IXBD4410
IXBD4411
ISOSMART
TM
半桥驱动器芯片组
TYPE
描述
包
温度范围
IXBD4410PI
IXBD4411PI
IXBD4410SI
IXBD4411SI
全功能的低侧驱动器16引脚P- DIP
全功能的高边驱动器16引脚P- DIP
全功能的低边驱动器的16引脚SO
全功能的高边驱动器的16引脚SO
-40至+ 85°C
-40至+ 85°C
-40至+ 85°C
-40至+ 85°C
该IXBD4410 / IXBD4411 ISOSMART
芯片组的目的是控制栅极
两个功率MOSFET或电源
被连接在一个半的IGBT
桥（相桥臂）配置
驱动多相电动机，或用于
在需要半桥应用
电源电路。该IXBD4410 /
IXBD4411是一个全功能的芯片组
由两个16引脚DIP或SO
设备接口和隔离两
小信号铁氧体脉冲变压器。
小信号变压器提供
比1200 V隔离度。
即使整流噪声用环境
大于
±50
V / ns的和高达1200 V
势，这款芯片组而设置
无差错的双向通信
系统地基准之间
IXBD4410和逆变器输出 -
参考IXBD4411 。他们结合
欠电压V
DD
或V
EE
锁定和
过流或过饱和关闭
为了保护IGBT或功率MOSFET
从损坏的设备。
该芯片组提供了必要的
栅极驱动信号，以完全控制
接地源的低侧功率
装置以及浮源
高侧功率器件。另外，
在IXBD4410 / 4411芯片组，提供了一个
负向，关断状态的栅极驱动器
信号为改善关断IGBT的或
功率MOSFET和系统逻辑电
兼容状态故障输出FLT到
显示过电流或饱和度，
和欠压V
DD
或V
EE
。在一
故障状态，无论是芯片组保持
各栅极驱动输出关闭;在
V
EE
.
特点
1200 V或更高低到高边
隔离。
驱动器电源系统上运行
高达575 V交流电源
大于的dv / dt抗扰性
±50V/ns
专有低到高侧水平
翻译和沟通
片上负栅极驱动电源
为确保功率MOSFET或IGBT
关闭并防止噪音门
干扰
5 V逻辑兼容输入HCMOS
与迟滞
可在任的16引脚DIP或
16引脚宽体小外形
塑料包装
20 ns的开关时间为1000 pF的
负荷; 100 ns的开关时间
万pF负载
100 ns传播延迟时间
2峰值输出驱动能力
输出的响应的自关断
到过电流或短路
欠压和过电压V
DD
锁定保护
防止交叉传导
半桥
逻辑兼容故障指示
由低和高侧驱动器
应用
540 V-
1或3相电机控制
开关模式电源
（ SMPS）的
不间断电源
（ UPS ）
感应加热和焊接
系统
开关放大器
一般的电源转换电路
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2004 IXYS所有权利。
1
IXBD4410
IXBD4411
符号
定义/条件
特征值
(T
A
= 25 ° C，V
DD
= 15V，除非另有规定）
分钟。
典型值。
马克斯。
V
DD
欠压锁定
V
uv
V
uh
退出
迟滞
9.5
0.1
10.5
0.15
11.5
0.3
V
V
静态电源电流
I
DD
V
DD
电流/ V
in
=V
DD
或LG的，我
o
= 0
20
mA
INL和INH输入
（图1a中 - 1c）的
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
DLH （关闭）
导通延迟时间;
4410
上升时间;
打开-O FF延迟时间
4410
下降时间
4410/4412
导通延迟时间 -
4411
打开-O FF延迟时间
t
DLH （上）
4410
导通延迟时间 -
4411
打开-O FF延迟时间
C
L
=1nF
60
150
ns
C
L
=1nF
60
150
ns
C
L
=1nF
C
L
= 10nF的
C
L
= 1 nF的
C
L
=1nF
C
L
=10nF
C
L
=1nF
110
70
15
70
70
15
175
100
20
150
150
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
故障输出延迟的任何故障条件（四千四百十一分之四千四百一）
t
FLT
FLT延迟/ R
pu
= 2 KΩ
L
= 20 pF的
200
300
ns
过电流保护延时
t
oc
司机关闭延迟时间
C
L
= 1 nF的
200
300
ns
1N5817
1N5817
图。 1A ： IXBD4410 / 4411开关时间测试电路
版权所有2004 IXYS所有权利。
图。 1b中：输出信号波形
3
IXBD4410
IXBD4411
芯片组概述
这ISOSMART
TM
芯片组是一对
集成电路提供隔离
高边和低边驱动器的相位
腿马达控制，或者任何其他
应用程序，它利用一个半桥，
2-或3相驱动结构。他们
由两个驱动控制输入（ INL
和INH）两个功率MOSFET / IGBT
栅极驱动器输出。两个输入操作
从一个公共接地，并且
通过HCMOS兼容逻辑激活
的水平。低侧输出工作
近的输入接地，而高侧
输出工作在浮动接地
这是名义上的源极连接
高侧相桥臂的功率
装置。两路输出通常提供2
瞬态电流驱动的快
相桥臂功率开关
装置。
IXBD4410/IXBD4411
全功能ISOSMART
TM
司机
芯片组采用了IXBD4410为
低侧驱动器（图3）和一
IXBD4411作为高边驱动器（图
2）。当输入"INL"被设定为正
逻辑电平，低边栅极输出
变为高电平（导通） ;当"INH"设置
到正逻辑电平时，高边
栅极驱动输出为高电平。在高
侧的IC从低侧集成电路分离
由磁屏障，穿过该
接通/关断信号被发送到
高侧栅极驱动。该IXBD4411
故障信号也被发送回
通过这些的IXBD4410司机
变压器。只有这种隔离
依赖于低成本的通信
系统蒸发散变压器，其目的是
承受1200伏以上。
存在两种磁性传动
低和高之间的通道
侧IC的双向通信
阳离子。一个发送信号的
低侧IXBD4410集成电路到高
侧IXBD4411 IC和其它发送
来自高侧的信号反馈到
低侧集成电路。在发送了信号
控制IXBD4411栅极驱动
输出。从发送的信号
IXBD4411回IXBD4410
表示发生高压侧故障
（过电流，或下压的
高边+电源）。这是
在IXBD4410驱动程序检测和
设置"FLT"引脚为低电平，以指示高
侧故障。
从返回的故障信号
15
V
DD
UV
DD
UV
EE
14
V
EE
13
12
图。 2： IXBD4411 ，高边驱动器的框图
15
V
DD
UV
DD
UV
EE
14
V
EE
13
12
图。 3： IXBD4410 ，低侧驱动器框图
图。 4 ：逻辑IXBD4410 FLT信号的表示
版权所有2004 IXYS所有权利。
IXBD4410
IXBD4411
该IXBD4411严格仅供状态。
任何栅极驱动的，因为关闭
高侧故障做
在本地范围内
高端IXBD4411 。该IXBD4411
栅极驱动器将关断电源装置
每当过流或下
电压条件下出现。过电流
感应是活性仅在栅极
驱动器的输出是"high" （上） 。该
过电流故障状态被锁存，并
复位就下INH门输入
积极转变。的的FLT （引脚8 ）
IXBD4411不使用，应
接地。
低端IXBD4410驱动器提供
输出管脚8 （FLT ）来指示一个高
侧（ IXBD4411 ）
or
一个低侧
（ IXBD4410 ）故障。此输出引脚为
"open - drain"输出。该IXBD4410低
侧驱动器故障指示相似
该IXBD4411高边驱动器的指示
正如上文所述。一个"graphic"逻辑
该芯片组的FLT功能示意图
示于图4 。注意，此图
提供此功能的逻辑
"low - side" IXBD4410驱动器和不
实际电路。它描述了该组合
在"fault logic"和"hi端故障的逻辑
同时在IXBD4410 sense"块和
IXBD4411如图。图2和3 。
提供最有效的方法
功率的高边驱动器是由
自举。此方法被示
在第4页上的功能图和
在该应用例（图6和9）
由二极管D1和电容器C1。使用这种
的方法，该动力通过绘制
高压二极管上的储
电容每当浮动高边
地返回到附近的真正理由
的低侧驱动器。当高侧
栅极导通和浮动接地
移向高电位，在
自举二极管反向偏置，并且所述
高侧驱动器获取电源仅
从储电容器。功率可
还可以通过任何隔离电源提供
电源（通常是一个额外的辅助
系统内务供应
开关变压器） 。
无论是IXBD4410和IXBD4411
包含板载负电荷泵
提供负栅极驱动器，这
确保关闭的高或低侧的
在电流的存在功率器件
诱发电力设备米勒电容
tance或感应地面瞬变。
这些电荷泵提供-5 V
相对于本地驱动程序时，地面
V
DD
为+15 V，并在额定平均
电流为25毫安。电荷泵
需要两个外部电容器， C7和
的C11所示。 6.电荷泵
频率标称600千赫。该
电荷泵时钟被关闭
每当在V之间的差
DD
和V
EE
供应超过20 V，以防止
超过的击穿评级
IC 。
无论是IXBD4410和IXBD4411
司机拥有两个本地各的理由，
一个共同的逻辑接地，并"Kelvin"
地面上。开尔文地和逻辑
理由首先直接连接到
对方，然后向开尔文 - 源
为精确的过功率器件的
电流测量中的存在
功率器件上的感应瞬变
源极端子。
功率MOSFET或IGBT过流
传感利用一个片上比较器
具有典型的300毫伏的阈值。在一个
典型的应用中，电流镜销
的功率MOSFET或IGBT所配置
连接至接地，低阻值电阻，
和过电流比较器的输入
在高或低侧驱动器。该
比较典型内响应
150 ns到过电流情况，以
关断驱动器输出。电源
交换机也可以通过被保护
DESA - turation检测（参照图6 ，图7和
9).
为了保证在最大程度的保护
相桥臂的功率器件中，芯片组
具有以下电源
MOSFET和IGBT的保护电路：
功率器件过流或desa-
turation保护。该IXBD4410 /
4411will关断的驱动装置
在150纳秒的感应输出
过流或过饱和的状态。
栅极驱动闭锁电路，以防止
跨导（同时
在低和高侧的导
相桥臂的功率器件） ，无论是
在正常工作条件或
当故障发生时。
在上电期间，该芯片组的网关
驱动器输出将低（关） ，直到
电压达到欠压脱扣
点。
欠电压栅极驱动锁定在
在低收入和/或高侧驱动器下列情况─
过各自的积极力量
电压低于9.5 V典型。
欠电压栅极驱动锁定在
在低收入和高边驱动器
每当相应的负
上述-3 V电源上升
典型的。
版权所有2004 IXYS所有权利。
5
IXBD4410
IXBD4411
ISOSMART
TM
半桥驱动器芯片组
TYPE
描述
包
温度范围
IXBD4410PI
IXBD4411PI
IXBD4410SI
IXBD4411SI
全功能的低侧驱动器16引脚P- DIP
全功能的高边驱动器16引脚P- DIP
全功能的低边驱动器的16引脚SO
全功能的高边驱动器的16引脚SO
-40至+ 85°C
-40至+ 85°C
-40至+ 85°C
-40至+ 85°C
该IXBD4410 / IXBD4411 ISOSMART
芯片组的目的是控制栅极
两个功率MOSFET或电源
被连接在一个半的IGBT
桥（相桥臂）配置
驱动多相电动机，或用于
在需要半桥应用
电源电路。该IXBD4410 /
IXBD4411是一个全功能的芯片组
由两个16引脚DIP或SO
设备接口和隔离两
小信号铁氧体脉冲变压器。
小信号变压器提供
比1200 V隔离度。
即使整流噪声用环境
大于
±50
V / ns的和高达1200 V
势，这款芯片组而设置
无差错的双向通信
系统地基准之间
IXBD4410和逆变器输出 -
参考IXBD4411 。他们结合
欠电压V
DD
或V
EE
锁定和
过流或过饱和关闭
为了保护IGBT或功率MOSFET
从损坏的设备。
该芯片组提供了必要的
栅极驱动信号，以完全控制
接地源的低侧功率
装置以及浮源
高侧功率器件。另外，
在IXBD4410 / 4411芯片组，提供了一个
负向，关断状态的栅极驱动器
信号为改善关断IGBT的或
功率MOSFET和系统逻辑电
兼容状态故障输出FLT到
显示过电流或饱和度，
和欠压V
DD
或V
EE
。在一
故障状态，无论是芯片组保持
各栅极驱动输出关闭;在
V
EE
.
特点
1200 V或更高低到高边
隔离。
驱动器电源系统上运行
高达575 V交流电源
大于的dv / dt抗扰性
±50V/ns
专有低到高侧水平
翻译和沟通
片上负栅极驱动电源
为确保功率MOSFET或IGBT
关闭并防止噪音门
干扰
5 V逻辑兼容输入HCMOS
与迟滞
可在任的16引脚DIP或
16引脚宽体小外形
塑料包装
20 ns的开关时间为1000 pF的
负荷; 100 ns的开关时间
万pF负载
100 ns传播延迟时间
2峰值输出驱动能力
输出的响应的自关断
到过电流或短路
欠压和过电压V
DD
锁定保护
防止交叉传导
半桥
逻辑兼容故障指示
由低和高侧驱动器
应用
540 V-
1或3相电机控制
开关模式电源
（ SMPS）的
不间断电源
（ UPS ）
感应加热和焊接
系统
开关放大器
一般的电源转换电路
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2004 IXYS所有权利。
1
IXBD4410
IXBD4411
符号
定义/条件
特征值
(T
A
= 25 ° C，V
DD
= 15V，除非另有规定）
分钟。
典型值。
马克斯。
V
DD
欠压锁定
V
uv
V
uh
退出
迟滞
9.5
0.1
10.5
0.15
11.5
0.3
V
V
静态电源电流
I
DD
V
DD
电流/ V
in
=V
DD
或LG的，我
o
= 0
20
mA
INL和INH输入
（图1a中 - 1c）的
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
DLH （关闭）
导通延迟时间;
4410
上升时间;
打开-O FF延迟时间
4410
下降时间
4410/4412
导通延迟时间 -
4411
打开-O FF延迟时间
t
DLH （上）
4410
导通延迟时间 -
4411
打开-O FF延迟时间
C
L
=1nF
60
150
ns
C
L
=1nF
60
150
ns
C
L
=1nF
C
L
= 10nF的
C
L
= 1 nF的
C
L
=1nF
C
L
=10nF
C
L
=1nF
110
70
15
70
70
15
175
100
20
150
150
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
故障输出延迟的任何故障条件（四千四百十一分之四千四百一）
t
FLT
FLT延迟/ R
pu
= 2 KΩ
L
= 20 pF的
200
300
ns
过电流保护延时
t
oc
司机关闭延迟时间
C
L
= 1 nF的
200
300
ns
1N5817
1N5817
图。 1A ： IXBD4410 / 4411开关时间测试电路
版权所有2004 IXYS所有权利。
图。 1b中：输出信号波形
3
IXBD4410
IXBD4411
芯片组概述
这ISOSMART
TM
芯片组是一对
集成电路提供隔离
高边和低边驱动器的相位
腿马达控制，或者任何其他
应用程序，它利用一个半桥，
2-或3相驱动结构。他们
由两个驱动控制输入（ INL
和INH）两个功率MOSFET / IGBT
栅极驱动器输出。两个输入操作
从一个公共接地，并且
通过HCMOS兼容逻辑激活
的水平。低侧输出工作
近的输入接地，而高侧
输出工作在浮动接地
这是名义上的源极连接
高侧相桥臂的功率
装置。两路输出通常提供2
瞬态电流驱动的快
相桥臂功率开关
装置。
IXBD4410/IXBD4411
全功能ISOSMART
TM
司机
芯片组采用了IXBD4410为
低侧驱动器（图3）和一
IXBD4411作为高边驱动器（图
2）。当输入"INL"被设定为正
逻辑电平，低边栅极输出
变为高电平（导通） ;当"INH"设置
到正逻辑电平时，高边
栅极驱动输出为高电平。在高
侧的IC从低侧集成电路分离
由磁屏障，穿过该
接通/关断信号被发送到
高侧栅极驱动。该IXBD4411
故障信号也被发送回
通过这些的IXBD4410司机
变压器。只有这种隔离
依赖于低成本的通信
系统蒸发散变压器，其目的是
承受1200伏以上。
存在两种磁性传动
低和高之间的通道
侧IC的双向通信
阳离子。一个发送信号的
低侧IXBD4410集成电路到高
侧IXBD4411 IC和其它发送
来自高侧的信号反馈到
低侧集成电路。在发送了信号
控制IXBD4411栅极驱动
输出。从发送的信号
IXBD4411回IXBD4410
表示发生高压侧故障
（过电流，或下压的
高边+电源）。这是
在IXBD4410驱动程序检测和
设置"FLT"引脚为低电平，以指示高
侧故障。
从返回的故障信号
15
V
DD
UV
DD
UV
EE
14
V
EE
13
12
图。 2： IXBD4411 ，高边驱动器的框图
15
V
DD
UV
DD
UV
EE
14
V
EE
13
12
图。 3： IXBD4410 ，低侧驱动器框图
图。 4 ：逻辑IXBD4410 FLT信号的表示
版权所有2004 IXYS所有权利。
IXBD4410
IXBD4411
该IXBD4411严格仅供状态。
任何栅极驱动的，因为关闭
高侧故障做
在本地范围内
高端IXBD4411 。该IXBD4411
栅极驱动器将关断电源装置
每当过流或下
电压条件下出现。过电流
感应是活性仅在栅极
驱动器的输出是"high" （上） 。该
过电流故障状态被锁存，并
复位就下INH门输入
积极转变。的的FLT （引脚8 ）
IXBD4411不使用，应
接地。
低端IXBD4410驱动器提供
输出管脚8 （FLT ）来指示一个高
侧（ IXBD4411 ）
or
一个低侧
（ IXBD4410 ）故障。此输出引脚为
"open - drain"输出。该IXBD4410低
侧驱动器故障指示相似
该IXBD4411高边驱动器的指示
正如上文所述。一个"graphic"逻辑
该芯片组的FLT功能示意图
示于图4 。注意，此图
提供此功能的逻辑
"low - side" IXBD4410驱动器和不
实际电路。它描述了该组合
在"fault logic"和"hi端故障的逻辑
同时在IXBD4410 sense"块和
IXBD4411如图。图2和3 。
提供最有效的方法
功率的高边驱动器是由
自举。此方法被示
在第4页上的功能图和
在该应用例（图6和9）
由二极管D1和电容器C1。使用这种
的方法，该动力通过绘制
高压二极管上的储
电容每当浮动高边
地返回到附近的真正理由
的低侧驱动器。当高侧
栅极导通和浮动接地
移向高电位，在
自举二极管反向偏置，并且所述
高侧驱动器获取电源仅
从储电容器。功率可
还可以通过任何隔离电源提供
电源（通常是一个额外的辅助
系统内务供应
开关变压器） 。
无论是IXBD4410和IXBD4411
包含板载负电荷泵
提供负栅极驱动器，这
确保关闭的高或低侧的
在电流的存在功率器件
诱发电力设备米勒电容
tance或感应地面瞬变。
这些电荷泵提供-5 V
相对于本地驱动程序时，地面
V
DD
为+15 V，并在额定平均
电流为25毫安。电荷泵
需要两个外部电容器， C7和
的C11所示。 6.电荷泵
频率标称600千赫。该
电荷泵时钟被关闭
每当在V之间的差
DD
和V
EE
供应超过20 V，以防止
超过的击穿评级
IC 。
无论是IXBD4410和IXBD4411
司机拥有两个本地各的理由，
一个共同的逻辑接地，并"Kelvin"
地面上。开尔文地和逻辑
理由首先直接连接到
对方，然后向开尔文 - 源
为精确的过功率器件的
电流测量中的存在
功率器件上的感应瞬变
源极端子。
功率MOSFET或IGBT过流
传感利用一个片上比较器
具有典型的300毫伏的阈值。在一个
典型的应用中，电流镜销
的功率MOSFET或IGBT所配置
连接至接地，低阻值电阻，
和过电流比较器的输入
在高或低侧驱动器。该
比较典型内响应
150 ns到过电流情况，以
关断驱动器输出。电源
交换机也可以通过被保护
DESA - turation检测（参照图6 ，图7和
9).
为了保证在最大程度的保护
相桥臂的功率器件中，芯片组
具有以下电源
MOSFET和IGBT的保护电路：
功率器件过流或desa-
turation保护。该IXBD4410 /
4411will关断的驱动装置
在150纳秒的感应输出
过流或过饱和的状态。
栅极驱动闭锁电路，以防止
跨导（同时
在低和高侧的导
相桥臂的功率器件） ，无论是
在正常工作条件或
当故障发生时。
在上电期间，该芯片组的网关
驱动器输出将低（关） ，直到
电压达到欠压脱扣
点。
欠电压栅极驱动锁定在
在低收入和/或高侧驱动器下列情况─
过各自的积极力量
电压低于9.5 V典型。
欠电压栅极驱动锁定在
在低收入和高边驱动器
每当相应的负
上述-3 V电源上升
典型的。
版权所有2004 IXYS所有权利。
5
QQ：2881677436 复制
