【MCC微型商业组件TM?????????? ?????? omponents20736玛丽拉街道查茨】,IC型号2N7002DW,2N7002DW PDF资料,2N7002DW经销商,ic,电子元器件-51电子网

MCC

微型商业组件

?????????? ?????? omponents

20736玛丽拉

街道查茨沃斯

???? ?????? ？！ ?? " ＃ ???

$ ％？？？ ???? ？！ ?? " ＃ ???

2N7002DW

特点

外壳材料：模压塑料。防火

分类额定值94V- 0

和MSL等级1

功耗： 0.2W （环境温度Tamb = 25 ）

漏电流： 115毫安

漏源电压： 60V

工作结点温度： -55至+150

存储温度： -55至+150

打标： K72

参数

漏源击穿电压*

=为0 Vdc ，我

=10Adc)

栅极阈值电压*

, I

=250Adc)

门体漏*

=为0 Vdc ，V

=f20Vdc)

零栅极电压漏极电流*

= 60V直流，V

=0Vdc)

= 60V直流，V

=为0 Vdc ，T

=125 )

通态漏电流*

=刻度0-7.5Vdc ，V

=10Vdc)

漏源导通电阻*

= 5V直流，我

=50mAdc)

= 10Vdc的，我

=500mAdc)

正向跨导*

= 10Vdc的，我

=200mAdc)

输入电容

=25Vdc,

输出电容

=0Vdc

反向传输

f=1MHz

电容

=30Vdc,

根

=10Vdc

=150,I

=200mA,

=25

300s, duty cycle

20%

民

1.0

---

0.5

---

典型值

1.5

---

1.0

3.2

4.4

---

最大

---

2.0

f10

500

---

7.5

13.5

---

单位

VDC

N沟道MOSFET

电气特性@ 25

C除非另有说明

符号

（ BR ） DSS

日（ GS ）

GSS

DSS

SOT-363

VDC

NADC

μAdc

D（上）

DS （ ON）

ADC

国际空间站

OSS

RSS

尺寸

英寸

民

最大

0.15

0.35

1.15

1.35

2.15

2.45

0.65Nominal

1.20

1.40

1.80

2.20

---

0.10

0.90

1.10

0.26

0.46

0.08

0.15

开关

D（上）

D（关闭）

开启时间

打开-O FF时间

---

暗淡

民

.006

.045

.085

.026

.047

.071

---

.035

.010

.003

最大

.014

.053

.096

.055

.087

.004

.043

.018

.006

记

*脉冲测试，脉冲宽度

修改：

www.mccsemi.com

1 2

2008/12/31

MCC

设备

微型商业组件

订购信息

填料

Tape&Reel;3Kpcs/Reel

（品名） -TP

***重要提示***

微型商业组件公司

保留随时更改，恕不另行通知任何权

此产品进行更正，修改，增强，改进或其它更改。

微型商业组件公司

不承担因应用程序的任何责任或

使用本文所述的任何产品的;它也没有传达任何许可在其专利的权利，也没有

他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险

并同意举行

微型商业组件公司

和所有的公司

产品的代表在我们的网站上，反对一切损害无害。

应用*** ***免责声明

产品提供了

微型商业组件公司

不打算用于医学，

航空航天和军事应用。

www.mccsemi.com

修改：

2 2

2008/12/31

2N7002DW

公司Bauelemente

115毫安， 60VOLTS ， RDS （ ON） = 7.5

小信号MOSFET

符合RoHS产品

SOT-363

小信号MOSFET

115毫安， 60伏

N沟道SOT- 363

.055(1.40)

.047(1.20)

.026TYP

(0.65TYP)

.021REF

(0.525)REF

.096(2.45)

.085(2.15)

马XIMUM R成为ING S

阿婷

漏源电压

漏极 - 栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）

栅源电压

- 连续

S ymbol

VDSS

VDGR

VGS

价值

± 20

单位

VDC

.053(1.35)

.045(1.15)

.018(0.46)

.010(0.26)

.014(0.35)

.006(0.15)

.087(2.20)

.079(2.00)

.006(0.15)

.003(0.08)

.004(0.10)

.000(0.00)

.039(1.00)

.035(0.90)

.043(1.10)

.035(0.90)

T他 MA L C HA R A T E R为叔IC S

harac teris抽动

器件总功耗FR- 5局

（注3 ） TA = 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

结温和存储温度

S ymbol

TJ ， TSTG

最大

150

1.8

625

– 55 ~

+150

单位

毫瓦/°C的

° C / W

°C

尺寸以英寸（毫米）

1.封装的功耗可能会导致较低的连续漏极

电流。

2.脉冲测试：脉冲宽度

≦

300微秒，占空比

≦

2.0%.

3， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸

4.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.025 99.5 ％的氧化铝。

MA R·K ING DIA摹 - [R A M

Κ72

http://www.SeCoSGmbH.com

的说明书中的任何改变将不被通知个人

01 -JAN- 2006版本B

第1页3

2N7002DW

公司Bauelemente

115毫安， 60VOLTS ， RDS （ ON） = 7.5

小信号MOSFET

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

漏源击穿电压

（VGS = 0时， n = 10

μAdc ）

零栅极电压漏极电流

（ VGS = 0 ， VDS = 60 VDC ）

门体漏电流，正向

（ VGS = 20 V直流）

门体漏电流，反向

（ VGS = -20伏直流）

TJ = 25°C

TJ = 125°C

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSSF

IGSSR

–

1.0

500

–10

VDC

μAdc

NADC

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

（VDS = VGS ，ID = 250

μAdc ）

通态漏电流

（ VDS

≥

2.0 VDS （ ON）， VGS = 10 V直流）

静态漏源导通电阻

（ VGS = 10V ， ID = 500 MADC ）

TC = 25°C

（ VGS = 5.0伏， ID = 50 MADC ） TC = 25°C

正向跨导

（ VDS

10V， ID = 200 MADC ）

VGS （ TH）

ID （上）

1.0

0.5

–

2.0

–

VDC

欧

13.5

7.5

–

R DS （ ON）

政府飞行服务队

–

动态特性

输入电容

（ VDS = 25伏直流电， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）

输出电容

（ VDS = 25伏直流电， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）

反向传输电容

（ VDS = 25伏直流电， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）

西塞

科斯

CRSS

–

5.0

开关特性

（注2 ）

导通延迟时间

关断延迟时间

（ VDD = 30 V直流， ID

200 MADC ，

500

RG = 25

RL = 150

VGEN = 10 V）

TD （上）

TD （关闭）

–

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的说明书中的任何改变将不被通知个人

01 -JAN- 2006版本B

页面

2N7002DW

公司Bauelemente

115毫安， 60VOLTS ， RDS （ ON） = 7.5

小信号MOSFET

典型电气特性

1.0

漏源电流（A ）

0.8

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

0.6

= 10V

9.0V

8.0V

7.0V

6.5V

6.0V

5.0V

4.5V

4.0V

3.5V

3.0V

2.5V

2.0/1.0V

= 25°C

= 5.0V

5.5V

5.0V

0.4

= 10V

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

漏源极电压（ V）

图。 1在区域特征

2.0

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

，漏电流（ A）

图。 2导通电阻VS漏电流

1.5

= 10V ，我

= 0.5A

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

= 50毫安

= 500毫安

1.0

= 5.0V ，我

= 0.05A

0.5

-55

-30

-5

120

145

，结温（ ° C）

图。 3导通电阻VS结温

，门源电压（ V）

图。 4导通电阻与栅源电压

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01 -JAN- 2006年修订版

页面

MCC

微型商业组件

?????????? ?????? omponents

20736玛丽拉

街道查茨沃斯

???? ?????? ？！ ?? " ＃ ???

$ ％？？？ ???? ？！ ?? " ＃ ???

2N7002DW

特点

环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级

湿度敏感度等级1

功耗： 0.2W （环境温度Tamb = 25 ）

漏电流： 115毫安

漏源电压： 60V

工作结点温度： -55至+150

存储温度： -55至+150

打标： K72

参数

漏源击穿电压*

=为0 Vdc ，我

=10Adc)

栅极阈值电压*

, I

=250Adc)

门体漏*

=为0 Vdc ，V

=f20Vdc)

零栅极电压漏极电流*

= 60V直流，V

=0Vdc)

= 60V直流，V

=为0 Vdc ，T

=125 )

通态漏电流*

=刻度0-7.5Vdc ，V

=10Vdc)

漏源导通电阻*

= 5V直流，我

=50mAdc)

= 10Vdc的，我

=500mAdc)

正向跨导*

= 10Vdc的，我

=200mAdc)

输入电容

=25Vdc,

输出电容

=0Vdc

反向传输

f=1MHz

电容

=30Vdc,

根

=10Vdc

=150,I

=200mA,

=25

300s, duty cycle

20%

民

1.0

---

0.5

---

典型值

1.5

---

1.0

3.2

4.4

---

最大

---

2.0

f10

500

---

7.5

13.5

---

单位

VDC

N沟道MOSFET

电气特性@ 25

C除非另有说明

符号

（ BR ） DSS

日（ GS ）

GSS

DSS

SOT-363

VDC

NADC

μAdc

D（上）

DS （ ON）

ADC

国际空间站

OSS

RSS

尺寸

英寸

民

最大

0.15

0.35

1.15

1.35

2.15

2.45

0.65Nominal

1.20

1.40

1.80

2.20

---

0.10

0.90

1.10

0.26

0.46

0.08

0.15

开关

D（上）

D（关闭）

开启时间

打开-O FF时间

---

暗淡

民

.006

.045

.085

.026

.047

.071

---

.035

.010

.003

最大

.014

.053

.096

.055

.087

.004

.043

.018

.006

记

*脉冲测试，脉冲宽度

修改：

www.mccsemi.com

1 2

2011/01/01

MCC

微型商业组件

订购信息：

设备

型号-TP

填料

Tape&Reel ：

3Kpcs/Reel

***重要提示***

微型商业组件公司

保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右

进行更正，修改，增强，改进或其它更改。

微型商业组件

公司。

不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不

转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有

这样的使用和风险会同意举行

微型商业组件公司。

和其产品都是公司

代表我们的网站上，反对一切损害无害。

***生命支持***

未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件

微审批商业组件公司。

***客户意识***

半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在

强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励

客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件

我们的网页引用

下文。

产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品

件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。

MCC将不提供任何保修

覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。

MCC致力于打击这一全球

的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权

分销商。

www.mccsemi.com

修改：

2 2

2011/01/01

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

2N7002DW

300米安培， 60伏特DUAL

N沟道功率MOSFET

描述

在UTC

2N7002DW

在设计上最大限度地减少通态

电阻，以提供坚固的，可靠的，快速的切换

性能。它可在需要高达大多数应用中使用

400毫安DC ，并且可以提供脉冲电流高达2A 。该产品

特别适用于低电压，低电流的应用，例如

小伺服电机控制，功率MOSFET栅极驱动器和

其他开关应用

功率MOSFET

特点

*高密度电池设计低R

DS （ ON）

*压控小信号开关

*坚固可靠

*高饱和电流能力

符号

订购信息

订购数量

无铅

无卤

2N7002DWL-AL6-R

2N7002DWG-AL6-R

包

SOT-363

引脚分配

D2 G1 S2 G2

填料

带盘

记号

G：无卤

L：无铅

1 6

QW-R502-534.B

www.unisonic.com.tw

2011 Unisonic技术有限公司

2N7002DW

绝对最大额定值

（ TA = 25 ℃，除非另有说明。）

参数

漏源电压

漏，栅极电压（R

≤1M)

门源电压

漏电流

功耗

25°C以上降额

结温

储存温度

连续

不重复（ tp<50μs ）

连续

脉冲

符号

DSS

DGR

GSS

英镑

功率MOSFET

评级

±20

±40

300

800

200

1.6

+ 150

-55 ~ +150

单位

毫瓦/°C的

°C

注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。

绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。

热特性

参数

结到环境

符号

评级

625 （注1）

单位

° C / W

电气特性

= 25 ℃，除非另有规定）

参数

开关特性

漏源击穿电压

漏极 - 源极漏电流

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

漏源电压

通态漏电流

静态漏源导通电阻

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

符号

DSS

GSSF

GSSR

GS （ TH）

DS （ ON）

D（上）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

测试条件

= 0V时，我

=10μA

=60V, V

=0V

=20V, V

=0V

=-20V, V

=0V

= V

, I

=250μA

= 10V ，我

=500mA

= 5.0V ，我

=50mA

=10V,V

≥2V

DS （ ON）

= 10V ，我

=500mA,T

=125°C

= 5.0V ，我

=50mA

=25V,V

=0V,f=1.0MHz

民

100

-100

2.1

0.6

0.09

2700

2.5

3.75

1.5

13.5

7.5

典型值

最大单位

μA

500

= 30V ，R

=150

=的200mA， V

=10V

开启时间

根

=25

= 30V ，R

=25

=的200mA， V

=10V

打开-O FF时间

关闭

根

=25

漏源二极管的特性和最大额定值

漏源二极管的正向电压

= 0V ，是= 115毫安（注）

0.88

最大脉冲漏源极二极管

正向电流

最大连续漏源

二极管的正向电流

注： 1。设备安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸。最小焊盘尺寸。

2.脉冲测试：脉冲宽度≦ 300μS ，占空比≦ 2.0 ％

1.5

0.8

115

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

www.unisonic.com.tw

2 6

QW-R502-534.B

2N7002DW

测试电路和波形

根

DUT

OUT

功率MOSFET

图1

D（上）

90%

D（关闭）

关闭

90%

输出，V

OUT

10%

倒

90%

输入，V

10%

50%

脉冲宽度

图2的开关波形

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

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3 6

QW-R502-534.B

2N7002DW

典型特征

功率MOSFET

漏源电流，我

(A)

归漏源

导通电阻，R

DS （ ON）

()

导通电阻Varisation与温度

归漏源

导通电阻，R

DS （ ON）

()

1.75

1.5

1.25

0.75

0.5

-50

- 25

100 125 150

结温，T

(°C)

传输特性

=10V

25℃

1.1

125℃

归一门极 - 源

电压，V

GS （ TH）

(V)

1.05

0.95

0.9

0.85

0.8

-50

导通电阻Varisation与排水

电流和温度

归漏源开 -

电阻R

DS （ ON）

()

=10V

=125℃

=10V

=500mA

2.5

1.5

25℃

0.5

0.4

0.8

1.2

1.6

漏电流，我

(A)

栅极阈值Varisation与温度

= V

= 1毫安

1.6

漏电流，我

(A)

1. 8

1.2

0.4

门源电压，V

(V)

-25

100 125 150

结温，T

(°C)

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

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4 6

QW-R502-534.B

2N7002DW

典型特性的影响（续）

击穿电压Varisation

随温度

1.1

归漏源击穿

电压BV

DSS

(V)

1.075

1.05

1.025

0.975

0.95

0.925

-50

-25

100 125 150

结温，T

(°C)

= 250μA

反向漏电流，I

(A)

0.5

=125℃

0.1

0.05

0.01

0.005

0.001

0.2

0.4

0.6

25℃

功率MOSFET

体二极管正向电压Varisation

随温度

=0V

0.8

1.2

1.4

体二极管正向电压，V

(V)

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

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栅源电压，V

(V)

电容（pF）

5 6

QW-R502-534.B

2N7002DW

双N沟道增强型场效应晶体管

特点

双N沟道MOSFET

低导通电阻

低栅极阈值电压

低输入电容

开关速度快

低输入/输出泄漏

超小型表面贴装封装

无铅/符合RoHS （注2 ）

符合AEC -Q101标准的高可靠性

"Green"设备（注3,4）

机械数据

案例： SOT- 363

表壳材质：模压塑料。 “绿色”模塑料。

UL可燃性分类额定值94V- 0

湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级

终端：雾锡完成了退火合金引线框架42

（无铅电镀）。每MIL -STD- 202方法208

终端连接：见图

标识信息：见第3页

订购信息：见第3页

重量： 0.006克（近似值）

SOT-363

顶视图

内部原理

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明

特征

漏源电压

漏极 - 栅极电压

≤

1.0MΩ

栅源电压

漏电流（注1 ）

符号

DSS

DGR

连续

脉冲

连续

连续@ 100℃

脉冲

GSS

价值

±20

±40

115

800

单位

热特性

= 25 ° C除非另有说明

符号

英镑

价值

200

1.60

625

-55到+150

单位

毫瓦/°C的

° C / W

°C

特征

总功耗

降额以上的牛逼

= 25 ° C（注1 ）

热阻，结到环境

工作和存储温度范围

注意事项：

1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局文件AP02001 ，这

可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。

2.没有故意添加铅。

3.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。

4.产品使用日期代码UO制造（ 40周， 2007年）和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造

代码UO都建有非绿色塑封料，可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。

2N7002DW

文件编号： DS30120牧师12 - 2

1 4

www.diodes.com

2010年8月

Diodes公司

2N7002DW

电气特性

= 25 ° C除非另有说明

特征

开关特性（注5 ）

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

基本特征（注5 ）

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

通态漏电流

正向跨导

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

注意事项：

符号

DSS

@ T

= 25°C

@ T

= 125°C

DSS

GSS

GS （ TH）

@ T

= 25°C

@ T

= 125°C

DS （ ON）

D（上）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

民

1.0

0.5

典型值

3.2

4.4

1.0

2.0

7.0

最大

1.0

500

±10

2.0

7.5

13.5

5.0

单位

测试条件

= 0V时，我

= 10μA

= 60V, V

= 0V

= ±20V, V

= 0V

= V

, I

= 250μA

= 5.0V ，我

= 0.05A

= 10V ，我

= 0.5A

= 10V, V

= 7.5V

= 10V ，我

= 0.2A

= 25V, V

= 0V ， F = 1.0MHz的

= 30V ，我

= 0.2A ，R

= 150Ω,

根

= 10V

根

= 25Ω

5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。

1.0

，漏源电流（A ）

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

0.8

0.6

0.4

0.2

，漏源电压（V ）

图。 1在区域特征

0.4

0.6

0.8

，漏电流（ A）

图。 2导通电阻与漏电流

0.2

1.0

2.0

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

-30

-5

70 95

120 145

，结温（

图。 3导通电阻与结温

1.5

1.0

0.5

-55

10 12 14 16 18

，门源电压（ V）

图。 4导通电阻与栅源电压

2N7002DW

文件编号： DS30120牧师12 - 2

2 4

www.diodes.com

2010年8月

Diodes公司

2N7002DW

订购信息

（注6 ）

产品型号

2N7002DW-7-F

注意事项：

例

SOT-363

包装

3000 /磁带&卷轴

6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。

标识信息

K72 =产品型号标识代码

YM =日期代码标

Y =年（例如： N = 2002）

M =月（例如： 9 =九月）

K72

日期代码的关键

YEAR

1998

CODE

MONTH

CODE

JAN

1999

FEB

2000

2001

MAR

K72

2002

APR

2003

2004

JUN

2005

2006

JUL

2007

八月

2008

SEP

2009

十月

2010

2011

NOV

2012

DEC

五月

包装外形尺寸

B C

SOT-363

暗淡

民

最大

0.10

0.30

1.15

1.35

2.00

2.20

0.65 TYP

0.40

0.45

1.80

2.20

0.10

0.90

1.00

0.25

0.40

0.10

0.22

0°

8°

尺寸：mm

拟议的焊盘布局

尺寸值（单位：mm）

2.5

1.3

0.42

0.6

1.9

0.65

2N7002DW

文件编号： DS30120牧师12 - 2

3 4

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2010年8月

Diodes公司

2N7002DW

重要通知

Diodes公司不做任何明示不作出任何保证或默示的，关于这一文件，

包括但不限于适销性和适用性的暗示担保适用于特定用途

（及其任何司法管辖范围内的法律等效）。

Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利

恕不另行通知本文档以及此处所述的任何产品。 Diodes公司不承担因的任何法律责任

应用程序或使用本文件或本文所述的任何产品;同样没有Diodes公司在其专利的任何许可或

商标专用权，也没有他人的权利。本文档或产品在此类应用本文所述的任何客户或用户承担

这种使用的一切风险，并同意举行Diodes公司，其产品有代表Diodes公司所有公司

网站上，反对一切损害无害。

Diodes公司不担保或任何接受任何通过非授权渠道购买的任何产品的任何责任。

如果客户购买或使用Diodes公司的产品对任何意外或未经授权的应用程序，客户应保障

举行Diodes Incorporated及其代表的所有索赔，损失，费用和律师直接或引起的，收费无害

间接的，人身伤害或死亡索赔等意外或未经授权的应用程序相关联。

本文描述的产品可能受一个或多个美国，国际或外国专利正在申请中。产品名称和标识

注意到这里也可以覆盖一个或多个美国，国际或外国商标。

生命支持

Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件

Diodes公司的首席执行官的书面批准。如本文所用：

A.生命支持设备或系统的设备或系统，其中：

1.旨在植入到体内，或

2.支持或维持生命，其未履行正确的使用按照所提供的使用说明

标签可以合理预期造成显著伤害到用户。

B.关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的任何组件

生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。

客户表示，他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果，并

承认并同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关要求有关的产品和任何

使用Diodes公司产品在此类关键安全，生命支持设备或系统，即使有任何器件 - 或系统相关的

信息或可由Diodes公司来提供支持。此外，客户必须全额赔偿Diodes公司及其

代表因在此类关键安全，生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。

2010 ， Diodes公司

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2N7002DW

文件编号： DS30120牧师12 - 2

4 4

www.diodes.com

2010年8月

Diodes公司

2N7002DW

的OptiMOS

小信号三极管

特点

双N沟道

增强型

逻辑电平

额定雪崩

快速开关

符合AEC Q101标准

100 ％无铅化;符合RoHS标准

产品概述

DS （ ON），最大

=10 V

=4.5 V

0.3

PG-SOT363

TYPE

2N7002DW

参数

包

磁带和卷轴信息

记号

X8s

无铅

是的

价值

0.30

0.24

1.2

1.3

填料

非干

单位

PG- SOT363 L6327 ： 3000个/卷

符号条件

=25 °C

=70 °C

连续漏电流

漏电流脉冲

雪崩能量，单脉冲

D，脉冲

=25 °C

=0.3 A,

=25

=0.3 A,

=48 V,

的di / dt = 200 A / μs的，

， MAX

=150 °C

反向二极管的dv / dt

门源电压

防静电类

功耗

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

的dV / dt

±20

KV / μs的

JESD22 - A114 （ HBM ）

合计

英镑

=25 °C

0级（ <250V ）

0.5

-55 ... 150

55/150/56

°C

备注：两个晶体管的操作之一。

Rev.2.2

第1页

2010-03-25

2N7002DW

参数

符号条件

分钟。

热特性

热阻，

结 - 最小的足迹

thJA

值

典型值。

马克斯。

单位

250

K / W

电气特性，

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

（ BR ） DSS

= 0 V,

=250 A

GS （ TH）

D（关闭）

=250 A

=60 V,

=-10 V,

=25 °C

=60 V,

=0 V,

=150 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

GSS

DS （ ON）

=20 V,

=0 V

=4.5 V,

=0.25 A

=10 V,

=0.5 A

跨

|>2|I

DS （ ON）最大值

=0.24 A

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极漏电流

1.5

2.1

2.5

0.1

0.2

2.0

1.6

0.36

Perfomed一个40x40mm

FR4 PCB与双侧的铜感力的痕迹，每1mm宽， 70微米厚至20mm

长。

Rev.2.2

第2页

2010-03-25

2N7002DW

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

S，脉冲

=25 °C

=0 V,

=0.5 A,

=25 °C

=30 V,

=0.5 A,

/ DT = 100 A / μs的

0.96

8.5

2.4

0.3

1.2

高原

=48 V,

=0.5 A,

= 0到10伏

0.05

0.2

0.4

4.0

0.1

0.4

0.6

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

=30 V,

=10 V,

=0.5 A,

=0 V,

=25 V,

= 1兆赫

4.1

2.0

3.0

3.3

5.5

3.1

4.5

值

典型值。

马克斯。

单位

Rev.2.2

第3页

2010-03-25

2N7002DW

1功耗

合计

= F （T

)

2漏极电流

= F （T

);

≥10

0.35

0.5

0.3

0.4

0.25

合计

[W]

[A]

0.15

0.1

0.05

120

160

120

160

0.3

0.2

0.1

[°C]

3安全工作区

= F（V

);

=25 °C;

参数：

4最大。瞬态热阻抗

thJA

= F （T

)

参数：

限于由导通状态

阻力

1 s

0.5

10 s

100 s

0.2

0.1

thJA

〔 K / W〕

[A]

-1

1毫秒

0.05

0.02

0.01

10毫秒

单脉冲

-2

-3

100

-5

-4

-3

-2

-1

[V]

[s]

Rev.2.2

第4页

2010-03-25

2N7002DW

5典型。输出特性

= F（V

);

=25 °C

参数：

0.6

6典型。上电阻漏 - 源

DS （ ON）

= F（我

);

=25 °C

参数：

0.5

10 V

4.5 V

2.9 V

3.2 V

3.5 V

0.4

DS （ ON）

[

]

[A]

0.3

3.5 V

4.5 V

0.2

3.2 V

10 V

0.1

2.9 V

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

[V]

[A]

7典型。传输特性

= F（V

); |V

|>2|I

DS （ ON）最大值

8典型。正向跨导

= F（我

);

=25 °C

0.6

0.5

0.45

0.5

0.4

0.35

0.3

0.4

[S]

[A]

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0.00

0.10

0.20

0.30

0.40

0.1

[V]

[A]

Rev.2.2

第5页

2010-03-25

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

2N7002DW

300毫安， 60V DUAL

N沟道功率MOSFET

描述

在UTC

2N7002DW

采用先进的技术来提供

优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和操作与低门

电压。这个装置是适合于用作负载开关或以PWM

应用程序。

功率MOSFET

特点

*高密度电池设计低R

DS （ ON）

*压控小信号开关

*坚固可靠

*高饱和电流能力

符号

订购信息

订购数量

无铅

无卤

2N7002DWL-AL6-R

2N7002DWG-AL6-R

包

SOT-363

引脚分配

D2 G1 S2 G2

填料

带盘

记号

G：无卤

L：无铅

www.unisonic.com.tw

1 6

QW-R502-534.C

2N7002DW

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明。）

功率MOSFET

参数

符号

评级

单位

漏源电压

DSS

漏，栅极电压（R

≤1M)

DGR

连续

±20

门源电压

GSS

不重复（T

<50μs)

±40

连续

300

漏电流

脉冲

800

功耗

200

25°C以上降额

1.6

毫瓦/°C的

结温

+ 150

°C

储存温度

英镑

-55 ~ +150

°C

注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。

绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。

热数据

参数

结到环境

符号

评级

625 （注1）

单位

° C / W

电气特性

= 25 ℃，除非另有规定）

参数

开关特性

漏源击穿电压

漏极 - 源极漏电流

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

漏源电压

静态漏源导通电阻

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

符号

DSS

GSSF

GSSR

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

测试条件

= 0V时，我

=10μA

=60V, V

=0V

=20V, V

=0V

=-20V, V

=0V

= V

, I

=250μA

= 10V ，我

=300mA

= 5.0V ，我

=50mA

= 10V ，我

=300mA,T

=125°C

= 5.0V ，我

=50mA

=25V,V

=0V,f=1.0MHz

民

100

-100

2.1

0.6

0.09

2.5

3.75

1.5

13.5

7.5

典型值

最大

单位

μA

= 30V ，R

=150

=的200mA， V

=10V

开启时间

根

=25

= 30V ，R

=25

=的200mA， V

=10V

打开-O FF时间

关闭

根

=25

漏源二极管的特性和最大额定值

漏源二极管的正向电压

= 0V ， IS = 300mA（对注）

0.88

最大脉冲漏源极二极管

正向电流

最大连续漏源

二极管的正向电流

注： 1。设备安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸。最小焊盘尺寸。

2.脉冲测试：脉冲宽度≦ 300μS ，占空比≦ 2.0 ％

1.5

0.8

300

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

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2 6

QW-R502-534.C

2N7002DW

测试电路和波形

功率MOSFET

根

DUT

OUT

图。 1

D（上）

90%

D（关闭）

关闭

90%

输出，V

OUT

10%

倒

90%

输入，V

10%

50%

脉冲宽度

50%

图。 2开关波形

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3 6

QW-R502-534.C

2N7002DW

典型特征

功率MOSFET

漏源电流，我

(A)

归漏源

导通电阻，R

DS （ ON）

()

导通电阻Varisation与温度

归漏源

导通电阻，R

DS （ ON）

()

1.75

1.5

1.25

0.75

0.5

-50

- 25

100 125 150

结温，T

(°C)

传输特性

1.0

=10V

25°C

1.1

125°C

归一门极 - 源

电压，V

GS （ TH）

(V)

1.05

0.95

0.9

0.85

0.8

-50

归漏源开 -

电阻R

DS （ ON）

()

=10V

=300mA

2.5

1.5

导通电阻Varisation与排水

电流和温度

=10V

=125°C

25°C

0.5

0.4

0.8

1.2

1.6

漏电流，我

(A)

栅极阈值Varisation与温度

= V

= 1毫安

0.8

漏电流，我

(A)

0.6

0.4

0.2

门源电压，V

(V)

-25

100 125 150

结温，T

(°C)

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4 6

QW-R502-534.C

2N7002DW

典型特性的影响（续）

击穿电压Varisation

随温度

1.1

归漏源击穿

电压BV

DSS

(V)

1.075

1.05

1.025

0.975

0.95

0.925

-50

-25

100 125 150

结温，T

(°C)

= 250μA

反向漏电流，I

(A)

0.5

=125°C

0.1

0.05

0.01

0.005

0.001

0.2

0.4

0.6

25°C

功率MOSFET

体二极管正向电压Varisation

随温度

=0V

0.8

1.2

1.4

体二极管正向电压，V

(V)

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

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栅源电压，V

(V)

电容（pF）

5 6

QW-R502-534.C

2N7002DW

双N沟道增强

型场效应晶体管

特点

双N沟道MOSFET

低导通电阻

低栅极阈值电压

低输入电容

开关速度快

低输入/输出泄漏

超小型表面贴装封装

SOT-363

新产品

暗淡

民

0.10

1.15

2.00

0.30

1.80

0.90

0.25

0.10

最大

0.30

1.35

2.20

0.40

2.20

0.10

1.00

0.40

0.25

KXX

B C

0.65标称

机械数据

案例： SOT- 363 ，模压塑料

码头：每MIL -STD- 202焊接的，

方法208

终端连接：见图

打标： K72

重0.006克数（大约）

尺寸：mm

最大额定值

漏源电压

@ T

= 25 ° C除非另有说明

符号

DSS

DGR

连续

脉冲

连续

连续@ 100℃

脉冲

GSS

qJA

, T

英镑

2N7002DW

±20

±40

115

800

200

1.60

625

-55到+150

单位

毫瓦/°C的

K / W

°C

特征

漏极 - 栅极电压

1.0MW

栅源电压（注1 ）

漏电流（注1 ）

总功耗

降额以上的牛逼

= 25 ° C（注1 ）

热阻，结到环境

工作和存储温度范围

注：1，有效的前提是终端保持在规定的环境温度。

2.脉冲宽度

300毫秒，占空比

2%.

DS30120牧师2P - 1

1第3

2N7002DW

新产品

电气特性

特征

开关特性（注2 ）

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

基本特征（注2 ）

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

通态漏电流

正向跨导

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

@ T

= 25 ° C除非另有说明

符号

DSS

@ T

= 25°C

@ T

= 125°C

DSS

GSS

GS （ TH）

@ T

= 25°C

@ T

= 125°C

DS （ ON）

D（上）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

民

1.0

0.5

典型值

3.2

4.4

1.0

2.0

7.0

最大

1.0

500

±10

2.0

7.5

13.5

5.0

单位

= 30V ，我

= 0.2A,

= 150W ，V

根

= 10V,

根

= 25W

= 25V, V

= 0V

F = 1.0MHz的

测试条件

= 0V时，我

= 10毫安

= 60V, V

= 0V

= ±20V, V

= 0V

= V

, I

=-250mA

= 5.0V ，我

= 0.05A

= 10V ，我

= 0.5A

= 10V, V

= 7.5V

= 10V ，我

= 0.2A

注：1，有效的前提是终端保持在规定的环境温度。

2.脉冲宽度

300毫秒，占空比

2%.

DS30120牧师2P - 1

2 3

2N7002DW

1.0

新产品

0.8

，漏源电流（A ）

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

0.6

= 10V

9.0V

8.0V

7.0V

6.5V

6.0V

5.0V

4.5V

4.0V

3.5V

3.0V

2.5V

2.0/1.0V

= 25

= 5.0V

5.5V

5.0V

0.4

= 10V

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

，漏源电压（V ）

图。 1在区域特征

，漏电流（ A）

图。 2导通电阻VS漏电流

2.0

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

1.5

= 10V ，我

= 0.5A

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

1.0

= 5.0V ，我

= 0.05A

= 50毫安

= 500毫安

0.5

-55

-30

-5

120

145

，结温（

图。 3导通电阻VS结温

，门源电压（ V）

图。 4导通电阻与栅源电压

DS30120牧师2P - 1

3 3

2N7002DW

2N7002DW - N沟道增强型场效应晶体管

2007年10月

2N7002DW

N沟道增强型网络场效晶体管

特点

双N沟道MOSFET

低导通电阻

低栅极阈值电压

低输入电容

开关速度快

低输入/输出泄漏

超小型表面贴装封装

无铅/符合RoHS标准

SC70-6

(SOT363)

标记： 2N

绝对最大额定值*

符号

DSS

DGR

GSS

漏源电压

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏极 - 栅极电压

≤

1.0M

栅源电压

漏电流

连续

脉冲

连续

连续@ 100℃

脉冲

价值

±20

±40

115

800

-55到+150

单位

°C

J ,

英镑

结温和存储温度范围

*这些额定值的限制值以上的任何半导体器件的适用性可以通过削弱。

热特性

符号

θJA

参数

器件总功耗

降额以上的牛逼

= 25°C

热阻，结到环境*

价值

200

1.6

625

单位

毫瓦/°C的

° C / W

*设备安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸， Minimun焊盘的大小，

2007仙童半导体公司

2N7002DW版本A

www.fairchildsemi.com

2N7002DW - N沟道增强型场效应晶体管

电气特性

符号

参数

开关特性

(Note1)

DSS

GSS

= 25 ° C除非另有说明

测试条件

民

典型值

最大

单位

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

= 0V时，我

=10uA

= 60V, V

= 0V

= 60V, V

= 0V ， @T

= 125°C

= ±20V, V

= 0V

0.001

0.2

1.0

500

±10

基本特征

(Note1)

GS （ TH）

DS （ ON）

D（上）

栅极阈值电压

= V

, I

= 250uA

1.0

0.5

1.76

1.6

2.53

1.43

356.5

2.0

7.5

13.5

Satic漏源导通电阻V

= 5V ，我

= 0.05A,

= 10V ，我

= 0.5A ， @T

= 125°C

通态漏电流

正向跨导

= 10V, V

= 7.5V

= 10V ，我

= 0.2A

动态特性

国际空间站

OSS

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

= 25V, V

= 0V ， F = 1.0MHz的

37.8

12.4

6.5

7.0

开关特性

D（上）

D（关闭）

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

= 30V ，我

= 0.2A ，V

根

= 10V

= 150, R

根

= 25

5.85

12.5

注1 ：持续时间短的测试脉冲用于最小化自加热效应

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2N7002DW - N沟道增强型场效应晶体管

典型性能特性

图1.区域特征

1.6

图2.导通电阻变化与门

电压和漏极电流

3.0

。漏源电流（A ）

（ON）

()

DRANI - 源导通电阻

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

= 10V

= 3V

4.5V

2.5

2.0

10V

1.5

0.0

1.0

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

。漏源极电压（ V）

。漏源电流（A ）

图3.导通电阻变化与

温度

3.0

图4.导通电阻变化与

栅源电压

3.0

（上）

()

DRANI - 源导通电阻

2.5

= 10V

= 500毫安

（ON）

()

DRANI - 源导通电阻

2.5

2.0

= 500毫安

2.0

1.5

= 50毫安

1.5

1.0

0.5

-50

1.0

100

150

。结温（ C）

。栅源电压（ V）

图5.传输特性

1.0

图6.门阈值变化与

温度

Vth时，栅源阈值电压（ V）

2.5

。漏源电流（A ）

= 10V

0.8

= -25 C

150 C

25 C

125 C

= V

2.0

0.6

= 1毫安

= 0.25毫安

1.5

75 C

0.4

0.2

0.0

1.0

-50

100

150

。栅源电压（ V）

。结温（ C）

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典型性能特性

图7.反向漏电流的变化与

二极管的正向电压和温度

= 0 V

图8.功率降额

280

反向漏电流， [马]

100

[毫瓦] ，功率耗散

150 C

240

200

160

25 C

120

-55 C

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

100

125

150

175

，体二极管正向电压[ V]

[C] ，环境温度

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包装尺寸

SC70-6

（ SOT- 363 ）

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2007年10月

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特点

双N沟道MOSFET

低导通电阻

低栅极阈值电压

低输入电容

开关速度快

低输入/输出泄漏

超小型表面贴装封装

无铅/符合RoHS标准

SC70-6

(SOT363)

标记： 2N

绝对最大额定值*

符号

DSS

DGR

GSS

漏源电压

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏极 - 栅极电压

≤

1.0M

栅源电压

漏电流

连续

脉冲

连续

连续@ 100℃

脉冲

价值

±20

±40

115

800

-55到+150

单位

°C

J ,

英镑

结温和存储温度范围

*这些额定值的限制值以上的任何半导体器件的适用性可以通过削弱。

热特性

符号

θJA

参数

器件总功耗

降额以上的牛逼

= 25°C

热阻，结到环境*

价值

200

1.6

625

单位

毫瓦/°C的

° C / W

*设备安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸， Minimun焊盘的大小，

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电气特性

符号

参数

开关特性

(Note1)

DSS

GSS

= 25 ° C除非另有说明

测试条件

民

典型值

最大

单位

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

= 0V时，我

=10uA

= 60V, V

= 0V

= 60V, V

= 0V ， @T

= 125°C

= ±20V, V

= 0V

0.001

0.2

1.0

500

±10

基本特征

(Note1)

GS （ TH）

DS （ ON）

D（上）

栅极阈值电压

= V

, I

= 250uA

1.0

0.5

1.76

1.6

2.53

1.43

356.5

2.0

7.5

13.5

Satic漏源导通电阻V

= 5V ，我

= 0.05A,

= 10V ，我

= 0.5A ， @T

= 125°C

通态漏电流

正向跨导

= 10V, V

= 7.5V

= 10V ，我

= 0.2A

动态特性

国际空间站

OSS

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

= 25V, V

= 0V ， F = 1.0MHz的

37.8

12.4

6.5

7.0

开关特性

D（上）

D（关闭）

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

= 30V ，我

= 0.2A ，V

根

= 10V

= 150, R

根

= 25

5.85

12.5

注1 ：持续时间短的测试脉冲用于最小化自加热效应

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典型性能特性

图1.区域特征

1.6

图2.导通电阻变化与门

电压和漏极电流

3.0

。漏源电流（A ）

（ON）

()

DRANI - 源导通电阻

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

= 10V

= 3V

4.5V

2.5

2.0

10V

1.5

0.0

1.0

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

。漏源极电压（ V）

。漏源电流（A ）

图3.导通电阻变化与

温度

3.0

图4.导通电阻变化与

栅源电压

3.0

（上）

()

DRANI - 源导通电阻

2.5

= 10V

= 500毫安

（ON）

()

DRANI - 源导通电阻

2.5

2.0

= 500毫安

2.0

1.5

= 50毫安

1.5

1.0

0.5

-50

1.0

100

150

。结温（ C）

。栅源电压（ V）

图5.传输特性

1.0

图6.门阈值变化与

温度

Vth时，栅源阈值电压（ V）

2.5

。漏源电流（A ）

= 10V

0.8

= -25 C

150 C

25 C

125 C

= V

2.0

0.6

= 1毫安

= 0.25毫安

1.5

75 C

0.4

0.2

0.0

1.0

-50

100

150

。栅源电压（ V）

。结温（ C）

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典型性能特性

图7.反向漏电流的变化与

二极管的正向电压和温度

= 0 V

图8.功率降额

280

反向漏电流， [马]

100

[毫瓦] ，功率耗散

150 C

240

200

160

25 C

120

-55 C

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

100

125

150

175

，体二极管正向电压[ V]

[C] ，环境温度

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包装尺寸

SC70-6

（ SOT- 363 ）

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