IXBD4410
IXBD4411
如果MOSFET开关25 A时，
瞬间将持续，只要（ 500分之25 ）
s
或50毫微秒，这比典型的
6或7 ns的传输量一74HC或
系列门。
图。图10示出的示例性布局
问题。电源电路由
三个功率晶体管（MOSFET中
本实施例中） 。随着ISOSMART
栅极驱动器芯片组的接地，在
选项（ b）所示。 10 ，通信
从IXDP630路径运行
没有错误。在PC走线引起的
电压不是公共的数字
驱动器输出如下（其propaga-后
化延迟）和MOSFET开始
进行。所述电压瞬态诱发
跨LS1 （V = LS1 的di / dt ）提高了
局部地（ a点） ，直到它超过
V
oh
(630) - V
il
和驱动器（后其
传播延迟）接通MOSFET
关。现在的MOSFET电流下降，
V（ LS1 ）下降，点（一）高度跌落至系统
地面（或稍下） ，和驱动
检测"1"在其输入端。它的后
传播延迟，再次接通
转换设备，由于其非常
高共模dv / dt的抑制
的能力。
变压器的注意事项
变压器是所述通信
之间的联系和隔离屏障
高亮侧和低侧的IC。高侧
栅极和故障信号被传输
通过变压器并保
泰宁的适当隔离。该
发射机的信号是在一个形式
图。 9 ：建议IC方向
路径，所以栅极驱动器的输入端将
看不到或作出回应。
不幸的是， MOSFET不会
运行正常。电压感应
跨越时Q1导通， LS1 ，动作
源退化，修改
导通的MOSFET的特性。如果
LS1 = 27 nH的，而V
CC
为15 V （假设
MOSFET的栅极高原是6 V）
在接通时的di / dt的将被调节
驱动器/ MOSFET / LS1环路约
200 A / μs的;令人惊喜的你
电路需要500 A / μs的操作
正确。
也能够利用这
行为创建一个导通或关断
di / dt的限制（可能冷落上
续流二极管的反向恢复） 。
而有可能，这通常是不
期望或实际其中两个或更多
晶体管被控制。均衡
三痕迹寄生阻抗
虽然定位晶体管旁
其散热片和满足UL / VDE
电压间距是太困难。
接地的栅极驱动器中的选择
（ a）所示。 10解决了MOSFET的导通
通过对从消除LS1问题
源反馈回路。现在，不幸的
的是，这一栅极驱动器的振荡频率
每一次它被接通或关闭。作为
IXDP630输出变为"high" ，栅极
图。 10 ：创造功能性问题的潜在布局问题
MOSFET上，继续振荡
为一个周期。
为了消除这个问题，一个接地
电平变换电路必须
补充说，拒绝这种共模
短暂的。最简单的是一个去耦
电路中，也示于图10。
基于C电容电压
d
遗体
恒定而瞬变电压
R两端下降
d
和驱动器
没有检测到输入转换，消除
振荡。本电路中加
显著到导通和关断延迟
时间，并且不能如果瞬变使用
持续时间超过所允许的延迟。
延迟时间必须加以考虑
选择系统的死区时间。
最复杂的（也是最有效）
消除的效果的方法
地之间的瞬变是隔离。
光电耦合器和脉冲变压器
是最常用的隔离
技术和工作非常好，在这
情况。在IXDP630 / 631已经
专门设计用于直接驱动一个
高速光耦，如惠普
惠普HCPL22XX家人或
通用仪器740L60XX optologic
家庭。这些optos是特别好
适合于电机控制和功率
的方波，但后者响应
只对逻辑边缘。这允许
更小的变压器设计，
由于10 kHz的开关频率
不需要一个10kHz的脉冲
变压器。
推荐的变压器，这
ISOSMART 驱动器芯片组
使用非常小的铁氧体制造
盾珠（参照图11） ，在其上一
6匝初级和两转
次级绕组的36 AWG磁铁
丝制成。这两个绕组是
段创面达到初级用于─
高达2500 V次级隔离。
六转初选连接
各IXBD4410 / 4411
发送器输出和两转
次级被连接到其
相应的接收器输入。
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