2N7002DW
双N沟道增强
型场效应晶体管
特点
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双N沟道MOSFET
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
超小型表面贴装封装
SOT-363
A
D
2
G
1
S
1
新产品
暗淡
A
B
C
D
F
H
J
M
民
0.10
1.15
2.00
0.30
1.80
0.90
0.25
0.10
最大
0.30
1.35
2.20
0.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.25
KXX
S
2
G
2
D
1
B C
0.65标称
机械数据
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案例： SOT- 363 ，模压塑料
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
终端连接：见图
打标： K72
重0.006克数（大约）
K
H
K
L
M
J
D
F
L
尺寸：mm
最大额定值
漏源电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
DGR
连续
脉冲
连续
连续@ 100℃
脉冲
V
GSS
I
D
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
2N7002DW
60
60
±20
±40
115
73
800
200
1.60
625
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
K / W
°C
特征
漏极 - 栅极电压
GS
1.0MW
栅源电压（注1 ）
漏电流（注1 ）
总功耗
降额以上的牛逼
A
= 25 ° C（注1 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
注：1，有效的前提是终端保持在规定的环境温度。
2.脉冲宽度
300毫秒，占空比
2%.
DS30120牧师2P - 1
1第3
2N7002DW
