

也适用于自举模式，以保证启动。

N-二场效应管提供最高的效率，因为他们做的

不画任何直流栅极驱动电流，但他们是典型

美云比NPN晶体管的更昂贵。当使用

一个N -FET与MAX773 ，连接EXTH和EXTL到

N型FET的栅极（图8b ） 。

当选择一个N -FET ，三个重要参数

是总栅极电荷（Q

g

） ，导通电阻（R

DS （ ON）

),

和反向传输电容（C

RSS

).

Q

g

考虑到与相关联的所有电容

充电的栅极。使用典型的Q

g

值最好

结果;最大值通常是严重高估

指定的，因为它是有保证的限制，而不是测

sured值。典型的总栅极电荷应

50NC或更少。对于较大的数字， EXT引脚可能

不能够充分地驱动栅极。该EXT

上升/下降时间与各个电容负载，如图

该

典型工作特性。

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